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硅低温晶体管的研究 被引量：4
1
作者 魏同立 郑茳 冯耀兰 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第6期107-109,共3页
本文从理论和实验上研究了硅晶体管电流增益的低温特性,建立了电流增益的温度模型阐明了低温时电流增益下降的机理,探讨了采用轻掺杂技术和a-Si发射区获得良好电性能的硅低温晶体管的方法,理论分析和实验结果吻合一致。
关键词 硅晶体管 低温特性 电流增益
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硅超高速双极技术的潜力与变革方向
2
作者 魏同立 郑茳 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第2期76-80,共5页
本文评述了硅超高速双极技术的研究现状与极限，指出ＳｉＧｅ异质结构将显著提高现有纯Ｓｉ器件的电性能，并将成为发展下一代硅超高速双极器件和电路的技术途径。
关键词 硅 硅锗 双极晶体管 异质结
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小尺寸MOS器件热载流子效应模拟
3
作者 魏同立 何野 《应用科学学报》 CAS CSCD 1989年第2期137-142,共6页
本文从实用的角度出发求解泊松方程.提出了一个小尺寸MOS器件热载流子效应的模拟方法.并开发了相应的模拟软件.模拟结果接近精确的二维MOST分析,并与实验吻合良好,而CPU时间却降低了1～2个数量级.
关键词 MOS器件 热载流子效应 模拟方法
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全负载下实现高效率的DC-DC转换器芯片设计 被引量：9
4
作者 常昌远 谭春玲 +2 位作者 姚建楠 邹一照 魏同立 《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期22-25,共4页
首先讨论了DC-DC转换器的功率损耗源,根据重载情况下PWM控制效率高而轻载情况下PFM控制效率高的特点,提出了全负载下实现PWM/PFM自动切换以降低功耗、提高电源效率的控制方法.将相加模式PWM、跳周期和限流相结合的PFM整合于一个系统中,... 首先讨论了DC-DC转换器的功率损耗源,根据重载情况下PWM控制效率高而轻载情况下PFM控制效率高的特点,提出了全负载下实现PWM/PFM自动切换以降低功耗、提高电源效率的控制方法.将相加模式PWM、跳周期和限流相结合的PFM整合于一个系统中,使整个系统高效协调地工作,并在较大的负载变化范围内均具有高效率的优点.系统采用0.5μm CMOS工艺实现,对系统的仿真结果表明,系统正常工作,成功实现了PWM/PFM的自动切换,性能指标达到了设计要求. 展开更多
关键词 脉冲宽度调制 脉冲频率调制 PWM/PFM自动切换 DC—DC转换器 全载效率
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数字图像离散小波变换的原理与硬件实现分析 被引量：9
5
作者 孟军 魏同立 +1 位作者 吴金 常昌远 《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期842-847,共6页
针对日益进步的图像变换编码技术 ,对目前已经纳入MPEG 4和JPEG2 0 0 0编码标准的采用离散小波变换进行数字图像编码的原理与硬件实现进行了综述介绍 .在分析小波变换快速算法的基础上 ,重点讨论了近 1 0年来所提出的各种离散小波变换... 针对日益进步的图像变换编码技术 ,对目前已经纳入MPEG 4和JPEG2 0 0 0编码标准的采用离散小波变换进行数字图像编码的原理与硬件实现进行了综述介绍 .在分析小波变换快速算法的基础上 ,重点讨论了近 1 0年来所提出的各种离散小波变换硬件实现的典型结构 ,在硬件资源与处理速度两个方面进行了比较 .对于变换后的系数量化 ,总结了几种基于嵌入式零树小波编码的算法 ,比较其峰值信噪比和编码时间 .相较于离散余弦变换进行图像编码 ,采用离散小波变换在压缩效率。 展开更多
