期刊文献+
共找到21篇文章
< 1 2 >
每页显示 20 50 100
双管S型负阻器件的研究 被引量:7
1
作者 魏希文 王美田 +4 位作者 李建军 李雪梅 李凤银 王化雨 曹体伦 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第2期74-77,共4页
模拟电路实验证明用两个同极性的晶体管以多种电路接法都能获得具有S型负阻特性的两端器件。在此实验基础上研制得到一种双向两端S型负阻器件(TBNRD器件).本文还对该器件产生负阻的原因进行了理论分析。
关键词 负阻器件 两端器件
在线阅读 下载PDF
多晶硅薄膜光电导特性的研究
2
作者 魏希文 王美田 武建青 《大连理工大学学报》 CAS CSCD 北大核心 1995年第1期25-30,共6页
通过进一步研究多晶硅薄膜光电导特性观测到多晶硅薄膜光电导光谱分布曲线在长波区存在一个低幅值的台阶;在短波区出现峰值.由光电导光谱分布曲线确定的多晶硅薄膜平均等效的禁带宽度介于单晶硅与无定型硅的禁带宽度之间,其值的大小... 通过进一步研究多晶硅薄膜光电导特性观测到多晶硅薄膜光电导光谱分布曲线在长波区存在一个低幅值的台阶;在短波区出现峰值.由光电导光谱分布曲线确定的多晶硅薄膜平均等效的禁带宽度介于单晶硅与无定型硅的禁带宽度之间,其值的大小与多晶硅晶粒大小有关,实验还观测到与势垒光生伏特效应不同的另一种光生伏特效应,可能和材料及工艺不均匀性有关. 展开更多
关键词 光电导性 光谱能分布 禁带宽度 多晶硅薄膜
在线阅读 下载PDF
纳米硅簿膜制备工艺的研究 被引量:3
3
作者 万明芳 魏希文 何宇亮 《大连理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第6期801-804,共4页
采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)技术,在超高真空系统中,使用大量氢稀释的硅烷作为反应气体,利用R.F.+D.C.双重功率源激励,通过低温下硅在氢等离子体放电中的化学输运直接淀积纳米硅薄膜。根据对薄膜样品结构... 采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)技术,在超高真空系统中,使用大量氢稀释的硅烷作为反应气体,利用R.F.+D.C.双重功率源激励,通过低温下硅在氢等离子体放电中的化学输运直接淀积纳米硅薄膜。根据对薄膜样品结构的测定及其制各工艺条件,分析讨论了各工艺参数对淀积后薄膜的影响,从而使纳米硅簿膜的制备工艺趋于完善。 展开更多
关键词 薄膜 PECVD 纳米硅
在线阅读 下载PDF
双向负阻器件的数值模拟 被引量:3
4
作者 李建军 魏希文 +3 位作者 王美田 李风银 王化雨 盖学敏 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第2期66-69,共4页
本文通过对双向负阻器件进行数值模拟,分析了其产生负阻的内部图象,模拟结果表明,高阻集电区厚度的减小或衬底杂质浓度的增加使负阻曲线的摆幅增大,而基区掺杂浓度的提高将使负阻曲线的峰值减小。
关键词 负阻器件 数值模拟 半导体器件
在线阅读 下载PDF
Ge_xSi_(1-x)合金基区异质结晶体管模拟器——GSHBT 被引量:1
5
作者 李建军 魏希文 +3 位作者 沈光地 陈建新 邹德恕 韩汝琦 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2000年第1期99-104,共6页
基于有限差分法开发了一个 Gex Si1-x合金基区异质结晶体管 (Gex Si1-x HBT)模拟器GSHBT。通过解释一组输入语句 ,GSHBT可模拟任意掺杂分布和锗分布的 Gex Si1-x HBT的直流特性、频率特性和器件的内部图像。文中描述了 GSHBT的特点和使... 基于有限差分法开发了一个 Gex Si1-x合金基区异质结晶体管 (Gex Si1-x HBT)模拟器GSHBT。通过解释一组输入语句 ,GSHBT可模拟任意掺杂分布和锗分布的 Gex Si1-x HBT的直流特性、频率特性和器件的内部图像。文中描述了 GSHBT的特点和使用方法 ,阐述了进行器件特性分析的数值方法 ,并给出了应用实例。 展开更多
关键词 锗硅合金 模拟器 异质结 晶体管
在线阅读 下载PDF
纳米硅薄膜低温光致发光 被引量:1
6
