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Ga-N熔体热力学性质及钠助熔剂法制备GaN单晶的研究进展
1
作者
刘甜甜
怀俊彦
+4 位作者
王书杰
顾占彪
张文雅
史艳磊
邵会民
《半导体技术》
CAS
北大核心
2024年第7期597-608,共12页
作为第三代半导体的关键材料之一,Ⅲ族氮化物在过去几十年中因其应用于光电子和微电子器件而得到了广泛的研究,如发光二极管(LED)、激光二极管(LD)和高电子迁移率晶体管(HEMT)。Na助熔剂法已成为生长高质量GaN晶体的重要技术之一。综述...
作为第三代半导体的关键材料之一,Ⅲ族氮化物在过去几十年中因其应用于光电子和微电子器件而得到了广泛的研究,如发光二极管(LED)、激光二极管(LD)和高电子迁移率晶体管(HEMT)。Na助熔剂法已成为生长高质量GaN晶体的重要技术之一。综述和讨论了Na助熔剂法GaN结晶的发展历程与最新技术,包括Ga-N的结晶热力学性质、熔体结构、助熔剂选择、单点籽晶技术、多点籽晶技术、孔隙与位错控制、形貌演化与生长条件优化等。最后,对比其他体GaN技术,展望了Na助熔剂法的挑战与机遇。
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关键词
氮化镓
体单晶
位错
晶体生长
钠助熔剂法
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职称材料
GaAs FET脉冲功率放大器输出脉冲包络分析研究
被引量：
3
2
作者
顾占彪
王淼
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第6期474-478,共5页
基于GaAs场效应晶体管(FET)微波脉冲固态功率放大器的输出脉冲包络,对输出脉冲波形的顶部降落与顶部过冲开展研究。从脉冲调制电路、GaAs FET的饱和深度以及沟道温度三个方面对脉冲顶降进行了讨论,指出了可以通过选用合适的储能电容、使...
基于GaAs场效应晶体管(FET)微波脉冲固态功率放大器的输出脉冲包络,对输出脉冲波形的顶部降落与顶部过冲开展研究。从脉冲调制电路、GaAs FET的饱和深度以及沟道温度三个方面对脉冲顶降进行了讨论,指出了可以通过选用合适的储能电容、使GaAs FET工作在饱和状态、降低沟道温度来改善脉冲顶降。另外,从脉冲调制方式和寄生电感影响两方面分析了脉冲顶部过冲,给出了改善脉冲顶部过冲的措施,如减小电路中的寄生电感和选取合适的静态工作点。经实践验证,并通过脉冲顶降和顶部过冲在改善前后的数据对比,证明了上述措施是有效的。
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关键词
砷化镓
场效应晶体管(FET)
微波脉冲固态功率放大器
脉冲波形顶部降落
脉冲波形顶部过冲
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职称材料
题名
Ga-N熔体热力学性质及钠助熔剂法制备GaN单晶的研究进展
1
作者
刘甜甜
怀俊彦
王书杰
顾占彪
张文雅
史艳磊
邵会民
机构
江苏省生产力促进中心
中国电子科技集团公司第十四研究所
固态微波器件与电路全国重点实验室
中国电子科技集团公司第十三研究所
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2024年第7期597-608,共12页
文摘
作为第三代半导体的关键材料之一,Ⅲ族氮化物在过去几十年中因其应用于光电子和微电子器件而得到了广泛的研究,如发光二极管(LED)、激光二极管(LD)和高电子迁移率晶体管(HEMT)。Na助熔剂法已成为生长高质量GaN晶体的重要技术之一。综述和讨论了Na助熔剂法GaN结晶的发展历程与最新技术,包括Ga-N的结晶热力学性质、熔体结构、助熔剂选择、单点籽晶技术、多点籽晶技术、孔隙与位错控制、形貌演化与生长条件优化等。最后,对比其他体GaN技术,展望了Na助熔剂法的挑战与机遇。
关键词
氮化镓
体单晶
位错
晶体生长
钠助熔剂法
Keywords
gallium nitride
bulk single crystal
dislocation
crystal growth
Na flux method
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
GaAs FET脉冲功率放大器输出脉冲包络分析研究
被引量：
3
2
作者
顾占彪
王淼
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第6期474-478,共5页
文摘
基于GaAs场效应晶体管(FET)微波脉冲固态功率放大器的输出脉冲包络,对输出脉冲波形的顶部降落与顶部过冲开展研究。从脉冲调制电路、GaAs FET的饱和深度以及沟道温度三个方面对脉冲顶降进行了讨论,指出了可以通过选用合适的储能电容、使GaAs FET工作在饱和状态、降低沟道温度来改善脉冲顶降。另外,从脉冲调制方式和寄生电感影响两方面分析了脉冲顶部过冲,给出了改善脉冲顶部过冲的措施,如减小电路中的寄生电感和选取合适的静态工作点。经实践验证,并通过脉冲顶降和顶部过冲在改善前后的数据对比,证明了上述措施是有效的。
关键词
砷化镓
场效应晶体管(FET)
微波脉冲固态功率放大器
脉冲波形顶部降落
脉冲波形顶部过冲
Keywords
GaAs
field effect transistor（FET）
microwave pulse solid state power amplifier
pulse waveform drop
pulse waveform overshooting
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Ga-N熔体热力学性质及钠助熔剂法制备GaN单晶的研究进展
刘甜甜
怀俊彦
王书杰
顾占彪
张文雅
史艳磊
邵会民
《半导体技术》
CAS
北大核心
2024
0
在线阅读
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职称材料
2
GaAs FET脉冲功率放大器输出脉冲包络分析研究
顾占彪
王淼
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013
3
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职称材料
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