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GaNHEMT栅源与栅漏表面态与电流崩塌相关性探讨: 1; 作者靳翀卢盛辉 +4 位作者杜江锋罗谦周伟夏建新杨谟华《微纳电子技术》 CAS 2006年第6期270-272,283,共4页; 基于实验测试数据,综合分析了栅源、栅漏串联电阻增大后电流崩塌I-V曲线变化差异。研究表明:在脉冲测试条件下,RS增大,栅下沟道开启程度减弱,漏电流ID变小;RD增大,栅下沟道漏端等效漏电压减小,膝电压VKNEE变大。该实验结果可望通过RD与R... 展开更多; 关键词电流崩塌串联电阻氮化镓高电子迁移率晶体管表面态; 在线阅读下载PDF 职称材料

具有场板结构GaN HEMT电场分布解析模型被引量：1: 2; 作者杜江锋赵金霞 +4 位作者伍捷杨月寒武鹏靳翀陈卫《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期297-300,共4页; 基于具有场板结构GaN HEMT器件物理和基本器件方程,导出了器件加场板前后表面电场分布和峰值电场解析模型。当场板长度LFP与绝缘层厚度tox最优时,GaN HEMT栅极边缘电场峰值可降低至未加场板时的22%;若保持峰值电场恒定,则其漏端电压可... 展开更多; 关键词解析模型击穿电压电场分布场板 GAN; 在线阅读下载PDF 职称材料

AlGaN/GaN HEMT栅阶跃脉冲响应实验研究: 3; 作者卢盛辉杜江锋 +2 位作者靳翀周伟杨谟华《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期335-338,共4页; 通过对AlGaN/GaN HEMT漏极电流栅阶跃脉冲响应实验测试,发现栅脉冲相同时,HEMT开启时间在线性区随VDS增加而增加,而在饱和区随VDS增加而减小;在VDS一定时,器件开启时间随栅脉冲低电平的降低而增加。基于表面态电子释放过程与ID、VDS和... 展开更多; 关键词铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管电流崩塌表面态阶跃脉冲; 在线阅读下载PDF 职称材料

GaN基HEMT器件的表面陷阱充电效应研究: 4; 作者罗谦杜江锋 +5 位作者罗大为朱磊龙飞靳翀周伟杨谟华《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第11期856-858,867,共4页; 设计了一种实验方法用以研究AlGaN/GaN外延表面陷阱充电效应对于薄膜电阻的影响,该效应与GaN基HEMT电流崩塌现象直接相关。测量获得了AlGaN/GaN异质结结构薄膜电阻在周期栅脉冲信号下的变化规律。薄膜电阻在低频区域对脉冲频率十分敏感... 展开更多; 关键词氮化镓表面态电流崩塌; 在线阅读下载PDF 职称材料

表面态对GaN HEMT电流崩塌效应影响的研究: 5; 作者赵子奇杜江峰 +2 位作者罗谦靳翀杨谟华《微纳电子技术》 CAS 2006年第3期121-124,共4页; 针对GaN HEMT电流崩塌物理效应,测试了各种条件下器件I-V特性。发现在栅脉冲条件下器件最大漏输出电流减小了23.8%,且随着栅脉冲宽度减小或周期增大而下降,并且获得了其输出电流与脉冲宽度W和周期T的定量关系;在漏脉冲测试条件下,器件... 展开更多; 关键词 GAN高电子迁移率晶体管电流崩塌脉冲测试表面态; 在线阅读下载PDF 职称材料

AlGaN/GaN HEMT击穿特性与受主陷阱相关性研究被引量：1: 6; 作者严地罗谦 +4 位作者卢盛辉靳翀罗大为周伟杨谟华《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期226-229,共4页; 通过计算沟道电场的分布,研究了受主陷阱对AlGaN/GaN HEMT器件击穿特性的影响。研究发现,有受主陷阱的条件下,漏端出现电场峰值,栅端电场峰值被大幅度削减。当Vg=0 V,Vd=60 V,受主陷阱浓度NA=1×1017cm-3时,栅端电场峰值与不加受主... 展开更多; 关键词铝镓氮氮化镓高电子迁移率晶体管电场受主陷阱; 在线阅读下载PDF 职称材料

栅脉冲下AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应研究被引量：1: 7; 作者龙飞杜江锋 +2 位作者罗谦靳翀杨谟华《电子器件》 CAS 2007年第1期26-28,共3页; 源于AlGaN/GaNHEMT器件的大量测试分析发现,栅脉冲条件下漏极电流比直流情况下减小了47%;随着信号频率的改变,漏极电流按μnCoxW[α+(0.13+0.64f)VGS+(0.13+0.32f)VGS2](VGS-Vth)2/L的规律变化;脉冲信号宽度对漏电流崩塌影响较小.基于... 展开更多; 关键词电流崩塌效应 ALGAN/GAN HEMT 栅脉冲表面态; 在线阅读下载PDF 职称材料