作者 窦红飞 李建军 +3 位作者 魏希文 邹赫麟 何宇亮 刘明 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1998年第1期38-42,共5页
以高氢稀释硅烷为反应气源,用PECVD方法淀积了nc-Si:H薄膜。未经任何后处理过程,在低温77K下观察到光致发光,并对薄膜样品进行了Raman散射,红外吸收谱,氢氧含量以及光学吸收系数分析测试。还对nc-Si:H薄膜低温光致发光的机理... 以高氢稀释硅烷为反应气源,用PECVD方法淀积了nc-Si:H薄膜。未经任何后处理过程,在低温77K下观察到光致发光,并对薄膜样品进行了Raman散射,红外吸收谱,氢氧含量以及光学吸收系数分析测试。还对nc-Si:H薄膜低温光致发光的机理进行了讨论。 展开更多
关键词 纳米硅薄膜 光致发光 化学气相渡积 等离子体
在线阅读 下载PDF
MOS表面反型层少子时变效应研究 被引量:1
7
作者 刘艳红 魏希文 +1 位作者 许铭真 谭长华 《大连理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第6期661-663,共3页
为深入研究半导体表面过程 ,主要针对 Zerbst方程 ,用数值拟合法 ,给出脉冲电压作用下 MOS器件半导体表面耗尽层宽度随时间变化近似解析解 ,进而得出与实验结果符合较好的表面少子时变关系解析式 ;分析了表面少子时变过程 ,为表面电荷... 为深入研究半导体表面过程 ,主要针对 Zerbst方程 ,用数值拟合法 ,给出脉冲电压作用下 MOS器件半导体表面耗尽层宽度随时间变化近似解析解 ,进而得出与实验结果符合较好的表面少子时变关系解析式 ;分析了表面少子时变过程 ,为表面电荷转移器件的模拟分析提供了有力的工具 . 展开更多
关键词 少数载流子 数值解/MOS结构 时变效应
在线阅读 下载PDF
高耐压低负阻大功率晶体管理论分析 被引量:1
8
作者 李建军 魏希文 +1 位作者 裴素华 王子欧 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1997年第1期15-20,共6页
从理论上分析了影响晶体管发射极一集电极击穿后负阻摆幅的因素,通过SUPREM-Ⅲ分别模拟镓管和镓硼管的杂质浓度分布,得到了镓硼管低负阻摆幅和镓管低的电流增益原因。
关键词 负阻 功率器件 理论分析 功率晶体管
在线阅读 下载PDF
锗硅分子束外延层与衬底界面的电镜研究
9
作者 邹赫麟 李建军 +6 位作者 魏希文 金星 王德和 张翔九 卢学坤 蒋最敏 王迅 《大连理工大学学报》 CAS CSCD 北大核心 1996年第2期170-173,共4页
使用分子束外延(MBE)技术制备了应变锗硅外延薄膜,并在不同温度下对样品等时热退火处理;采用侧面透射电子显微镜(XTEM)对退火样品进行观测,获得有关高温退火后锗硅外延层与硅衬底界面的位错生长情况,采用高分辨电子显微... 使用分子束外延(MBE)技术制备了应变锗硅外延薄膜,并在不同温度下对样品等时热退火处理;采用侧面透射电子显微镜(XTEM)对退火样品进行观测,获得有关高温退火后锗硅外延层与硅衬底界面的位错生长情况,采用高分辨电子显微镜(HREM)观测样品退火以前的界面显微结构,表明样品在850℃退火温度时出现的位错生长是一种混合型热松弛机理. 展开更多
关键词 分子束外延 位错 锗硅合金 薄膜 界面 电镜
在线阅读 下载PDF
多晶硅发射极锗硅合金基区HBT理论模型
10
作者 李建军 魏希文 +2 位作者 王美田 李正孝 王效平 《大连理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第3期303-308,共6页
对多晶硅发射极锗硅合金基区HBT提出了一个理论模型,认为在多晶硅发射区和锗硅合金基区间存在一界面层,通过计算机模拟得到界面层的厚度取适当值时有利于增益的提高,但应降低界面态密度;随着基区中锗含量x的增大增益相应增大,... 对多晶硅发射极锗硅合金基区HBT提出了一个理论模型,认为在多晶硅发射区和锗硅合金基区间存在一界面层,通过计算机模拟得到界面层的厚度取适当值时有利于增益的提高,但应降低界面态密度;随着基区中锗含量x的增大增益相应增大,但由于界面态的作用,当x增加到一定值时增益的提高变缓。 展开更多
关键词 晶体管 理论模型 多晶硅 发射极 锗硅合金基区
在线阅读 下载PDF
一种新型超短脉冲离子源
11
作者 王利 李海洋 +4 位作者 白吉玲 吕日昌 王理德 邢恒 魏希文 《大连理工大学学报》 CAS CSCD 北大核心 1998年第3期261-265,共5页
