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P型<100>硅外延埋层图形畸变与晶向偏离度的关系 被引量:2
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作者 鞠玉林 李养贤 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1994年第1期70-74,共5页
本文指出,在影响P型(100)硅处延埋层图形畸变的诸因素中,衬底晶向偏离度是决定性的。并进一步指出,P型(100)硅衬底主晶向朝最近(110)晶向偏离2~3°时可得到满意的埋层图形。该角度为最佳偏离度。这一实验结... 本文指出,在影响P型(100)硅处延埋层图形畸变的诸因素中,衬底晶向偏离度是决定性的。并进一步指出,P型(100)硅衬底主晶向朝最近(110)晶向偏离2~3°时可得到满意的埋层图形。该角度为最佳偏离度。这一实验结果对国内外现行的有关标准提出异议。本文从外延生长微观机制和生长动力学对产生外延埋层图形畸变的原因和实验结果进行了讨论。 展开更多
关键词 硅衬底 外延埋层 图形畸变 晶向
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NTDFZSi片低温退火电阻率回升现象
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作者 鞠玉林 梁秀红 《河北工业大学学报》 CAS 2000年第4期73-75,共3页
实验结果表明NTDFZSi片电阻率下降的幅度与硅片冷却速率有关.在由 1200℃冷却到室温的过程中,冷却速度越快,硅片电阻率下降的幅度越大.另外,样品的厚度也是一个重要因素.实验指出,当样品厚度在1200μm以上时,... 实验结果表明NTDFZSi片电阻率下降的幅度与硅片冷却速率有关.在由 1200℃冷却到室温的过程中,冷却速度越快,硅片电阻率下降的幅度越大.另外,样品的厚度也是一个重要因素.实验指出,当样品厚度在1200μm以上时,硅片电阻率变化很小.特别值得指出的是,那些经高温退火电阻率下降的硅片再经650—680℃低温退火,可使硅片的电阻率得到回复。 展开更多
关键词 高温扩散 电阻率下降 低温退火 硅片 NTDFZ
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中药复方熊胆解酒汁对小鼠酒精性肝胃损伤的影响 被引量:5
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作者 李杨 鞠玉林 +1 位作者 齐林 李佳佳 《安徽农业科学》 CAS 北大核心 2009年第2期608-610,共3页
[目的]研究中药复方熊胆解酒汁对小鼠醉酒及其肝胃损伤的影响。[方法]选用乙醇直接灌胃法建立小鼠致病模型,分别进行致醉、防醉、解酒,采用药理学方法、生物化学法对血清、肝和胃中ADH活性及血清中GPT活性进行测定。[结果]结果表明,小... [目的]研究中药复方熊胆解酒汁对小鼠醉酒及其肝胃损伤的影响。[方法]选用乙醇直接灌胃法建立小鼠致病模型,分别进行致醉、防醉、解酒,采用药理学方法、生物化学法对血清、肝和胃中ADH活性及血清中GPT活性进行测定。[结果]结果表明,小鼠最适致醉量为0.16 m l/10 g;中药复方熊胆解酒汁对醉酒能起到预防作用,且使醉酒小鼠翻正反射恢复的时间缩短,并能使血清ADH、GPT活性及肝、胃组织中ADH活性恢复正常。[结论]中药复方熊胆解酒汁有较好的解酒和预防醉酒作用,对小鼠的酒精性肝胃损伤亦有较好的防护作用。 展开更多
关键词 中药复方 熊胆汁 解酒 肝胃损伤
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复方雪莲烧伤膏用于肛肠疾病术后创面修复的临床观察 被引量:4
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作者 沈伟 鞠玉林 胡占岭 《中国实用医药》 2016年第17期176-177,共2页
目的探讨复方雪莲烧伤膏用于治疗肛肠外科疾病术后创面修复的疗效。方法 120例肛肠疾病患者,随机分成观察组和对照组,各60例。观察组采用复方雪莲烧伤膏换药治疗,对照组采用烧伤膏换药治疗。比较两组在创面愈合过程中,创面分泌物、创缘... 目的探讨复方雪莲烧伤膏用于治疗肛肠外科疾病术后创面修复的疗效。方法 120例肛肠疾病患者,随机分成观察组和对照组,各60例。观察组采用复方雪莲烧伤膏换药治疗,对照组采用烧伤膏换药治疗。比较两组在创面愈合过程中,创面分泌物、创缘水肿评分及切口愈合情况的差异。结果观察组创面分泌物、创缘水肿评分,切口愈合情况均优于对照组(P<0.05)。结论复方雪莲烧伤膏能有效促进肛肠疾病术后创面的修复,值得临床推广。 展开更多
