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基于三维模型的NPN双极型晶体管电离辐射效应仿真模拟
1
作者
陕宇皓
刘延飞
+1 位作者
郑浩
彭征
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2022年第3期177-183,共7页
为更加迅速可靠地评估星用双极型晶体管抗电离辐射损伤性能,建立了三维NPN晶体管模型,并对其电离辐射效应进行了数值模拟。仿真计算了电离辐射在晶体管中产生的氧化物正电荷陷阱以及界面陷阱,以此模拟不同总剂量、剂量率电离辐照对晶体...
为更加迅速可靠地评估星用双极型晶体管抗电离辐射损伤性能,建立了三维NPN晶体管模型,并对其电离辐射效应进行了数值模拟。仿真计算了电离辐射在晶体管中产生的氧化物正电荷陷阱以及界面陷阱,以此模拟不同总剂量、剂量率电离辐照对晶体管的损伤;以漂移扩散模型计算了晶体管典型性能的响应,验证了晶体管的总剂量效应和低剂量率损伤增强效应。结果表明晶体管对电离辐射敏感的区域位于基区和发射结区附近的Si/SiO_(2)界面,从Gummel曲线提取的归一化增益发现,电离辐射损伤可能使晶体管增益降低50%以上,这对晶体管性能影响很大。该方法可以在降低成本、缩短周期的前提下,为晶体管抗电离辐射可靠性评估提供合理的技术支撑和可借鉴的理论数据。
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关键词
NPN双极型晶体管
三维模型
总剂量效应
低剂量率损伤增强效应
仿真模拟
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职称材料
题名
基于三维模型的NPN双极型晶体管电离辐射效应仿真模拟
1
作者
陕宇皓
刘延飞
郑浩
彭征
机构
西安高新技术研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2022年第3期177-183,共7页
基金
国家自然科学基金资助项目(61834004,61701505)。
文摘
为更加迅速可靠地评估星用双极型晶体管抗电离辐射损伤性能,建立了三维NPN晶体管模型,并对其电离辐射效应进行了数值模拟。仿真计算了电离辐射在晶体管中产生的氧化物正电荷陷阱以及界面陷阱,以此模拟不同总剂量、剂量率电离辐照对晶体管的损伤;以漂移扩散模型计算了晶体管典型性能的响应,验证了晶体管的总剂量效应和低剂量率损伤增强效应。结果表明晶体管对电离辐射敏感的区域位于基区和发射结区附近的Si/SiO_(2)界面,从Gummel曲线提取的归一化增益发现,电离辐射损伤可能使晶体管增益降低50%以上,这对晶体管性能影响很大。该方法可以在降低成本、缩短周期的前提下,为晶体管抗电离辐射可靠性评估提供合理的技术支撑和可借鉴的理论数据。
关键词
NPN双极型晶体管
三维模型
总剂量效应
低剂量率损伤增强效应
仿真模拟
Keywords
NPN bipolar junction transistor
3D model
total dose effect
enhanced low dose rate sensitivity
simulation
分类号
TL99 [核科学技术—核技术及应用]
TN325.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于三维模型的NPN双极型晶体管电离辐射效应仿真模拟
陕宇皓
刘延飞
郑浩
彭征
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2022
0
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