介绍了一种新型超短脉冲离子源.把聚焦后的激光照射到不锈钢板上,产生超短脉冲的光发射电子束.在飞行时间质谱仪(TOF-MS)上,利用这种电子束来轰击超音速射流气体,给出了这些气体离子的飞行时间质谱.这种离子源可作为飞行... 介绍了一种新型超短脉冲离子源.把聚焦后的激光照射到不锈钢板上,产生超短脉冲的光发射电子束.在飞行时间质谱仪(TOF-MS)上,利用这种电子束来轰击超音速射流气体,给出了这些气体离子的飞行时间质谱.这种离子源可作为飞行时间质谱仪的一种理想的“软电离”离子源. 展开更多
关键词 电子束离子源 飞行时间质谱仪 超短脉冲
在线阅读 下载PDF
马来酰肼的合成研究 被引量:1
12
作者 王千杰 魏希文 《宁夏石油化工》 1999年第2期13-14,共2页
关键词 马来酰肼 合成 抑芽丹 植物生长调节剂
在线阅读 下载PDF
半导体材料禁带宽度测试装置的研制
13
作者 王美田 魏希文 +1 位作者 于有津 杨淑芳 《大连理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第5期521-525,共5页
根据光电导方法,研制了 DB-1型半导体材料禁带宽度测试装置。该装置经测 试验证及用户使用表明:整个测试系统具有测量数值精确、测试速度快、样品安装方 便、装置的稳定性和重复性好等优点,实现了对半导体材料禁带宽度的测定,... 根据光电导方法,研制了 DB-1型半导体材料禁带宽度测试装置。该装置经测 试验证及用户使用表明:整个测试系统具有测量数值精确、测试速度快、样品安装方 便、装置的稳定性和重复性好等优点,实现了对半导体材料禁带宽度的测定,可为进 一步研究半导体材料的能带模型提供实验数据。 展开更多
关键词 半导体 禁带宽度 试验设备 光电导
在线阅读 下载PDF
亚毫微秒速度高均匀性多元逻辑电路的研制
14
作者 邹赫麟 魏希文 马平西 《大连理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第6期644-652,共9页
就如何同时实现多元逻辑电路中线性“与或”门的高速和高均匀性进行 了理论分析和实验验证。理论分析给出了平均延迟时间和均匀性的函数表达 式;指出在影响电路速度和均匀性的诸多因素中,复合晶体管的发射结面积 是一个关键因素,并... 就如何同时实现多元逻辑电路中线性“与或”门的高速和高均匀性进行 了理论分析和实验验证。理论分析给出了平均延迟时间和均匀性的函数表达 式;指出在影响电路速度和均匀性的诸多因素中,复合晶体管的发射结面积 是一个关键因素,并依此进行了样品电路的优化设计和工艺制造。测试结果 表明,单门平均延迟时间为 0.22 ns,功耗延迟积为 0.55 pJ.在输入一致条 件下(0~4 V),各单门电路之间输出不均匀性误差小于等于4 mV. 展开更多
关键词 逻辑电路 高速度 均匀性 DYL
在线阅读 下载PDF
SiGe材料及其在半导体器件中的应用 被引量:3
15
作者 朱泳 刘艳红 +3 位作者 魏希文 沈光地 陈建新 邹德恕 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第8期70-73,共4页
介绍了SiGe材料的发展历史、特性、制备方法及其在半导体器件中的应用。
关键词 锗化硅 半导体材料 半导体器件
在线阅读 下载PDF
多晶硅薄膜和金属铝接触的研究 被引量:1
16
作者 马平西 魏希文 +2 位作者 王美田 师延进 陈国栋 《大连理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第2期197-202,共6页
研究了n型多晶硅薄膜和铝的欧姆按触、整流接触。在掺杂浓度N≥2.9×1019 cm-3的情况下为欧姆接触:在掺杂浓度N≤2.9×1018cm-3的情况下为整流接触; 用TLM方法测出了N=2.9×1019c... 研究了n型多晶硅薄膜和铝的欧姆按触、整流接触。在掺杂浓度N≥2.9×1019 cm-3的情况下为欧姆接触:在掺杂浓度N≤2.9×1018cm-3的情况下为整流接触; 用TLM方法测出了N=2.9×1019cm-3时的接触电阻率ρc=5.54×10-3Ω.cm2; 从理论上定量地分析了掺杂浓度(1.4×1017~2.9×1019)cm-3的U-I特性曲线.理 论计算结果和实验数据符合较好.讨论了肖特基势垒高度φb和晶粒间界势垒高度φg 随掺杂浓度变化的规律,φb不随N变化,保持为常数;而φg却有极值。在实验 方面.探讨了用Ti代替A1实现低阻浅结欧姆接触的可能性。在掺杂浓度较低的情 况下,给出了制备欧姆接触的方法。 展开更多
