以高纯a-Al_2O_3粉与AlN粉为原料,采用无压烧结,通过气氛渗透,在烧制过程中掺入等量碳的方法制备AlON:C透明陶瓷,研究AlON:C透明陶瓷的光释光性能。结果发现:AlON:C透明陶瓷光释光衰变曲线都随着时间呈指数变化衰减,前期衰减快,后期衰...以高纯a-Al_2O_3粉与AlN粉为原料,采用无压烧结,通过气氛渗透,在烧制过程中掺入等量碳的方法制备AlON:C透明陶瓷,研究AlON:C透明陶瓷的光释光性能。结果发现:AlON:C透明陶瓷光释光衰变曲线都随着时间呈指数变化衰减,前期衰减快,后期衰减速率变慢;470 nm蓝光不能清空光释光信号,光释光有信号堆积现象。β射线辐照下,AlON:C陶瓷的光释光剂量响应曲线呈线性、亚线性,并有趋向饱和的特点;AlON:C透明陶瓷对b射线的光释光响应曲线在50 m Gy^50 Gy与50~100 Gy吸收剂量范围内呈非常良好的线性关系;在50~500 m Gy吸收剂量范围内,β与γ射线光释光响应线性良好,γ射线辐照下的光释光强度约为β射线辐照下的光释光强度的76%。展开更多
文摘以高纯a-Al_2O_3粉与AlN粉为原料,采用无压烧结,通过气氛渗透,在烧制过程中掺入等量碳的方法制备AlON:C透明陶瓷,研究AlON:C透明陶瓷的光释光性能。结果发现:AlON:C透明陶瓷光释光衰变曲线都随着时间呈指数变化衰减,前期衰减快,后期衰减速率变慢;470 nm蓝光不能清空光释光信号,光释光有信号堆积现象。β射线辐照下,AlON:C陶瓷的光释光剂量响应曲线呈线性、亚线性,并有趋向饱和的特点;AlON:C透明陶瓷对b射线的光释光响应曲线在50 m Gy^50 Gy与50~100 Gy吸收剂量范围内呈非常良好的线性关系;在50~500 m Gy吸收剂量范围内,β与γ射线光释光响应线性良好,γ射线辐照下的光释光强度约为β射线辐照下的光释光强度的76%。