关键词 原理 硬件实现 图像编码 离散小波变换 量化 数字图像处理
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宽带单片低噪声放大器 被引量：11
6
作者 彭龙新 林金庭 魏同立 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第11期1933-1936,F003,共5页
由电路和噪声基本定义出发 ,导出了二端口网络的噪声相关矩阵的转移表示式和导纳表示式 .并推导了两个二端口网络的级联和并联后的噪声相关矩阵 .然后在此基础上得出了并联反馈放大器的噪声参数 (Rn,NFmin和Yopt)和其S参数表达式 .由此... 由电路和噪声基本定义出发 ,导出了二端口网络的噪声相关矩阵的转移表示式和导纳表示式 .并推导了两个二端口网络的级联和并联后的噪声相关矩阵 .然后在此基础上得出了并联反馈放大器的噪声参数 (Rn,NFmin和Yopt)和其S参数表达式 .由此设计和制造了 1～ 7GHz两级单片低噪声放大器 .在工作频率 1～ 7GHz内 ,测得增益G >2 0dB ,带内增益波动ΔG≤± 0 75dB ,噪声系数NF≤ 2 5dB ,输入输出驻波VSWR≤ 2 0 ,1分贝压缩点输出功率P1dB≥15dBm . 展开更多
关键词 噪声相关矩阵 噪声参数 反馈放大器 微波单片集成电路 宽带
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宽温区高温体硅CMOS倒相器的优化设计 被引量：5
7
作者 冯耀兰 魏同立 +2 位作者 张海鹏 宋安飞 罗岚 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2001年第3期258-264,共7页
在对体硅 CMOS倒相器直流特性、瞬态特性的高温模型和高温特性深入研究的基础上 ,提出了高温体硅 CMOS倒相器结构参数设计的考虑 ,给出了宽温区 (2 7～ 2 5 0℃ )体硅 CMOS倒相器优化设计的结果。模拟验证表明 ,所设计的体硅 CMOS倒相... 在对体硅 CMOS倒相器直流特性、瞬态特性的高温模型和高温特性深入研究的基础上 ,提出了高温体硅 CMOS倒相器结构参数设计的考虑 ,给出了宽温区 (2 7～ 2 5 0℃ )体硅 CMOS倒相器优化设计的结果。模拟验证表明 ,所设计的体硅 CMOS倒相器在宽温区能满足下列电学参数设计指标 :输出高电平 Vo H>4 .95 V,输出低电平 Vo L<0 .0 5 V,转换电平 V*i (2 7℃ ) =2 .5 V,V*i(2 5 0℃ ) =2 .4 V,上升时间 tr(2 7℃ ) <110 ns,tr(2 5 0℃ ) <180 ns,下降时间 tf(2 7℃ ) <110 ns,tf(2 5 0℃ ) <16 0 ns。 展开更多
关键词 集成电路 体硅 宽温区 互补金属-氧化物-半导体倒相器 优化设计
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X波段单片集成低噪声接收子系统 被引量：6
8
作者 彭龙新 林金庭 魏同立 《固体电子学研究与进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期141-145,共5页
报道一种新型 X波段 0 .2 5 μm PHEMT全单片集成低噪声子系统。该子系统由开关衰减电路、采样检波电路和低噪声放大器三部分组成。开关插入损耗仅 0 .5 d B,放大器噪声系数小于 1 .5 d B。当开关控制电压为-2 V,输入电平 <-7d Bm时 ... 报道一种新型 X波段 0 .2 5 μm PHEMT全单片集成低噪声子系统。该子系统由开关衰减电路、采样检波电路和低噪声放大器三部分组成。开关插入损耗仅 0 .5 d B,放大器噪声系数小于 1 .5 d B。当开关控制电压为-2 V,输入电平 <-7d Bm时 ,此系统相当于一个低噪声放大器。在 8.5～ 1 0 .5 GHz频率内 ,整个系统增益大于2 4d B,噪声系数小于 2 .0 d B,输入输出 VSWR<1 .5 ;但当输入电平 >-7d Bm时 ,采样检波电路开始工作 ,打开主放大器前的开关衰减器 ,限制输入功率进入 LNA。输入功率越大 ,反射越大。在开关控制电压为 +2 V时 ,无论输入功率多大 。 展开更多
