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硒蒸气硒化法制备CIGS薄膜的影响因子(Ⅰ) 氩气流量对CIGS薄膜结构和形貌的影响
被引量：
5
1
作者
韩东麟
张弓
+2 位作者
庄大明
元金石
宋军
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第4期426-429,共4页
采用中频交流磁控溅射方法,在Mo层上沉积了CuInGa(CIG)预制膜。以Ar为载气,采用固态硒化法制备获得了Cu_(In_(1-x)Ga_x)Se_2(CIGS)吸收层薄膜,考察了Ar流量对CIGS薄膜结构和形貌的影响。采用SEM和EDS观察和分析了薄膜的表面形貌和成份,...
采用中频交流磁控溅射方法,在Mo层上沉积了CuInGa(CIG)预制膜。以Ar为载气,采用固态硒化法制备获得了Cu_(In_(1-x)Ga_x)Se_2(CIGS)吸收层薄膜,考察了Ar流量对CIGS薄膜结构和形貌的影响。采用SEM和EDS观察和分析了薄膜的表面形貌和成份,采用XRD表征了薄膜的组织结构。结果表明,在不同Ar流量下制备的CIGS薄膜均具有单一的黄铜矿相结构,薄膜具有(112)面的择优取向。随着Ar流量的增大,CIGS薄膜晶粒直径增大。当Ar流量为0.20 m^3/h时,薄膜的孔隙最少。当Ar流量达到0.40 m^3/h时,薄膜晶粒出现明显的柱状生长。当Ar流量为0.10、0.20和0.30 m^3/h时,所制得的CIGS薄膜的Cu、In、Ga原子含量比,处于弱p型的理想范围。
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关键词
太阳电池
CIGS
磁控溅射
薄膜
硒化
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职称材料
硒蒸气硒化法制备CIGS薄膜的影响因子(Ⅱ) 预制膜对CIGS薄膜结构和形貌的影响
2
作者
韩东麟
张弓
+2 位作者
庄大明
元金石
李春雷
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第5期607-610,共4页
采用中频交流磁控溅射方法,在Mo层上沉积了多层和双层CuInGa(CIG)预制膜,采用固态硒化法制备获得了Cu(In_(1-x)Ga_x)Se_2(CIGS)吸收层薄膜,考察了预制膜对CIGS薄膜结构和形貌的影响。采用SEM和EDS观察和分析了薄膜的表面形貌和成分,采用...
采用中频交流磁控溅射方法,在Mo层上沉积了多层和双层CuInGa(CIG)预制膜,采用固态硒化法制备获得了Cu(In_(1-x)Ga_x)Se_2(CIGS)吸收层薄膜,考察了预制膜对CIGS薄膜结构和形貌的影响。采用SEM和EDS观察和分析了薄膜的表面形貌和成分,采用XRD表征了薄膜的组织结构。结果表明,CIG多层预制膜由Cu_(11)In_9、CuIn和In相组成,CIG双层预制膜由Cu_(11)In_9、CuIn、In和CuGa相组成。通过硒化CIG双层和多层预制膜,所获得的CIGS薄膜均为黄铜矿相结构,薄膜具有(112)面的择优取向。当硒化时间为17min时,通过硒化CIG双层预制膜所获得的CIGS薄膜出现了上层致密,下层疏松的结构,延长硒化时间为25min,CIGS薄膜变得致密。
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关键词
太阳电池
CIGS
磁控溅射
硒化
预制膜
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职称材料
题名
硒蒸气硒化法制备CIGS薄膜的影响因子(Ⅰ) 氩气流量对CIGS薄膜结构和形貌的影响
被引量：
5
1
作者
韩东麟
张弓
庄大明
元金石
宋军
机构
清华大学机械工程系
出处
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第4期426-429,共4页
基金
国家高技术研究发展计划(863)项目(No.2004AA513023)
文摘
采用中频交流磁控溅射方法,在Mo层上沉积了CuInGa(CIG)预制膜。以Ar为载气,采用固态硒化法制备获得了Cu_(In_(1-x)Ga_x)Se_2(CIGS)吸收层薄膜,考察了Ar流量对CIGS薄膜结构和形貌的影响。采用SEM和EDS观察和分析了薄膜的表面形貌和成份,采用XRD表征了薄膜的组织结构。结果表明,在不同Ar流量下制备的CIGS薄膜均具有单一的黄铜矿相结构,薄膜具有(112)面的择优取向。随着Ar流量的增大,CIGS薄膜晶粒直径增大。当Ar流量为0.20 m^3/h时,薄膜的孔隙最少。当Ar流量达到0.40 m^3/h时,薄膜晶粒出现明显的柱状生长。当Ar流量为0.10、0.20和0.30 m^3/h时,所制得的CIGS薄膜的Cu、In、Ga原子含量比,处于弱p型的理想范围。
关键词
太阳电池
CIGS
磁控溅射
薄膜
硒化
Keywords
solar cell
CIGS
magnetmn sputtering
film
selenization
分类号
TM615 [电气工程—电力系统及自动化]
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职称材料
题名
硒蒸气硒化法制备CIGS薄膜的影响因子(Ⅱ) 预制膜对CIGS薄膜结构和形貌的影响
2
作者
韩东麟
张弓
庄大明
元金石
李春雷
机构
清华大学机械工程系
出处
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第5期607-610,共4页
基金
国家高技术研究(863)发展计划(No.2004AA513023)
文摘
采用中频交流磁控溅射方法,在Mo层上沉积了多层和双层CuInGa(CIG)预制膜,采用固态硒化法制备获得了Cu(In_(1-x)Ga_x)Se_2(CIGS)吸收层薄膜,考察了预制膜对CIGS薄膜结构和形貌的影响。采用SEM和EDS观察和分析了薄膜的表面形貌和成分,采用XRD表征了薄膜的组织结构。结果表明,CIG多层预制膜由Cu_(11)In_9、CuIn和In相组成,CIG双层预制膜由Cu_(11)In_9、CuIn、In和CuGa相组成。通过硒化CIG双层和多层预制膜,所获得的CIGS薄膜均为黄铜矿相结构,薄膜具有(112)面的择优取向。当硒化时间为17min时,通过硒化CIG双层预制膜所获得的CIGS薄膜出现了上层致密,下层疏松的结构,延长硒化时间为25min,CIGS薄膜变得致密。
关键词
太阳电池
CIGS
磁控溅射
硒化
预制膜
Keywords
solar cell
CIGS
magnetron sputtering
selenization
precursor film
分类号
TM615 [电气工程—电力系统及自动化]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
硒蒸气硒化法制备CIGS薄膜的影响因子(Ⅰ) 氩气流量对CIGS薄膜结构和形貌的影响
韩东麟
张弓
庄大明
元金石
宋军
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
5
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职称材料
2
硒蒸气硒化法制备CIGS薄膜的影响因子(Ⅱ) 预制膜对CIGS薄膜结构和形貌的影响
韩东麟
张弓
庄大明
元金石
李春雷
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
0
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