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Co-MgAl三元类水滑石的合成、微结构及吸附性能研究 被引量:5
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作者 仇满德 韩庆娇 +1 位作者 崔炎龙 李旭 《人工晶体学报》 CSCD 北大核心 2017年第8期1527-1533,共7页
采用水热法制备了Co-Mg Al三元类水滑石层状化合物(HTLcs),利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)比较研究了不同Co^(2+)比例条件下对合成产物物相、晶体微结构及晶体生长的影响,同时利用生长基元的配位体理论对其合成机理进行了初步探讨... 采用水热法制备了Co-Mg Al三元类水滑石层状化合物(HTLcs),利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)比较研究了不同Co^(2+)比例条件下对合成产物物相、晶体微结构及晶体生长的影响,同时利用生长基元的配位体理论对其合成机理进行了初步探讨。以甲基橙(MO)模拟染料废水为吸附对象,比较研究了三元类水滑石与二元水滑石焙烧产物的吸附性能和吸附机理。研究结果表明:钴离子同层板二价镁离子存在着交换作用,钴离子掺杂量的不同,没有影响水滑石固有的层板结构,但影响了构建钴镁铝三元类水滑石过程中各晶面的生长。Co∶Mg∶Al为1∶2∶1的HTLcs经过500℃焙烧后,焙烧产物(LDO)仍呈现片状结构。但径向尺寸和厚度同焙烧前相比略有减小,产物的均一性、规整性相比焙烧前变差,其对甲基橙模拟染料废水的吸附脱色性能随着时间的增加,呈缓慢增加的趋势,达到吸附平衡需要时间更长为70 min,脱色率仅为60%左右,明显低于二元镁铝水滑石焙烧产物(Mg AlLDO)(90%)。吸附动力学研究表明Co-Mg Al-LDO焙烧产物对甲基橙的吸附过程更符合准二级动力学方程,吸附等温线符合Freundlich模型,而二元Mg Al-LDO对甲基橙的吸附过程较符合准一级动力学方程,吸附等温线符合Langmuir模型。 展开更多
关键词 类水滑石 水热法 微结构 生长机理 吸附性能
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水热体系中不同前驱物对合成镁铝水滑石微结构的影响 被引量:3
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作者 仇满德 牛苗 +1 位作者 王亦丹 韩庆娇 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第5期1404-1408,共5页
以不同的镁源、铝源组合为前驱物,利用XRD、SEM及EDS比较研究了水热体系中不同的前驱物组合对合成镁铝水滑石(Mg-Al-LDHs)晶体微结构及晶体生长的影响,同时利用生长基元的配位体理论对其生长机理进行了初步探讨。研究结果表明:当固定体... 以不同的镁源、铝源组合为前驱物,利用XRD、SEM及EDS比较研究了水热体系中不同的前驱物组合对合成镁铝水滑石(Mg-Al-LDHs)晶体微结构及晶体生长的影响,同时利用生长基元的配位体理论对其生长机理进行了初步探讨。研究结果表明:当固定体系的p H=12,水热温度120℃、水热时间18 h的条件下,不同的前驱物组合均可以合成结晶度较好的镁铝水滑石晶体;但不同的镁源、铝源组合对产物的物相、分散性、结晶规整性、厚径比、纯度、大小及微结构有一定的影响。当镁源固定为Mg Cl2,铝源分别为Al_2O_3、Al(NO3)3、Al Cl3时,不溶性氧化铝合成的LDHs规整性、分散性及纯度较差,晶体发育不完整;当铝源分别为溶解度较好Al(NO3)3、Al Cl3时,合成产物LDHs晶体的结晶度、规整性、分散性及纯度较好,但由于溶解度和相连阴离子极性的不同,造成产物微结构的微小差异;当镁源固定为溶解度较大的Mg(NO3)2时,铝源分别为Al(NO3)3、Al Cl3时,同溶解度较小Mg Cl2相比,更有利于合成结晶度、规整度、尺寸更小的镁铝水滑石晶体。溶解度较大的镁源、铝源前驱物组合合成的镁铝水滑石有更高的结晶度和规整度。EDS分析证实,溶解度较差的Al_2O_3合成的镁铝水滑石纯度较差。溶解度较好的不同镁源、铝源前驱物组合合成的镁铝水滑石不含有任何其它阴离子杂质,平均镁铝比约为3,非常接近LDHs的理论值。 展开更多
关键词 不同前驱物 镁铝水滑石 晶体结构 水热法 生长机理
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锐钛型TiO_2纳米管阵列的制备及微结构调控 被引量:1
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作者 仇满德 韩庆娇 +2 位作者 崔炎龙 牛苗 杨盼 《河北大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2017年第4期378-385,共8页
采用阳极氧化法,系统考察了HF体系中氧化电压、氧化时间、质量分数、p H值和退火温度等对钛基表面二氧化钛纳米管阵列形成过程中物相和微观形貌的影响,探讨了制备规整性、均一性及微结构可控的二氧化钛纳米管阵列的主要和次要因素.研究... 采用阳极氧化法,系统考察了HF体系中氧化电压、氧化时间、质量分数、p H值和退火温度等对钛基表面二氧化钛纳米管阵列形成过程中物相和微观形貌的影响,探讨了制备规整性、均一性及微结构可控的二氧化钛纳米管阵列的主要和次要因素.研究结果表明:氧化电压、p H值是决定TiO_2纳米管阵列是否形成与规整性的决定因素.较小的p H值虽然有利于在较短的时间内制备TiO_2纳米管阵列,但容易导致基体表面TiO_2纳米管脱落,影响纳米管阵列的完整性和均一性.氧化电压在15~25 V,p H值为4~6内可以实现TiO_2纳米管阵列的微结构调控.氧化时间、电解液浓度主要影响TiO_2纳米管的管长、管径、管壁厚度,只要在合适的范围内可以通过微小的改变,实现微结构的调控.退火温度决定了TiO_2的晶相转变,不同的退火温度对TiO_2纳米管的管径、管壁、规整性、均一性影响较小,过快的升温和较高的温度不利于锐钛型TiO_2纳米管的形成,可以实现在较低温度下的晶相转化. 展开更多
关键词 阳极氧化法 二氧化钛纳米管 制备 微结构调控
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