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隧穿场效应晶体管的研究进展
被引量：
3
1
作者
陶桂龙
许高博
+1 位作者
殷华湘
徐秋霞
《微纳电子技术》
北大核心
2018年第10期707-718,共12页
隧穿场效应晶体管（TFET）已成为低压低功耗半导体器件的一个重要发展方向，但是自身存在的问题使其目前难以在实际电路设计中得到大量应用，主要原因之一是其开态电流过小。对隧穿场效应晶体管进行了简要介绍，从其隧穿几率等方面对器...
隧穿场效应晶体管（TFET）已成为低压低功耗半导体器件的一个重要发展方向，但是自身存在的问题使其目前难以在实际电路设计中得到大量应用，主要原因之一是其开态电流过小。对隧穿场效应晶体管进行了简要介绍，从其隧穿几率等方面对器件的优化进行了分析。并综述了隧穿场效应晶体管的研究进展，包括基于传统Ⅳ族材料、Ⅲ-Ⅴ族材料以及GeSn材料等的隧穿场效应晶体管，并对基于负电容效应的铁电隧穿场效应晶体管进行了简要分析与介绍。然后，对隧穿场效应晶体管的改良与优化方向进行了简单总结，研究表明采用新材料或新结构的器件可极大地改善隧穿场效应晶体管的电学性能。
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关键词
低功耗器件
隧穿场效应晶体管(TFET)
开态电流
开关电流比
亚阈值摆幅
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职称材料
硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线及其若干半导体器件
2
作者
陶桂龙
许高博
徐秋霞
《半导体技术》
CSCD
北大核心
2017年第6期411-420,共10页
综述了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线与异质结制备技术的研究进展。针对基于Ⅲ-Ⅴ族纳米线的半导体器件,重点介绍了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线场效应晶体管的研究现状,详细介绍了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线场效应晶体管和隧穿场效应晶体管的制备流程、工艺技术和器...
综述了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线与异质结制备技术的研究进展。针对基于Ⅲ-Ⅴ族纳米线的半导体器件,重点介绍了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线场效应晶体管的研究现状,详细介绍了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线场效应晶体管和隧穿场效应晶体管的制备流程、工艺技术和器件的电学性能,并对影响器件电学性能的因素进行了分析。概括介绍了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线激光器和硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线太阳电池的研究成果,基于硅衬底的Ⅲ-Ⅴ族纳米线太阳电池为低成本、高效能的太阳电池领域开辟了新途径。研究结果表明,采用硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线制备的场效应晶体管、激光器及太阳电池等半导体器件相对于Si,Ge等传统半导体材料制备的器件有着巨大的优势,在未来集成电路技术中具有越来越大的影响力。
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关键词
Ⅲ-Ⅴ族纳米线
异质结
场效应晶体管
激光器
太阳电池
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职称材料
题名
隧穿场效应晶体管的研究进展
被引量：
3
1
作者
陶桂龙
许高博
殷华湘
徐秋霞
机构
中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室
中国科学院大学
出处
《微纳电子技术》
北大核心
2018年第10期707-718,共12页
基金
中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室开放课题
文摘
隧穿场效应晶体管（TFET）已成为低压低功耗半导体器件的一个重要发展方向，但是自身存在的问题使其目前难以在实际电路设计中得到大量应用，主要原因之一是其开态电流过小。对隧穿场效应晶体管进行了简要介绍，从其隧穿几率等方面对器件的优化进行了分析。并综述了隧穿场效应晶体管的研究进展，包括基于传统Ⅳ族材料、Ⅲ-Ⅴ族材料以及GeSn材料等的隧穿场效应晶体管，并对基于负电容效应的铁电隧穿场效应晶体管进行了简要分析与介绍。然后，对隧穿场效应晶体管的改良与优化方向进行了简单总结，研究表明采用新材料或新结构的器件可极大地改善隧穿场效应晶体管的电学性能。
关键词
低功耗器件
隧穿场效应晶体管(TFET)
开态电流
开关电流比
亚阈值摆幅
Keywords
low-power consumption device
tunnel field-effect transistor （TFET）
on-state cur-rent
switch current ratio
sub-threshold swing
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线及其若干半导体器件
2
作者
陶桂龙
许高博
徐秋霞
机构
中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室
中国科学院大学
出处
《半导体技术》
CSCD
北大核心
2017年第6期411-420,共10页
基金
中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室开放课题支持项目
文摘
综述了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线与异质结制备技术的研究进展。针对基于Ⅲ-Ⅴ族纳米线的半导体器件,重点介绍了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线场效应晶体管的研究现状,详细介绍了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线场效应晶体管和隧穿场效应晶体管的制备流程、工艺技术和器件的电学性能,并对影响器件电学性能的因素进行了分析。概括介绍了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线激光器和硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线太阳电池的研究成果,基于硅衬底的Ⅲ-Ⅴ族纳米线太阳电池为低成本、高效能的太阳电池领域开辟了新途径。研究结果表明,采用硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线制备的场效应晶体管、激光器及太阳电池等半导体器件相对于Si,Ge等传统半导体材料制备的器件有着巨大的优势,在未来集成电路技术中具有越来越大的影响力。
关键词
Ⅲ-Ⅴ族纳米线
异质结
场效应晶体管
激光器
太阳电池
Keywords
Ⅲ-Ⅴ semiconductor nanowire
heterojunction
field-effect transistor
laser
solarcell
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
隧穿场效应晶体管的研究进展
陶桂龙
许高博
殷华湘
徐秋霞
《微纳电子技术》
北大核心
2018
3
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职称材料
2
硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线及其若干半导体器件
陶桂龙
许高博
徐秋霞
《半导体技术》
CSCD
北大核心
2017
0
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职称材料
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