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超灵敏胍修饰Co(Ⅱ)-BSA络合吸附波测定痕量钴
1
作者
黄金香
雷建芳
+2 位作者
雷双双
田军
罗登柏
《化学与生物工程》
CAS
2008年第5期69-72,共4页
在0.1 mol.L^-1的NaOH介质中,胍修饰的Co（Ⅱ）-BSA于-1.70 V左右（vs.SCE）产生一个超灵敏的络合吸附波,该波一阶导数波高与Co（Ⅱ）浓度在6.8×10^-10-1.7×10^-7mol.L^-1范围内呈良好的线性关系,相关系数R=0.997,检测限可达3...
在0.1 mol.L^-1的NaOH介质中,胍修饰的Co（Ⅱ）-BSA于-1.70 V左右（vs.SCE）产生一个超灵敏的络合吸附波,该波一阶导数波高与Co（Ⅱ）浓度在6.8×10^-10-1.7×10^-7mol.L^-1范围内呈良好的线性关系,相关系数R=0.997,检测限可达3.0×10^-10mol.L^-1。该法具有操作简单、重现性好、灵敏度高、精密度高等特点。用于测定矿泉水和VB12药片中Co（Ⅱ）的含量,结果令人满意。
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关键词
Co(Ⅱ)
BSA
络合吸附波
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职称材料
不同络合剂与pH值对钴CMP去除速率的影响
被引量：
5
2
作者
杨云点
王胜利
+3 位作者
王辰伟
程远深
雷双双
李森
《半导体技术》
CAS
北大核心
2020年第7期543-549,共7页
研究不同络合剂(如甘氨酸(Gly)、柠檬酸(CA)、酒石酸(TA))在不同pH值的抛光液中对钴(Co)化学机械抛光(CMP)去除速率的影响。研究结果表明,采用不同络合剂时,随着pH值的升高,Co的去除速率均逐渐降低。当采用甘氨酸作为络合剂时,Co的去除...
研究不同络合剂(如甘氨酸(Gly)、柠檬酸(CA)、酒石酸(TA))在不同pH值的抛光液中对钴(Co)化学机械抛光(CMP)去除速率的影响。研究结果表明,采用不同络合剂时,随着pH值的升高,Co的去除速率均逐渐降低。当采用甘氨酸作为络合剂时,Co的去除速率优于柠檬酸和酒石酸,当pH值为8时,Co的去除速率可达628 nm/min,粗糙度为1.08 nm,随着pH值由8升高到10,Co的去除速率降低到169.9 nm/min。电化学实验表明,采用不同络合剂时,随着pH值升高,开路电位逐渐变大,电荷传递电阻逐渐增大,这是由于Co表面的氧化物如四氧化三钴、氢氧化高钴增多,钝化膜逐渐加厚且更为致密,络合剂的络合作用减弱。同时,在pH值为8时,采用甘氨酸作为络合剂时,Co的开路电位为负值(-0.428 V),电荷传递电阻为0.943 9Ω,表明Co表面氧化膜薄且致密性差,更容易被腐蚀去除。
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关键词
钴(Co)
络合剂
化学机械抛光(CMP)
去除速率
PH值
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职称材料
题名
超灵敏胍修饰Co(Ⅱ)-BSA络合吸附波测定痕量钴
1
作者
黄金香
雷建芳
雷双双
田军
罗登柏
机构
中南民族大学化学与材料科学学院
出处
《化学与生物工程》
CAS
2008年第5期69-72,共4页
基金
湖北省自然科学基金资助项目(2005ABA001)
中南民族大学自然科学基金重点资助项目(YZY06011)
文摘
在0.1 mol.L^-1的NaOH介质中,胍修饰的Co（Ⅱ）-BSA于-1.70 V左右（vs.SCE）产生一个超灵敏的络合吸附波,该波一阶导数波高与Co（Ⅱ）浓度在6.8×10^-10-1.7×10^-7mol.L^-1范围内呈良好的线性关系,相关系数R=0.997,检测限可达3.0×10^-10mol.L^-1。该法具有操作简单、重现性好、灵敏度高、精密度高等特点。用于测定矿泉水和VB12药片中Co（Ⅱ）的含量,结果令人满意。
关键词
Co(Ⅱ)
BSA
络合吸附波
Keywords
Co（ Ⅱ ）
BSA
complex adsorption wave
分类号
O657.61 [理学—分析化学]
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职称材料
题名
不同络合剂与pH值对钴CMP去除速率的影响
被引量：
5
2
作者
杨云点
王胜利
王辰伟
程远深
雷双双
李森
机构
河北工业大学电子信息工程学院
天津市电子材料与器件重点实验室
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2020年第7期543-549,共7页
基金
国家科技重大专项资助项目(2019ZX02308,2016ZX02301003-004-007)
河北省自然科学基金资助项目(E2019202367)。
文摘
研究不同络合剂(如甘氨酸(Gly)、柠檬酸(CA)、酒石酸(TA))在不同pH值的抛光液中对钴(Co)化学机械抛光(CMP)去除速率的影响。研究结果表明,采用不同络合剂时,随着pH值的升高,Co的去除速率均逐渐降低。当采用甘氨酸作为络合剂时,Co的去除速率优于柠檬酸和酒石酸,当pH值为8时,Co的去除速率可达628 nm/min,粗糙度为1.08 nm,随着pH值由8升高到10,Co的去除速率降低到169.9 nm/min。电化学实验表明,采用不同络合剂时,随着pH值升高,开路电位逐渐变大,电荷传递电阻逐渐增大,这是由于Co表面的氧化物如四氧化三钴、氢氧化高钴增多,钝化膜逐渐加厚且更为致密,络合剂的络合作用减弱。同时,在pH值为8时,采用甘氨酸作为络合剂时,Co的开路电位为负值(-0.428 V),电荷传递电阻为0.943 9Ω,表明Co表面氧化膜薄且致密性差,更容易被腐蚀去除。
关键词
钴(Co)
络合剂
化学机械抛光(CMP)
去除速率
PH值
Keywords
cobalt(Co)
complexing agent
chemical mechanical polishing(CMP)
removal rate
pH value
分类号
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
超灵敏胍修饰Co(Ⅱ)-BSA络合吸附波测定痕量钴
黄金香
雷建芳
雷双双
田军
罗登柏
《化学与生物工程》
CAS
2008
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
不同络合剂与pH值对钴CMP去除速率的影响
杨云点
王胜利
王辰伟
程远深
雷双双
李森
《半导体技术》
CAS
北大核心
2020
5
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职称材料
已选择
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