关键词 X波段 单片集成 低噪声接收子系统 微波单片 采样检波 开关衰减 膺配高电子迁移率晶体管 信号
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1～7GHz全单片低噪声放大器 被引量：5
9
作者 彭龙新 蒋幼泉 +1 位作者 林金庭 魏同立 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期296-300,共5页
一种性能优异的全单片宽带低噪声反馈放大器已研制成功。此两级放大器的特点是 ,性能稳定 ,频带宽 ,噪声低 ,增益高而平坦 ,可直接由 +5 V单电源供电 ,无需外加偏置电路 ,输入输出由 MIM电容隔直 ,使用方便。它由栅长为 0 .5 μm Ga As... 一种性能优异的全单片宽带低噪声反馈放大器已研制成功。此两级放大器的特点是 ,性能稳定 ,频带宽 ,噪声低 ,增益高而平坦 ,可直接由 +5 V单电源供电 ,无需外加偏置电路 ,输入输出由 MIM电容隔直 ,使用方便。它由栅长为 0 .5 μm Ga As工艺制作而成 ,所有电路元器件皆集成在 3 .0 mm× 2 .0 mm的 Ga As衬底上。经测量 ,在频率 1～ 7GHz的范围内 ,放大器增益大于 2 0 d B,带内增益波动小于± 0 .75 d B,噪声系数 NF<2 .5d B,输入输出驻波 VSWR约 2 .0 ,1分贝压缩点输出功率大于 1 4d Bm。文中介绍了放大器的设计原理和工艺过程 ,并给出了测量结果。测量结果与设计符合得很好。最后值得指出的是 76mm Ga As圆片的成品率高 ,性能一致性好。 展开更多
关键词 低噪声反馈放大器 微波单片集成电路 宽带 膺配高电子迁移率晶体管 设计原理
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SOC的可测性设计 被引量：6
10
作者 梁宇 韩奇 +1 位作者 魏同立 郑茳 《固体电子学研究与进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期246-252,共7页
SOC(片上系统 )由于设计周期短、可重用性好、可靠性高等优点而被广泛应用。对于DFT(可测性设计 ) ,SOC的规模及复杂性带来了诸多挑战 ,如多时钟域问题、嵌入式模块的不同测试方法、引脚的有限性等等。文中将就这些问题结合实例讨论一... SOC(片上系统 )由于设计周期短、可重用性好、可靠性高等优点而被广泛应用。对于DFT(可测性设计 ) ,SOC的规模及复杂性带来了诸多挑战 ,如多时钟域问题、嵌入式模块的不同测试方法、引脚的有限性等等。文中将就这些问题结合实例讨论一种可配置的系统 展开更多
关键词 片上系统 可测性设计 超大规模集成电路 扫描测试
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TFT-LCD显示驱动技术的发展 被引量：8
11
作者 夏炎 吴金 +2 位作者 常昌远 郭振东 魏同立 《电子器件》 CAS 2001年第4期346-350,共5页
总结了近年来 TFT- LCD显示技术的进步 ,在介绍 TFT- LCD显示原理和驱动技术的同时 。
关键词 TFT-LCD 显示驱动 液晶显示器
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基于可重构核的FPGA电路设计 被引量：6
12
作者 李冰 吴金 魏同立 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期67-72,共6页
电路系统的自适应性、紧凑性和低成本 ,促进了在嵌入式系统中软硬件的协同设计。在线可重构FPGA不仅可以满足这一要求 ,而且在可编程专用电路系统设计的验证及可靠性等方面有着良好的应用 ,文中介绍了可重构 FPGA的实现结构及评估方法 ... 电路系统的自适应性、紧凑性和低成本 ,促进了在嵌入式系统中软硬件的协同设计。在线可重构FPGA不仅可以满足这一要求 ,而且在可编程专用电路系统设计的验证及可靠性等方面有着良好的应用 ,文中介绍了可重构 FPGA的实现结构及评估方法 ,提出以线性矢量表征可重构 FPGA及其可重构核的研究模型 ,以及基于可重构核的模块化设计 ,认为面向分类的专用类可重构 FPGA应当是现阶段可重构 FPGA的研究主题。 展开更多
