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双极大功率晶体管背面工艺优化被引量：1: 1; 作者霍彩红潘宏菽 +1 位作者刘相伍程春红《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第8期605-608,632,共5页; 针对双极大功率晶体管批量生产时,存在的晶体管基极-集电极(BC)之间正向压降偏大且一致性较差的现象,对影响功率晶体管BC正向压降的因素进行了分析,并进行了相应的工艺实验,优化了工艺条件。实验结果表明,影响功率晶体管BC结正向压降的... 展开更多; 关键词双极大功率晶体管背面减薄工艺背面金属化前清洗工艺 BC正向压降非均匀性; 在线阅读下载PDF 职称材料

微分脉冲极谱测定痕量铊的研究被引量：4: 2; 作者何为范中晓霍彩红《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期309-311,315,共4页; 在pH值为5～10的范围内,铊(I)与4-吗啉二硫代羧酸钾生成不溶于水的螯合物并定量的吸附在微晶萘的表面上。用15 ml的1.5 mol/L的HCl使该不溶性螯合物脱附溶解后,在滴汞电极(DME)上用微分脉冲极谱(DPP)法测定痕量的铊(I)取得了很好的效果... 展开更多; 关键词铊微分脉冲极谱滴汞电极 4-吗啉二硫代羧酸钾; 在线阅读下载PDF 职称材料

RF偏置功率对磁控溅射AlN薄膜性能的影响被引量：3: 3; 作者李明月霍彩红韩东《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2015年第4期261-265,共5页; 采用射频（RF）反应磁控溅射法,以氩气和氮气为反应气体,在不同的RF偏置功率下,在Si（100）和Si（111）衬底上制备了具有六方纤锌矿结构的AlN薄膜。使用扫描电子显微镜（SEM）表征了薄膜的截面形貌和厚度;利用原子力显微镜（AFM）和X射... 展开更多; 关键词氮化铝薄膜反应磁控溅射择优取向射频(RF)偏置功率表面形貌; 在线阅读下载PDF 职称材料

FBAR用高质量AlN薄膜制备: 4; 作者韩东霍彩红邓建国《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第8期627-629,共3页; 采用直流磁控反应溅射法,在基片表面引入RF偏置,在Si(111)衬底上成功制备了(002)向AlN薄膜。使用高分辨率X射线衍射仪(XRD)来表征薄膜质量。当RF偏置从0 W变化到20 W时,XRD测试(002)摇摆曲线的半高宽有着显著的变化。当RF偏置为15 W时,... 展开更多; 关键词氮化铝薄膜磁控反应溅射 RF偏置薄膜体声波谐振器 (002)向; 在线阅读下载PDF 职称材料

改善金属电极表面状态的工艺研究: 5; 作者霍彩红刘相伍《电子工艺技术》 2014年第3期173-174,186,共3页; 主要讨论了半导体芯片的电镀工艺、金属刻蚀工艺对金属电极表面状态的影响。试验发现,电镀工艺中的电流密度、pH值和刻蚀工艺中的刻蚀方法对金属电极的表面状态有很大影响。通过优化此两个工艺,得到以下结论:当采用小电流密度、高pH值... 展开更多; 关键词电镀 PH 电流密度表面状态刻蚀; 在线阅读下载PDF 职称材料

采用俄歇电子能谱技术分析铂化硅的合金行为被引量：1: 6; 作者赵丽华李锦标 +1 位作者霍彩红周明辉《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第5期73-76,共4页; 采用俄歇能谱技术分析了铂层厚度,合金温度及表面染色对铂化硅形成的影响,并分析了王水对铂化硅的作用,给出了分析结果。; 关键词合金行为铂化硅俄歇电子能谱铂层厚度表面染色合金温度王水; 在线阅读下载PDF 职称材料

