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题名中红外半导体激光器GaSb基材料的刻蚀研究
被引量：6
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作者
田超群
魏冬寒
刘磊
高婷
赵博
李辉
曲轶
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机构
长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室
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出处
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2013年第12期3363-3366,共4页
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基金
国家自然科学基金(60976044)
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文摘
锑化物半导体激光器在中红外波段具有广泛的应用前景。针对目前GaSb基材料的刻蚀工艺存在的问题,对现有的GaSb基材料的湿法刻蚀工艺进行了改进,实验分别用氢氟酸系和磷酸系对GaSb材料进行湿法刻蚀,并在两种酸系溶液中分别加入酒石酸进行对比试验。实验分析表明,这两种腐蚀液对GaSb材料都有较好的刻蚀效果,腐蚀速率稳定,适当调整腐蚀液组分可以调控腐蚀速率,刻蚀后形貌良好,材料表面平整光滑。其中氢氟酸系加入酒石酸后随着溶液稀释比的增加,刻蚀速率下降先快后慢,最后几乎不变化;磷酸系加入酒石酸后通过调整体系组分可以减轻湿法刻蚀工艺中广泛存在的下切效应以及钻蚀现象。
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关键词
湿法刻蚀
GASB
氢氟酸
酒石酸
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Keywords
wet etching
GaSb
hydrofluoric acid
tartaric acid
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分类号
O472.1
[理学—半导体物理]
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题名车用垂直腔面发射激光器模组整板金锡共晶焊接工艺
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作者
周浩
吴丰顺
周龙早
孙平如
魏冬寒
张志超
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机构
华中科技大学材料科学与工程学院
深圳市聚飞光电股份有限公司
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出处
《半导体技术》
北大核心
2024年第1期50-55,102,共7页
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文摘
激光雷达及飞行时间(ToF)传感器中垂直腔面发射激光器(VCSEL)模组使用的银胶固晶工艺存在银迁移及硫化问题,亟需开发一种可靠性高并可量产的整板金锡共晶焊接工艺。以单颗焊接模式下单因素实验及正交实验为基础,借助Ansys热仿真工具,探究整板焊接中基板与压头之间合适的匹配温度。单因素控制变量实验发现,固晶芯片推力随共晶温度、压头行程、共晶时间的增加先增大后减小,正交实验得到最佳工艺参数为共晶温度320℃、压头行程500μm、共晶时间4 s。采用优选工艺参数500μm、4 s、270~350℃进行整板焊接,平均固晶芯片推力为821 N,相较银胶固晶工艺提高了139%。
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关键词
垂直腔面发射激光器(VCSEL)模组
金锡共晶焊料
整板焊接
正交实验
有限元模拟
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Keywords
vertical-cavity surface-emitting laser(VCSEL)module
Au80Sn20 eutectic solder
monolithic substrate welding
orthogonal experiment
finite element simulation
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分类号
TN365
[电子电信—物理电子学]
TN305
[电子电信—物理电子学]
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