关键词 复方雪莲烧伤膏 肛肠疾病 术后创面修复
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中子辐照对硅片表面氧化层错的抑制作用 被引量:1
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作者 李养贤 鞠玉林 刘彩池 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1995年第1期80-83,共4页
对硅片表面氧化层错形成机理进行了探讨。并通过中子辐照在直拉硅中引入缺陷,利用辐照缺陷和硅中氧的相互作用,强烈抑制硅片表面氧化层错的产生。
关键词 表面氧化层错 中子辐照 硅片 抑制
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中子辐照直拉硅中缺陷的电镜观察 被引量:1
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作者 李养贤 鞠玉林 《电子显微学报》 CAS CSCD 1994年第6期504-504,共1页
中子辐照直拉硅中缺陷的电镜观察李养贤,鞠玉林(河北工学院材料研究中心,天津300130)随着大规模、超大规模集成电路的发展,对半导体硅材料提出了更严格的要求。因为硅片内的缺陷会严重影响器件的电参数和成品率,也是导致器... 中子辐照直拉硅中缺陷的电镜观察李养贤,鞠玉林(河北工学院材料研究中心,天津300130)随着大规模、超大规模集成电路的发展,对半导体硅材料提出了更严格的要求。因为硅片内的缺陷会严重影响器件的电参数和成品率,也是导致器件失效的主要原因。制备完美晶体、消... 展开更多
关键词 半导体材料 晶体缺陷 电子显微镜
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砷化镓晶体缺陷显示的可靠性分析
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作者 梁秀红 姜卫红 鞠玉林 《河北工业大学学报》 CAS 1998年第4期39-42,共4页
为了提高砷化镓缺陷检测的可靠性,对熔融KOH腐蚀法、AB腐蚀法和超声AB腐蚀法三种腐蚀方法进行了可靠性对比实验研究.发现超声AB腐蚀法操作简便,适用范围广,显示缺陷的可靠性和充分性都很高.同时具有分辨能力强,获得缺陷... 为了提高砷化镓缺陷检测的可靠性,对熔融KOH腐蚀法、AB腐蚀法和超声AB腐蚀法三种腐蚀方法进行了可靠性对比实验研究.发现超声AB腐蚀法操作简便,适用范围广,显示缺陷的可靠性和充分性都很高.同时具有分辨能力强,获得缺陷信息量多等特点,是一种值得推广的GaAs晶体缺陷检测方法.作者提出了超声AB腐蚀检测GaAs晶体缺陷的检测工艺条件.并提供了部分有代表性的照片.可作有关部门在今后修订国家标准时参考. 展开更多
关键词 晶体缺陷 检测 可靠性 砷化镓晶体 半导体
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NTDCZSi中辐照缺陷的电镜观察
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作者 李养贤 鞠玉林 《电子显微学报》 CAS CSCD 1990年第3期191-191,共1页
利用硅中固有杂质与缺陷的相互作用来改善硅片质量以适应硅器件日趋严格的技术要求,逐步形成了目前的“缺陷工程”的内容,而将直拉硅(czsi)进行中子嬗变掺杂(NTD)不仅解决了掺杂的均匀性问题,且因大剂量中子辐照在czsi中引入大量的辐照... 利用硅中固有杂质与缺陷的相互作用来改善硅片质量以适应硅器件日趋严格的技术要求,逐步形成了目前的“缺陷工程”的内容,而将直拉硅(czsi)进行中子嬗变掺杂(NTD)不仅解决了掺杂的均匀性问题,且因大剂量中子辐照在czsi中引入大量的辐照缺陷并与czsi中氧等杂质的相互作用为缺陷工程增添了新的内容,最近的研究表明,中子辐照能强烈地抑制硅片表面缺陷,促进了硅中氧沉淀,并使czsi中氧沉淀定量控制,定域分布,定型转化。从而可改善器件质量,使器件成品率大大提高,因此对NTDCZSi中辐照缺陷的性质,结构及与硅中杂质的相互作用的研究,无疑对解释NTDCZSi中其它实验事实,对改善VLSI器件的材料性能都会具有十分重要的意义。 展开更多
关键词 NTDCZSI 中子辐照 缺陷 电镜 硅片
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