Ti,W,Mo,TiW膜的阻挡性能比较被引量：1: 7; 作者赵丽华霍彩红 +2 位作者周晓黎李锦标周名辉《半导体情报》 1998年第6期35-37,44,共4页; 介绍了Ｔｉ－Ａｕ，Ｔｉ－Ｗ－Ｐｔ－Ａｕ，Ｍｏ－Ａｕ，ＴｉＷ－Ａｕ，ＴｉＷ－Ｐｔ－Ａｕ等多种金属膜分别在４００，４２５，４５０，４７５和５００℃，３０分钟等时退火后的显微镜观察结果和典型样品的俄歇能谱分析结果。结果表明... 展开更多; 关键词金属膜阻挡性能半导体器件可靠性金属化; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名双极大功率晶体管背面工艺优化被引量：1: 1; 作者霍彩红潘宏菽刘相伍程春红; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第8期605-608,632,共5页; 文摘针对双极大功率晶体管批量生产时,存在的晶体管基极-集电极(BC)之间正向压降偏大且一致性较差的现象,对影响功率晶体管BC正向压降的因素进行了分析,并进行了相应的工艺实验,优化了工艺条件。实验结果表明,影响功率晶体管BC结正向压降的是背面减薄工艺和背面金属化工艺前的清洗工艺,芯片背表面的状态是影响器件BC正向压降的主要因素,优化后功率晶体管的BC正向压降优于指标要求,提高了批次间芯片参数的一致性,确保了双极大功率晶体管的工作稳定性。; 关键词双极大功率晶体管背面减薄工艺背面金属化前清洗工艺 BC正向压降非均匀性; Keywords bipolar power transistor back thinning process cleaning process before the backmetallization BC forward voltage drop non uniformity; 分类号 TN305.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名微分脉冲极谱测定痕量铊的研究被引量：4: 2; 作者何为范中晓霍彩红; 机构电子科技大学微电子与固体电子学院; 出处《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期309-311,315,共4页; 文摘在pH值为5～10的范围内,铊(I)与4-吗啉二硫代羧酸钾生成不溶于水的螯合物并定量的吸附在微晶萘的表面上。用15 ml的1.5 mol/L的HCl使该不溶性螯合物脱附溶解后,在滴汞电极(DME)上用微分脉冲极谱(DPP)法测定痕量的铊(I)取得了很好的效果。该分析方法的检测限达到0.025 mg/ml,所测定的铊(I)浓度的线性范围达到0.05～10 mg/ml,标准曲线的相关系数g = 0. 999 5,相对标准偏差为 0.90。; 关键词铊微分脉冲极谱滴汞电极 4-吗啉二硫代羧酸钾; Keywords thallium differential pulse polarography dropping mercury electrode morpholine-4-carbodithioate; 分类号 O657.14 [理学—分析化学] O649.4 [理学—物理化学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名RF偏置功率对磁控溅射AlN薄膜性能的影响被引量：3: 3; 作者李明月霍彩红韩东; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所; 出处《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2015年第4期261-265,共5页; 文摘采用射频（RF）反应磁控溅射法,以氩气和氮气为反应气体,在不同的RF偏置功率下,在Si（100）和Si（111）衬底上制备了具有六方纤锌矿结构的AlN薄膜。使用扫描电子显微镜（SEM）表征了薄膜的截面形貌和厚度;利用原子力显微镜（AFM）和X射线衍射仪（XRD）研究了RF偏置功率对Si（111）和Si（100）衬底上沉积的AlN薄膜微观结构和表面粗糙度的影响。结果表明,在RF偏置功率为5~15 W时,两种衬底均可生长（002）择优取向AlN薄膜。RF偏置功率为20 W时,AlN薄膜（002）择优取向变弱,薄膜质量变差。当RF偏置功率为10 W时,Si（111）和Si（100）两种衬底沉积的AlN薄膜的半高宽（FWHM）值和表面均方根粗糙度均最小,其表面均方根粗糙度的最小值分别为2.427和2.836 nm。; 关键词氮化铝薄膜反应磁控溅射择优取向射频(RF)偏置功率表面形貌; Keywords AlN film reactive magnetron sputtering preferred orientation radio frequency（RF） bias power surface topography; 分类号 TN305.92 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名FBAR用高质量AlN薄膜制备: 4; 作者韩东霍彩红邓建国; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第8期627-629,共3页; 文摘采用直流磁控反应溅射法,在基片表面引入RF偏置,在Si(111)衬底上成功制备了(002)向AlN薄膜。使用高分辨率X射线衍射仪(XRD)来表征薄膜质量。