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Ga掺杂ZnO氧化物的热学性能的研究
被引量：
2
1
作者
马硕章
张飞鹏
+3 位作者
房慧
张忻
路清梅
张久兴
《量子电子学报》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第1期107-112,共6页
在密度泛函理论和线性响应的密度泛函微扰理论基础上通过第一性原理计算的方法研究了Ga掺杂ZnO氧化物的热学参数和热学性能.计算结果表明,Ga掺杂使ZnO氧化物晶胞增大;在所研究温度范围内,纯的ZnO和Ga掺杂的ZnO的晶格热容均随温度升高不...
在密度泛函理论和线性响应的密度泛函微扰理论基础上通过第一性原理计算的方法研究了Ga掺杂ZnO氧化物的热学参数和热学性能.计算结果表明,Ga掺杂使ZnO氧化物晶胞增大;在所研究温度范围内,纯的ZnO和Ga掺杂的ZnO的晶格热容均随温度升高不断增大,其晶格热容在最高温度900 K分别达到16.5 Cal.mol^(-1)K^(-1)和31.3 Cal.mol^(-1)K^(-1).纯的ZnO和Ga掺杂的ZnO的德拜温度θ_D均随温度升高不断增大.Ga掺杂在ZnO中引入了新的振动模式.
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关键词
材料
ZNO
Ga掺杂
热学性能
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职称材料
题名
Ga掺杂ZnO氧化物的热学性能的研究
被引量：
2
1
作者
马硕章
张飞鹏
房慧
张忻
路清梅
张久兴
机构
广西民族师范学院物理与电子工程系
河南城建学院数理学院
北京工业大学材料科学与工程学院新型功能材料教育部重点实验室
出处
《量子电子学报》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第1期107-112,共6页
基金
国家自然科学基金项目(11347141)
北京市自然科学基金项目(2112007)
+1 种基金
广西高等教育教学改革工程项目(2013JGB263)
河南城建学院"青年骨干教师"项目资助
文摘
在密度泛函理论和线性响应的密度泛函微扰理论基础上通过第一性原理计算的方法研究了Ga掺杂ZnO氧化物的热学参数和热学性能.计算结果表明,Ga掺杂使ZnO氧化物晶胞增大;在所研究温度范围内,纯的ZnO和Ga掺杂的ZnO的晶格热容均随温度升高不断增大,其晶格热容在最高温度900 K分别达到16.5 Cal.mol^(-1)K^(-1)和31.3 Cal.mol^(-1)K^(-1).纯的ZnO和Ga掺杂的ZnO的德拜温度θ_D均随温度升高不断增大.Ga掺杂在ZnO中引入了新的振动模式.
关键词
材料
ZNO
Ga掺杂
热学性能
Keywords
materials
ZnO
Ga doping
thermal properties
分类号
TN377 [电子电信—物理电子学]
O481 [理学—固体物理]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Ga掺杂ZnO氧化物的热学性能的研究
马硕章
张飞鹏
房慧
张忻
路清梅
张久兴
《量子电子学报》
CAS
CSCD
北大核心
2015
2
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