关键词 FPGA 电路设计 可重构核 集成电路 协同设计
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多晶硅发射极双极晶体管的工艺设计及计算机模拟 被引量：4
13
作者 刘其贵 吴金 +2 位作者 郑娥 魏同立 何林 《电子器件》 CAS 2002年第1期97-100,共4页
在简要分析多晶硅发射极双极晶体管特点的基础上 ,根据国内现有的双极工艺水平 ,设计了用于制备多晶硅发射极双极晶体管的工艺流程 ,并给出了一个最小尺寸晶体管的版图 ,最后对设计的多晶硅发射极晶体管的频率特性进行了模拟。
关键词 多晶硅 发射极 双极晶体管 工艺设计 计算机模拟
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S波段单片低噪声放大器 被引量：3
14
作者 彭龙新 李建平 +1 位作者 蒋幼泉 魏同立 《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期5-9,共5页
S波段单片低噪声放大器采用了 0 5 μm3英寸 ( 76.2mm)砷化镓赝配高电子迁移率晶体管工艺 ,由三级自偏电路构成 ,单电源 ( + 5V)供电 .对 3英寸圆片上的放大器芯片进行直流测试后 ,随机抽取一定数量的样品装架测量 ,并对放大器进行... S波段单片低噪声放大器采用了 0 5 μm3英寸 ( 76.2mm)砷化镓赝配高电子迁移率晶体管工艺 ,由三级自偏电路构成 ,单电源 ( + 5V)供电 .对 3英寸圆片上的放大器芯片进行直流测试后 ,随机抽取一定数量的样品装架测量 ,并对放大器进行了增益和相位的统计 .统计表明 :在S波段带宽 30 0MHz范围内 ,增益在 2 4 5～ 2 6dB范围内 ,相位线性度小于 1°,相位偏差± 7°,噪声系数最大 1 4dB ,输入输出驻波最大 1 4,1dB压缩输出功率大于 1 0 5dBm .另外 ,还对放大器进行了高温。 展开更多
关键词 赝配高电子迁移率晶体管 微波单片集成电路 单片低噪声放大器 静电
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液晶显示多行扫描驱动芯片设计 被引量：4
15
作者 钟锐 应征 魏同立 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期447-453,共7页
多行扫描驱动方式具备低功耗、高对比度、响应速度快、串扰少、制造成本低和宽温度范围等优点 ,可大幅提高无源驱动的显示质量。文中采用 Hadmoard矩阵作为基本正交函数 ,设计了 4行驱动多行扫描芯片的系统结构 ,并采用动态 CMOS逻辑阵... 多行扫描驱动方式具备低功耗、高对比度、响应速度快、串扰少、制造成本低和宽温度范围等优点 ,可大幅提高无源驱动的显示质量。文中采用 Hadmoard矩阵作为基本正交函数 ,设计了 4行驱动多行扫描芯片的系统结构 ,并采用动态 CMOS逻辑阵列结构设计了列驱动芯片中的关键电路 -码转换模块。结合 UMC0 .6μm工艺模拟验证后的结果显示 ,该模块 5V下的延迟时间为 11ns,最大工作频率可超过 2 0 MHz。 展开更多
关键词 液晶显示 多行扫描 驱动芯片 设计 无源驱动 参数性能 Hadmoard矩阵 系统结构
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E-100 型血氧饱和度测定仪的研制 被引量：5
16
作者 常昌远 赵宁 魏同立 《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 1998年第1期117-122,共6页