栅脉冲条件下GaN MESFET电子温度分布仿真: 8; 作者罗大为卢盛辉 +3 位作者罗谦杜江锋靳翀严地《微纳电子技术》 CAS 2007年第2期66-69,87,共5页; 利用数值模拟仿真对GaNMESFET在栅脉冲条件下的电子温度分布进行了研究。结果表明,在器件的栅下靠近漏端一侧的沟道处电子温度最高,当栅脉冲电压为-18V时可达6223K,并且电子温度从最高点向四周逐渐降低最后与晶格温度(300K)达到一致。... 展开更多; 关键词 GaN金属半导体场效应晶体管电子温度仿真; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaNHEMT栅源与栅漏表面态与电流崩塌相关性探讨: 1; 作者靳翀卢盛辉杜江锋罗谦周伟夏建新杨谟华; 机构电子科技大学微电子与固体电子学院; 出处《微纳电子技术》 CAS 2006年第6期270-272,283,共4页; 基金国家自然科学基金(60072004); 文摘基于实验测试数据,综合分析了栅源、栅漏串联电阻增大后电流崩塌I-V曲线变化差异。研究表明:在脉冲测试条件下,RS增大,栅下沟道开启程度减弱,漏电流ID变小;RD增大,栅下沟道漏端等效漏电压减小,膝电压VKNEE变大。该实验结果可望通过RD与RS表征研究导致GaNHEMT电流崩塌的表面态变化。; 关键词电流崩塌串联电阻氮化镓高电子迁移率晶体管表面态; Keywords current collapse series resistance GaN HEMT surface state; 分类号 TN325.3 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名具有场板结构GaN HEMT电场分布解析模型被引量：1: 2; 作者杜江锋赵金霞伍捷杨月寒武鹏靳翀陈卫; 机构电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 出处《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期297-300,共4页; 基金国家自然科学基金(6140449); 文摘基于具有场板结构GaN HEMT器件物理和基本器件方程,导出了器件加场板前后表面电场分布和峰值电场解析模型。当场板长度LFP与绝缘层厚度tox最优时,GaN HEMT栅极边缘电场峰值可降低至未加场板时的22%;若保持峰值电场恒定,则其漏端电压可由没有场板时的50V提高到加场板后的225V,增幅高出4倍。该解析模型所导出的电场分布与国外新近发表的源于器件方程和经验公式的模拟和实验结果基本吻合,为GaN HEMT器件场板设计提供了理论依据。; 关键词解析模型击穿电压电场分布场板 GAN; Keywords analytic model breakdown voltage electric field distribution field plate GaN; 分类号 N304.23 [自然科学总论]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名AlGaN/GaN HEMT栅阶跃脉冲响应实验研究: 3; 作者卢盛辉杜江锋靳翀周伟杨谟华; 机构电子科技大学微电子与固体电子学院; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期335-338,共4页; 基金国家自然科学基金(60576007)资助; 文摘通过对AlGaN/GaN HEMT漏极电流栅阶跃脉冲响应实验测试,发现栅脉冲相同时,HEMT开启时间在线性区随VDS增加而增加,而在饱和区随VDS增加而减小;在VDS一定时,器件开启时间随栅脉冲低电平的降低而增加。基于表面态电子释放过程与ID、VDS和阶跃脉冲之间关系的分析,提出了用快电子与慢电子释放两种过程来解释表面态电子弛豫,并建立漏极电流响应过程拟合算式。拟合得到与快、慢电子释放相关的时间常数分别为τ1=0.23s、τ2=1.38s,且拟合曲线与实验结果的最大误差不超过测试值的3%。该研究结果有助于电流崩塌机理的进一步探索。; 关键词铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管电流崩塌表面态阶跃脉冲; Keywords AlGaN/GaN HEMT current collapse surface state step pulse; 分类号 TN304.22 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaN基HEMT器件的表面陷阱充电效应研究: 4; 作者罗谦杜江锋罗大为朱磊龙飞靳翀周伟杨谟华; 机构电子科技大学微电子学与固体电子学学院; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第11期856-858,867,共4页; 基金国家自然科学基金(60076007); 文摘设计了一种实验方法用以研究AlGaN/GaN外延表面陷阱充电效应对于薄膜电阻的影响,该效应与GaN基HEMT电流崩塌现象直接相关。测量获得了AlGaN/GaN异质结结构薄膜电阻在周期栅脉冲信号下的变化规律。薄膜电阻在低频区域对脉冲频率十分敏感,而在高频时出现饱和。当信号频率足够高时(≥4kHz),AlGaN/GaN薄膜将呈现高阻,器件关断,说明二维电子气已被表面陷阱电荷耗尽。该实验为研究表面陷阱与电流崩塌效应的关系提供了新的证据。; 关键词氮化镓表面态电流崩塌; Keywords GaN surface state current collapse; 分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名表面态对GaN HEMT电流崩塌效应影响的研究: 5; 作者赵子奇杜江峰罗谦靳翀杨谟华; 机构电子科技大学微电子与固体电子学院; 出处《微纳电子技术》 CAS 2006年第3期121-124,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目(60072004); 文摘针对GaN HEMT电流崩塌物理效应,测试了各种条件下器件I-V特性。发现在栅脉冲条件下器件最大漏输出电流减小了23.8%,且随着栅脉冲宽度减小或周期增大而下降,并且获得了其输出电流与脉冲宽度W和周期T的定量关系;在漏脉冲测试条件下,器件输出电流有所增大,并随着脉冲宽度减小而缓慢增大。实验结果,可用器件栅漏之间表面态充放电的原理来解释所观察到的测试现象和电流崩塌物理。