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单根In掺杂的n-ZnO纳米线/p^+-Si异质结的紫外电致发光 被引量:1
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作者 霍海滨 杨卫全 +2 位作者 戴伦 马仁敏 秦国刚 《北京大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期339-342,共4页
采用化学气相沉积的方法在In0.1Ga0.9N衬底上生长出In掺杂的n-ZnO纳米线阵列。电学输运测量得到单根n-ZnO纳米线的电阻率为0.001Ωcm,比同样方法在GaN衬底上生长的ZnO纳米线低约20倍。这个结果表明来自于In0.1Ga0.9N衬底中的In原子在高... 采用化学气相沉积的方法在In0.1Ga0.9N衬底上生长出In掺杂的n-ZnO纳米线阵列。电学输运测量得到单根n-ZnO纳米线的电阻率为0.001Ωcm,比同样方法在GaN衬底上生长的ZnO纳米线低约20倍。这个结果表明来自于In0.1Ga0.9N衬底中的In原子在高温生长过程中可能被掺入ZnO纳米线。制备成功单根n-ZnO纳米线/p+-Si异质结构并研究了其电致发光特性。室温下电致发光光谱中可以看到一个窄的ZnO激子峰(约380nm)和一个中心位于700nm的来自Si衬底表面自然氧化硅发光中心的发光峰。 展开更多
关键词 电致发光 氧化锌纳米线 异质结
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创新信号无效还是市场激励不足——风险投资市场对科技企业资源配置低效之谜 被引量:1
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作者 马仁敏 张涤新 葛扬 《科技进步与对策》 CSSCI 北大核心 2023年第16期42-51,共10页
我国风险投资市场对科技企业资源配置效率偏低抑制初创企业技术创新。基于信号理论和激励理论,构建非完全信息下的动态博弈模型,求解使创新能力强的企业更倾向于发出信号并获得风险资本支持的分离均衡存在的前提条件,即创新信号的有效... 我国风险投资市场对科技企业资源配置效率偏低抑制初创企业技术创新。基于信号理论和激励理论,构建非完全信息下的动态博弈模型,求解使创新能力强的企业更倾向于发出信号并获得风险资本支持的分离均衡存在的前提条件,即创新信号的有效性和风险资本投资创新企业的激励相容性。基于2005—2020年上市科技企业数据进行实证检验,结果发现:(1)我国风险投资市场具备对科技企业的资源配置作用,但效率偏低;(2)专利申请行为作为创新信号能够有效反映企业创新能力,并可被风险资本识别;(3)风险资本投资创新企业的超额收益率偏低。风险资本对创新企业投资激励不足,导致风险投资市场无法实现分离均衡,从而降低市场资源配置效率。 展开更多
关键词 创新信号 市场激励 激励相容 资源配置 分离均衡 风险投资
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