关键词 多晶硅 薄膜 欧姆接触
在线阅读 下载PDF
多元逻辑电路(DYL)线性“与或”门均匀性的研究
17
作者 马平西 魏希文 邹赫麟 《大连理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第4期483-488,共6页
Comparing the theoretical ana1ysis with the experimental results the authors have proved that the uniformity of linear "and/or" gates mainly depends on imput voltage and load resistance. When imput voltage i... Comparing the theoretical ana1ysis with the experimental results the authors have proved that the uniformity of linear "and/or" gates mainly depends on imput voltage and load resistance. When imput voltage is low, the uniformity changes a little with the load resistance. When imput voltage is high, the smaller the load resistance is, the more obviously the uniformity changes with imput voltage. 展开更多
关键词 逻辑电路 均匀性 误差理论
在线阅读 下载PDF
nSi/pSi_(1-x)Ge_x/nSi 晶体管直流特性数值分析
18
作者 安俊明 李建军 +1 位作者 魏希文 沈光地 《大连理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第5期516-520,共5页
采用一维有限差分方法,对生长在Si(001)衬底上的Si1-xGex应变基区异质结双极晶体管(HBT)的直流特性进行了数值分析,给出了高斯掺杂情形下,基区中不同Ge分布的Si1-xGexHBT的共射极电流放大系数图、... 采用一维有限差分方法,对生长在Si(001)衬底上的Si1-xGex应变基区异质结双极晶体管(HBT)的直流特性进行了数值分析,给出了高斯掺杂情形下,基区中不同Ge分布的Si1-xGexHBT的共射极电流放大系数图、Gum-mel图和平衡能带图;与Si双极同质结晶体管(BJT)的直流特性作了对比,结果表明基区中Ge的引入有效地改善了晶体管的直流性能;其次对基区中Ge分布与p型杂质在基区-集电区交界处的不一致进行了模拟,证实了基区杂质向集电区扩散产生的寄生势垒使集电极电流密度下降这一实验结果. 展开更多
关键词 异质结 计算 晶体管 直流特性 数值分析
在线阅读 下载PDF
双向S型负阻器件的二维计算机数值模拟
19
作者 张富斌 李建军 魏希文 《大连理工大学学报》 CAS CSCD 北大核心 1996年第6期660-663,共4页
介绍了一种对双向S型负阻器件进行二维数值模拟的方法,并用此方法模拟得出器件的I-V曲线及截止状态和导通状态下器件内部电位、电子空穴浓度分布和电流密度分布.
关键词 半导体器件 数值模拟 计算机模拟 BNRD
在线阅读 下载PDF
多晶硅发射极晶体管的数值分析及模拟
20
作者 周长胜 邹赫麟 +1 位作者 李建军 魏希文 《大连理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第4期482-488,共7页
通过对多晶硅发射极晶体管(PET)的多晶硅及界面层导电特性的分析, 得到单晶发射区边界上电流密度与少子浓度之间的关系式,并以此为自洽的 边界条件,在单晶区数值求解一组描述晶体管电学特性的微分方程,得到晶 体管内部电势分... 通过对多晶硅发射极晶体管(PET)的多晶硅及界面层导电特性的分析, 得到单晶发射区边界上电流密度与少子浓度之间的关系式,并以此为自洽的 边界条件,在单晶区数值求解一组描述晶体管电学特性的微分方程,得到晶 体管内部电势分布和载流子分布以及PET的端电流特性. 展开更多
关键词 多晶硅 界面层 发射极晶体管
在线阅读 下载PDF
上一页 1 2 下一页 到第
使用帮助 返回顶部