; 关键词 GAN高电子迁移率晶体管电流崩塌脉冲测试表面态; Keywords GaN HEMT current collapse pulse measurement surface states; 分类号 TN304 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名AlGaN/GaN HEMT击穿特性与受主陷阱相关性研究被引量：1: 6; 作者严地罗谦卢盛辉靳翀罗大为周伟杨谟华; 机构电子科技大学微电子学与固体电子学学院; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期226-229,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目(60576007); 文摘通过计算沟道电场的分布,研究了受主陷阱对AlGaN/GaN HEMT器件击穿特性的影响。研究发现,有受主陷阱的条件下,漏端出现电场峰值,栅端电场峰值被大幅度削减。当Vg=0 V,Vd=60 V,受主陷阱浓度NA=1×1017cm-3时,栅端电场峰值与不加受主陷阱时相比可下降到56%。受陷阱电荷影响,当击穿电压大于某个电压时,漏端电场峰值超过栅端电场峰值,此时,击穿发生在漏端。该仿真结果修正了HEMT击穿总发生在栅端边缘处的传统看法。; 关键词铝镓氮氮化镓高电子迁移率晶体管电场受主陷阱; Keywords AlGaN GaN HEMT electrical field acceptor trap; 分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学] TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名栅脉冲下AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应研究被引量：1: 7; 作者龙飞杜江锋罗谦靳翀杨谟华; 机构电子科技大学微电子与固体电子学院; 出处《电子器件》 CAS 2007年第1期26-28,共3页; 基金国家自然科学基金资助项目(60072004); 文摘源于AlGaN/GaNHEMT器件的大量测试分析发现,栅脉冲条件下漏极电流比直流情况下减小了47%;随着信号频率的改变,漏极电流按μnCoxW[α+(0.13+0.64f)VGS+(0.13+0.32f)VGS2](VGS-Vth)2/L的规律变化;脉冲信号宽度对漏电流崩塌影响较小.基于实验结果的理论分析认为,电子从栅极注入到栅漏之间并被表面态所俘获,在沟道中形成增加的耗尽层,使得沟道二维电子气浓度减小,从而导致形成电流崩塌效应的主要原因之一.该结论有助于AlGaNHEMT器件脉冲条件下电流崩塌效应理论解释和器件应用.; 关键词电流崩塌效应 ALGAN/GAN HEMT 栅脉冲表面态; Keywords current collapse AlGaN/GaN HEMT gate pulsed surface state; 分类号 TN325.3 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名栅脉冲条件下GaN MESFET电子温度分布仿真: 8; 作者罗大为卢盛辉罗谦杜江锋靳翀严地; 机构中国电子科技大学微电子与固体电子学院; 出处《微纳电子技术》 CAS 2007年第2期66-69,87,共5页; 文摘利用数值模拟仿真对GaNMESFET在栅脉冲条件下的电子温度分布进行了研究。结果表明,在器件的栅下靠近漏端一侧的沟道处电子温度最高,当栅脉冲电压为-18V时可达6223K,并且电子温度从最高点向四周逐渐降低最后与晶格温度(300K)达到一致。同时还发现,电子温度与电场方向和电子电流方向密切相关,电子温度的最高点并不在电场的极大值处,而是在电场方向与电子电流方向一致之处。; 关键词 GaN金属半导体场效应晶体管电子温度仿真; Keywords GaN MESFET electron temperature simulation; 分类号 TN304 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	GaNHEMT栅源与栅漏表面态与电流崩塌相关性探讨	靳翀卢盛辉杜江锋罗谦周伟夏建新杨谟华	《微纳电子技术》 CAS	2006	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	具有场板结构GaN HEMT电场分布解析模型	杜江锋赵金霞伍捷杨月寒武鹏靳翀陈卫	《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2008	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	AlGaN/GaN HEMT栅阶跃脉冲响应实验研究	卢盛辉杜江锋靳翀周伟杨谟华	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2007	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	GaN基HEMT器件的表面陷阱充电效应研究	罗谦杜江锋罗大为朱磊龙飞靳翀周伟杨谟华	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2006	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	表面态对GaN HEMT电流崩塌效应影响的研究	赵子奇杜江峰罗谦靳翀杨谟华	《微纳电子技术》 CAS	2006	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	AlGaN/GaN HEMT击穿特性与受主陷阱相关性研究	严地罗谦卢盛辉靳翀罗大为周伟杨谟华	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2007	1	在线阅读下载PDF 职称材料
7	栅脉冲下AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应研究	龙飞杜江锋罗谦靳翀杨谟华	《电子器件》 CAS	2007	1	在线阅读下载PDF 职称材料
8	栅脉冲条件下GaN MESFET电子温度分布仿真	罗大为卢盛辉罗谦杜江锋靳翀严地	《微纳电子技术》 CAS	2007	0	在线阅读下载PDF 职称材料