Ｅ１００型血氧饱和度测定仪的研制常昌远赵宁魏同立（东南大学电子工程系，南京２１００９６）血氧饱和度（ＳａＯ２）是反映全身氧合状况的重要生理参数．尤其对危重病人，连续监测其血氧饱和度可早期发现随时可能出现的低血氧症，以... Ｅ１００型血氧饱和度测定仪的研制常昌远赵宁魏同立（东南大学电子工程系，南京２１００９６）血氧饱和度（ＳａＯ２）是反映全身氧合状况的重要生理参数．尤其对危重病人，连续监测其血氧饱和度可早期发现随时可能出现的低血氧症，以避免因缺氧造成的损害乃至死亡．... 展开更多
关键词 血氧饱和度 医疗监测仪 结构
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STN-CD显示驱动技术 被引量：4
17
作者 郭振东 常昌远 +2 位作者 吴金 夏炎 魏同立 《电子器件》 CAS 2001年第4期338-345,共8页
液晶显示器件以优异的特性在显示技术中异军突起 ,具有良好的发展前景。本文介绍了 LCD主流产品之一 STN- LCD的显示原理 ,在此基础上讨论了 STN-
关键词 STN-LCD 显示驱动技术 液晶显示器
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2～ 8 GHz微波单片可变增益低噪声放大器 被引量：2
18
作者 彭龙新 林金庭 +3 位作者 魏同立 陈效建 刘军霞 贺文彪 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期26-30,43,19,共7页
报道了一种微波宽带 Ga As单片可变增益低噪声放大器芯片。该芯片采用南京电子器件研究所 76mm圆片 0 .5μm PHEMT标准工艺制作而成。工作频率范围为 2～ 8GHz,在零衰减时 ,整个带内增益大于 2 5d B,噪声系数最大为 3 .5 d B,增益平坦... 报道了一种微波宽带 Ga As单片可变增益低噪声放大器芯片。该芯片采用南京电子器件研究所 76mm圆片 0 .5μm PHEMT标准工艺制作而成。工作频率范围为 2～ 8GHz,在零衰减时 ,整个带内增益大于 2 5d B,噪声系数最大为 3 .5 d B,增益平坦度小于± 0 .75 d B,输入驻波小于 2 .0 ,输出驻波小于 2 .5 ,输出功率大于 1 0d Bm。放大器增益可控大于 3 0 d B。实验发现 ,芯片具有良好的温度特性。该芯片面积为 3 .6mm× 2 .2 mm。 展开更多
关键词 可变增益 低噪声放大器 微波单片集成电路 GaAs MMIC 高电子迁移率晶体管
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低电压低功耗带通Sigma Delta调制器的设计 被引量：3
19
作者 程剑平 朱卓娅 魏同立 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第11期2051-2055,共5页
本文设计了一种符合双标准接收机要求的一位四阶带通调制器.为了实现低电压低功耗设计的要求,改进了调制器结构,并进行了从系统到电路模块的优化.采用0.35μm CMOS工艺,Hspice和Matlab联合模拟表明:在2V电源电压下,调制器在GSM和WCDMA... 本文设计了一种符合双标准接收机要求的一位四阶带通调制器.为了实现低电压低功耗设计的要求,改进了调制器结构,并进行了从系统到电路模块的优化.采用0.35μm CMOS工艺,Hspice和Matlab联合模拟表明:在2V电源电压下,调制器在GSM和WCDMA系统中的DR分别为86dB和36dB,而功耗仅为10.5mW和12mW. 展开更多
关键词 带通∑Δ调制 低功耗 低电压运放 自举开关
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高速乘法器的性能比较 被引量：3
20
作者 应征 吴金 +1 位作者 常昌远 魏同立 《电子器件》 CAS 2003年第1期42-45,共4页
对基于阵列乘法器、修正布斯算法 (MBA)乘法器、华莱士 (WT)乘法器和MBA -WT混合乘法器的四种架构的32位乘法器性能进行了比较 ,在选择乘法器时 ,应根据实际应用 ,从面积、速度。
关键词 乘法器 修正布斯算法 华莱士树 保存进位加法器 4∶2压缩器
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