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高侧壁垂直度超浅铌酸锂光栅耦合器的加工工艺及耦合效率
被引量：
1
1
作者
瞿敏妮
刘思琦
+4 位作者
刘民
李进喜
陈舒静
付学成
程秀兰
《微纳电子技术》
CAS
2024年第1期131-136,共6页
利用聚焦离子束(FIB)在铌酸锂(LN)表面形成100 nm及以下深度的超浅光栅耦合器结构。为了提高刻蚀侧壁垂直度、避免开口展宽效应对光栅形貌的影响,在LN表面覆盖非晶硅(α-Si)作为掩膜层,实际刻蚀深度为α-Si层厚度和LN表面目标刻蚀深度之...
利用聚焦离子束(FIB)在铌酸锂(LN)表面形成100 nm及以下深度的超浅光栅耦合器结构。为了提高刻蚀侧壁垂直度、避免开口展宽效应对光栅形貌的影响,在LN表面覆盖非晶硅(α-Si)作为掩膜层,实际刻蚀深度为α-Si层厚度和LN表面目标刻蚀深度之和,且刻蚀过程中产生的开口效应仅存在于α-Si层。通过氢氧化钾(KOH)溶液选择性地去除α-Si层,留下的LN表面结构侧壁陡直且无开口展宽效应。制备了刻蚀深度108 nm的超浅光栅耦合器,在924 nm波长处,其耦合效率为23.3%。制备了刻蚀深度70 nm的超浅光栅耦合器,在935 nm波长处,其耦合效率为14.4%。该研究为LN光栅耦合器的发展与应用提供了有益指导。
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关键词
超浅光栅耦合器
高侧壁垂直度
聚焦离子束(FIB)
铌酸锂(LN)
非晶硅(α-Si)
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职称材料
基于通孔双面分步填充的TSV制备方法
被引量：
3
2
作者
田苗
栾振兴
+3 位作者
陈舒静
刘民
王凤丹
程秀兰
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022年第8期636-641,共6页
以硅通孔(TSV)为核心的2.5D/3D集成技术是未来高密度封装的主导技术,但是现有的TSV制备技术需依赖高难度的技术和昂贵的设备。提出了一种通孔双面分步填充工艺,先将通孔的一端电镀封口,然后再从另外一端进行电镀填充。此方法避免了难度...
以硅通孔(TSV)为核心的2.5D/3D集成技术是未来高密度封装的主导技术,但是现有的TSV制备技术需依赖高难度的技术和昂贵的设备。提出了一种通孔双面分步填充工艺,先将通孔的一端电镀封口,然后再从另外一端进行电镀填充。此方法避免了难度很高的大深宽比孔中的种子层制备和自底向上的电镀工艺,降低了加工难度。通过工艺改进解决了狭缝缺陷和凸起/空洞缺陷问题,得到了无孔隙的填充孔径为30μm、孔深为300μm、深宽比为10∶1的TSV阵列。通过电学实验测量了所得TSV的电阻。实验结果证明了其填充效果和导电能力,为实现超小型化封装提供了新的技术思路。
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关键词
硅通孔(TSV)
通孔双面分步填充
电镀
缺陷
电阻率
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职称材料
Cu/SU-8复合结构的高精度机械研磨
3
作者
田苗
周欣
+4 位作者
陈舒静
张笛
瞿敏妮
毛海平
乌李瑛
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2022年第4期379-384,391,共7页
由于其独特的厚度优势,SU-8经常在微加工领域被用作模具,通过电镀实现金属的大深宽比结构。但是,由于电镀的特殊性,其获得的金属结构表面往往需要进行研磨整平。对在SU-8大深宽比结构中电镀金属后形成的复合结构的研磨进行研究,设计并...
