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题名9V GaN基高压LED芯片桥接电极的设计与制备
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作者
马介渊
周婷
殷榆婷
王凯雪
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机构
西安联创生物医药孵化器有限公司
西安市碑林区创意产业发展有限公司
中兴通讯股份有限公司
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出处
《现代信息科技》
2018年第2期52-53,55,共3页
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文摘
本文提出的方案以不引起SiO2保护层侧壁的桥接电极发生断裂为前提,通过调整芯粒单元间深隔离槽保护层的厚度,来找到恰当的保护层厚度和桥接电极厚度组合,以确保芯片的桥接电极可靠并且不漏电。基于此,制备可应用于0.2~0.3W照明的9V HV LED芯片,并用微电流和工作电流检验芯片各单元的发光均匀性,以及验证桥接电极电气连接的可靠性。最后,将芯片封装成白光灯珠,并测量其光通量。
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关键词
高压LED
保护层
桥接电极
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Keywords
high voltage （HV） LED
passivation （PA） layer
bridge electrode
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分类号
TN312.8
[电子电信—物理电子学]
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题名电极Al层加厚对水平结构LED芯片性能的影响
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作者
马介渊
殷榆婷
周婷
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机构
西安联创生物医药孵化器有限公司
西安市碑林区创意产业发展有限公司
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出处
《现代信息科技》
2018年第1期53-55,共3页
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文摘
随着水平结构LED市场的竞争越来越残酷,提高产品性能和质量成为各芯片大厂的当务之急。本文在水平结构LED上制备了4种不同Al层厚度的Cr/Al/Cr/Au结构电极,通过比对其电压、亮度和可靠性发现:2500?-7500?范围内,Al层厚度每增大1000?,LED的电压会降低约0.01V,且亮度和可靠性不变;当Al层厚度增大到10000?以上时,Al层侧面出现无Au覆盖缺口,电极Al层容易被氧化、腐蚀,周围出现黑色鼓包异常,对LED的电压、亮度和可靠性造成毁灭性影响。
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关键词
水平结构LED
电极
Al层
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Keywords
horizontal structure LED
electrical pad
Al layer
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分类号
TN406
[电子电信—微电子学与固体电子学]
TM923.34
[电气工程—电力电子与电力传动]
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题名一种有效提升小尺寸LED芯片产品可靠性的劈裂方式
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作者
周婷
马介渊
张震
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机构
西安市碑林区创意产业发展有限公司
西安联创生物医药孵化器有限公司
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出处
《现代信息科技》
2018年第5期40-41,共2页
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文摘
在裂片工艺是LED芯片制程中的重要环节,劈裂的好坏不仅对制程良率有很大影响,同时也会对晶粒的光电性产生较大影响。本文针对4英寸Ga N基底的小尺寸芯片,分析了劈裂不良对芯片光电性的影响,并提出了一种有效提升产品劈裂良率的裂片方法,从而保证产品的可靠性。
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关键词
小尺寸LED芯片
劈裂方式
可靠性
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Keywords
small size LED chip
breaking mode
reliability
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分类号
TN312.8
[电子电信—物理电子学]
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