当RF偏置从0 W变化到20 W时,XRD测试(002)摇摆曲线的半高宽有着显著的变化。当RF偏置为15 W时,AlN薄膜表现出了良好的(002)生长取向。实验结果表明,适当的RF偏置能够提高Al原子和N原子反应时的活性,促进AlN薄膜的(002)择优生长。该溅射方案应用于薄膜体声波谐振器(FBAR)谐振器工艺加工,成功制作了Q值为300,机电耦合系数为5%的FBAR样品。; 关键词氮化铝薄膜磁控反应溅射 RF偏置薄膜体声波谐振器 (002)向; Keywords AlN thin film magnetron reactive sputtering RF bias film bulk aloustic wave resonators（FBAR）（002）oriented; 分类号 O484.1 [理学—固体物理] TN304.23 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名改善金属电极表面状态的工艺研究: 5; 作者霍彩红刘相伍; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所; 出处《电子工艺技术》 2014年第3期173-174,186,共3页; 文摘主要讨论了半导体芯片的电镀工艺、金属刻蚀工艺对金属电极表面状态的影响。试验发现,电镀工艺中的电流密度、pH值和刻蚀工艺中的刻蚀方法对金属电极的表面状态有很大影响。通过优化此两个工艺,得到以下结论:当采用小电流密度、高pH值、干法刻蚀加湿法腐蚀的刻蚀方法时,能改善以金为主体的金属电极表面状况,电镀后得到粗细均匀的镀金层,刻蚀后表面没有残留物,大大提高了半导体芯片的镜检成品率。; 关键词电镀 PH 电流密度表面状态刻蚀; Keywords Plating pH Current density Surface state Etching; 分类号 TN305 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名采用俄歇电子能谱技术分析铂化硅的合金行为被引量：1: 6; 作者赵丽华李锦标霍彩红周明辉; 机构信息产业部电子十三所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第5期73-76,共4页; 文摘采用俄歇能谱技术分析了铂层厚度,合金温度及表面染色对铂化硅形成的影响,并分析了王水对铂化硅的作用,给出了分析结果。; 关键词合金行为铂化硅俄歇电子能谱铂层厚度表面染色合金温度王水; Keywords platinum silicide AES analysis; 分类号 TG146.33 [金属学及工艺—金属材料] O657.39 [理学—分析化学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Ti,W,Mo,TiW膜的阻挡性能比较被引量：1: 7; 作者赵丽华霍彩红周晓黎李锦标周名辉; 机构电子工业部第十三研究所; 出处《半导体情报》 1998年第6期35-37,44,共4页; 文摘介绍了Ｔｉ－Ａｕ，Ｔｉ－Ｗ－Ｐｔ－Ａｕ，Ｍｏ－Ａｕ，ＴｉＷ－Ａｕ，ＴｉＷ－Ｐｔ－Ａｕ等多种金属膜分别在４００，４２５，４５０，４７５和５００℃，３０分钟等时退火后的显微镜观察结果和典型样品的俄歇能谱分析结果。结果表明，Ｔｉ由于在Ａｕ中扩散太快，阻挡性能较差，而Ｗ，Ｍｏ，ＴｉＷ都有较好的阻挡性能。结合实际应用，ＴｉＷ－Ｐｔ－Ａｕ应是硅微波功率管的金属化的较佳选择。; 关键词金属膜阻挡性能半导体器件可靠性金属化; Keywords Metal film Diffusion barrier property; 分类号 TN306 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	双极大功率晶体管背面工艺优化	霍彩红潘宏菽刘相伍程春红	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2014	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	微分脉冲极谱测定痕量铊的研究	何为范中晓霍彩红	《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2004	4	在线阅读下载PDF 职称材料
3	RF偏置功率对磁控溅射AlN薄膜性能的影响	李明月霍彩红韩东	《微纳电子技术》 CAS 北大核心	2015	3	在线阅读下载PDF 职称材料
4	FBAR用高质量AlN薄膜制备	韩东霍彩红邓建国	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2012	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	改善金属电极表面状态的工艺研究	霍彩红刘相伍	《电子工艺技术》	2014	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	采用俄歇电子能谱技术分析铂化硅的合金行为	赵丽华李锦标霍彩红周明辉	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2002	1	在线阅读下载PDF 职称材料
7	Ti,W,Mo,TiW膜的阻挡性能比较	赵丽华霍彩红周晓黎李锦标周名辉	《半导体情报》	1998	1	在线阅读下载PDF 职称材料