由于其独特的厚度优势,SU-8经常在微加工领域被用作模具,通过电镀实现金属的大深宽比结构。但是,由于电镀的特殊性,其获得的金属结构表面往往需要进行研磨整平。对在SU-8大深宽比结构中电镀金属后形成的复合结构的研磨进行研究,设计并制备了Cu/SU-8复合结构,并进行了一系列表面磨削实验,分析了复合结构的研磨机理和磨轮的选择依据。结果表明,通过降低磨轮粒度,并采用先树脂结合剂磨轮、后陶瓷结合剂磨轮的研磨序列,可以使Cu和SU-8的粗糙度分别下降到36 nm和34.7 nm,使Cu向SU-8区域的延展大幅减轻,使Cu和SU-8的高度差降低到100 nm。通过Cu/SU-8复合结构的研磨,研究了复合材料表面磨削过程中改善表面状态的方法。研究成果可为提高复合结构的磨削效率和加工精度提供支持和参考。
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关键词
复合结构
电镀
研磨
SU-8
粗糙度
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职称材料
题名
高侧壁垂直度超浅铌酸锂光栅耦合器的加工工艺及耦合效率
被引量：
1
1
作者
瞿敏妮
刘思琦
刘民
李进喜
陈舒静
付学成
程秀兰
机构
上海交通大学电子信息与电气工程学院先进电子材料与器件平台
华东师范大学精密光谱科学与技术国家重点实验室
出处
《微纳电子技术》
CAS
2024年第1期131-136,共6页
基金
国家自然科学基金(62105199)。
文摘
利用聚焦离子束(FIB)在铌酸锂(LN)表面形成100 nm及以下深度的超浅光栅耦合器结构。为了提高刻蚀侧壁垂直度、避免开口展宽效应对光栅形貌的影响,在LN表面覆盖非晶硅(α-Si)作为掩膜层,实际刻蚀深度为α-Si层厚度和LN表面目标刻蚀深度之和,且刻蚀过程中产生的开口效应仅存在于α-Si层。通过氢氧化钾(KOH)溶液选择性地去除α-Si层,留下的LN表面结构侧壁陡直且无开口展宽效应。制备了刻蚀深度108 nm的超浅光栅耦合器,在924 nm波长处,其耦合效率为23.3%。制备了刻蚀深度70 nm的超浅光栅耦合器,在935 nm波长处,其耦合效率为14.4%。该研究为LN光栅耦合器的发展与应用提供了有益指导。
关键词
超浅光栅耦合器
高侧壁垂直度
聚焦离子束(FIB)
铌酸锂(LN)
非晶硅(α-Si)
Keywords
ultra-shallow grating coupler
high sidewall verticality
focused ion beam(FIB)
lithium niobate(LN)
amorphous silicon(α-Si)
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
基于通孔双面分步填充的TSV制备方法
被引量：
3
2
作者
田苗
栾振兴
陈舒静
刘民
王凤丹
程秀兰
机构
上海交通大学电子信息与电气工程学院先进电子材料与器件平台
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022年第8期636-641,共6页
基金
上海交通大学决策咨询课题资助项目(JCZXSJB-04)
文摘
以硅通孔(TSV)为核心的2.5D/3D集成技术是未来高密度封装的主导技术,但是现有的TSV制备技术需依赖高难度的技术和昂贵的设备。提出了一种通孔双面分步填充工艺,先将通孔的一端电镀封口,然后再从另外一端进行电镀填充。此方法避免了难度很高的大深宽比孔中的种子层制备和自底向上的电镀工艺,降低了加工难度。通过工艺改进解决了狭缝缺陷和凸起/空洞缺陷问题,得到了无孔隙的填充孔径为30μm、孔深为300μm、深宽比为10∶1的TSV阵列。通过电学实验测量了所得TSV的电阻。实验结果证明了其填充效果和导电能力,为实现超小型化封装提供了新的技术思路。
关键词
硅通孔(TSV)
通孔双面分步填充
电镀
缺陷
电阻率
Keywords
through silicon via(TSV)
two-step double-sided filling of through via
electroplating
defect
resistivity
分类号
TN405.97 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
Cu/SU-8复合结构的高精度机械研磨
3
作者
田苗
周欣
陈舒静
张笛
瞿敏妮
毛海平
乌李瑛
机构
上海交通大学电子信息与电气工程学院先进电子材料与器件平台
迪思科科技(中国)有限公司
出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2022年第4期379-384,391,共7页
文摘
由于其独特的厚度优势,SU-8经常在微加工领域被用作模具,通过电镀实现金属的大深宽比结构。但是,由于电镀的特殊性,其获得的金属结构表面往往需要进行研磨整平。对在SU-8大深宽比结构中电镀金属后形成的复合结构的研磨进行研究,设计并制备了Cu/SU-8复合结构,并进行了一系列表面磨削实验,分析了复合结构的研磨机理和磨轮的选择依据。结果表明,通过降低磨轮粒度,并采用先树脂结合剂磨轮、后陶瓷结合剂磨轮的研磨序列,可以使Cu和SU-8的粗糙度分别下降到36 nm和34.7 nm,使Cu向SU-8区域的延展大幅减轻,使Cu和SU-8的高度差降低到100 nm。通过Cu/SU-8复合结构的研磨,研究了复合材料表面磨削过程中改善表面状态的方法。研究成果可为提高复合结构的磨削效率和加工精度提供支持和参考。
关键词
复合结构
电镀
研磨
SU-8
粗糙度
Keywords
compound structure
electroplating
grinding
SU-8
roughness
分类号
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高侧壁垂直度超浅铌酸锂光栅耦合器的加工工艺及耦合效率
瞿敏妮
刘思琦
刘民
李进喜
陈舒静
付学成
程秀兰
《微纳电子技术》
CAS
2024
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
基于通孔双面分步填充的TSV制备方法
田苗
栾振兴
陈舒静
刘民
王凤丹
程秀兰
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022
3
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
Cu/SU-8复合结构的高精度机械研磨
田苗
周欣
陈舒静
张笛
瞿敏妮
毛海平
乌李瑛
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2022
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
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