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单根In掺杂的n-ZnO纳米线/p^＋-Si异质结的紫外电致发光
被引量：
1
1
作者
霍海滨
杨卫全
+2 位作者
戴伦
马仁敏
秦国刚
《北京大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第3期339-342,共4页
采用化学气相沉积的方法在In0.1Ga0.9N衬底上生长出In掺杂的n-ZnO纳米线阵列。电学输运测量得到单根n-ZnO纳米线的电阻率为0.001Ωcm,比同样方法在GaN衬底上生长的ZnO纳米线低约20倍。这个结果表明来自于In0.1Ga0.9N衬底中的In原子在高...
采用化学气相沉积的方法在In0.1Ga0.9N衬底上生长出In掺杂的n-ZnO纳米线阵列。电学输运测量得到单根n-ZnO纳米线的电阻率为0.001Ωcm,比同样方法在GaN衬底上生长的ZnO纳米线低约20倍。这个结果表明来自于In0.1Ga0.9N衬底中的In原子在高温生长过程中可能被掺入ZnO纳米线。制备成功单根n-ZnO纳米线/p+-Si异质结构并研究了其电致发光特性。室温下电致发光光谱中可以看到一个窄的ZnO激子峰(约380nm)和一个中心位于700nm的来自Si衬底表面自然氧化硅发光中心的发光峰。
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关键词
电致发光
氧化锌纳米线
硅
异质结
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职称材料
题名
单根In掺杂的n-ZnO纳米线/p^＋-Si异质结的紫外电致发光
被引量：
1
1
作者
霍海滨
杨卫全
戴伦
马仁敏
秦国刚
机构
北京大学物理学院
出处
《北京大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第3期339-342,共4页
基金
国家重点基础研究发展计划(2006CB921607)
国家自然科学基金(60576037,10574008,60476023)资助项目
文摘
采用化学气相沉积的方法在In0.1Ga0.9N衬底上生长出In掺杂的n-ZnO纳米线阵列。电学输运测量得到单根n-ZnO纳米线的电阻率为0.001Ωcm,比同样方法在GaN衬底上生长的ZnO纳米线低约20倍。这个结果表明来自于In0.1Ga0.9N衬底中的In原子在高温生长过程中可能被掺入ZnO纳米线。制备成功单根n-ZnO纳米线/p+-Si异质结构并研究了其电致发光特性。室温下电致发光光谱中可以看到一个窄的ZnO激子峰(约380nm)和一个中心位于700nm的来自Si衬底表面自然氧化硅发光中心的发光峰。
关键词
电致发光
氧化锌纳米线
硅
异质结
Keywords
electroluminescence
ZnO single nanowire
silicon
heterostructure
分类号
O472.3 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
单根In掺杂的n-ZnO纳米线/p^＋-Si异质结的紫外电致发光
霍海滨
杨卫全
戴伦
马仁敏
秦国刚
《北京大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
1
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