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基于石墨烯/硫化铅量子点异质结的窄带光电探测器
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作者 郑玉琳 黄北举 +1 位作者 程传同 陈力颖 《半导体技术》 CAS 北大核心 2025年第1期10-16,共7页
纳米材料硫化铅量子点(PbS QD)以其高光吸收率和尺寸可调的带隙,被视为短波红外(SWIR)光电探测器的重要候选材料。将卤素配体置换的PbS QD薄膜与单层石墨烯结合制备了石墨烯/硫化铅量子点异质结光电探测器。采用液相配体交换技术结合单... 纳米材料硫化铅量子点(PbS QD)以其高光吸收率和尺寸可调的带隙,被视为短波红外(SWIR)光电探测器的重要候选材料。将卤素配体置换的PbS QD薄膜与单层石墨烯结合制备了石墨烯/硫化铅量子点异质结光电探测器。采用液相配体交换技术结合单步旋涂工艺,实现了PbS QD薄膜的均匀沉积。该技术不仅减少了缺陷态的产生,而且通过单步旋涂工艺能够实现所需薄膜厚度的快速沉积,简化了器件制备流程,满足工业化生产要求。测试了器件在SWIR波段的性能,结果显示该光电探测器在1550 nm处响应度为1.26×10^(4)A/W,显著高于其他波段,证实器件在1550 nm波段附近具有窄带探测的能力。此外,在1550 nm处比探测率高达1.49×10^(12)Jones。该结果表明器件在SWIR波段具备高探测灵敏度和实际应用的潜力。 展开更多
关键词 相转移配体交换 硫化铅量子点 石墨烯 光电探测器 红外探测
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高性能近红外硅光电倍增管的设计
2
作者 陈力颖 左金 程传同 《天津工业大学学报》 CAS 北大核心 2024年第6期73-79,88,共8页
为了进一步提高硅光电倍增管在近红外波段的光子探测效率,提出了一种平面型外延电阻淬灭型硅光电倍增管和一种基于倒金字塔结构的硅光电倍增管。通过各向异性腐蚀形成倒金字塔结构,在倒金字塔4个侧面以离子注入的方式形成p-enrich区域,... 为了进一步提高硅光电倍增管在近红外波段的光子探测效率,提出了一种平面型外延电阻淬灭型硅光电倍增管和一种基于倒金字塔结构的硅光电倍增管。通过各向异性腐蚀形成倒金字塔结构,在倒金字塔4个侧面以离子注入的方式形成p-enrich区域,增大了PN结的结面积,加大了有效光探测面积,提高了几何填充因子,从而在一定程度上提高了光子探测效率,并对相同掺杂浓度的平面型硅光电倍增管和基于倒金字塔结构的硅光电倍增管结构进行仿真。结果表明:2种器件的击穿电压约为-13 V;微单元尺寸为20μm、过电压6 V时900 nm处的平面型外延电阻淬灭型硅光电倍增管和基于倒金字塔结构的硅光电倍增管的光子探测效率分别为11.2%和15.6%,说明2种结构均能够对近红外波段的光进行有效探测,而基于倒金字塔结构的硅光电倍增管能够提高器件近红外波段的光子探测效率。 展开更多
关键词 硅光电倍增管 倒金字塔结构 近红外 光子探测效率
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基于28 nm工艺数字芯片的时钟树设计 被引量:4
3
作者 陈力颖 汤勇 吕英杰 《天津工业大学学报》 CAS 北大核心 2019年第1期76-82,共7页
针对纳米级设计中时钟偏移大、时序不容易收敛等问题,提出了一种有效的时钟树综合(CTS)优化方案。以28 nm工艺的数字芯片为例,根据其时钟结构特点,将CTS过程分成两步完成。利用这种方法,采用Cadence公司的APR工具Encounter对数字模块进... 针对纳米级设计中时钟偏移大、时序不容易收敛等问题,提出了一种有效的时钟树综合(CTS)优化方案。以28 nm工艺的数字芯片为例,根据其时钟结构特点,将CTS过程分成两步完成。利用这种方法,采用Cadence公司的APR工具Encounter对数字模块进行时钟网络的设计;对分步CTS和传统CTS两种方法进行比较。结果表明:使用分步CTS的时钟偏移减小了52%,提高了时钟网络的性能,从而时序得到了很大的改善,芯片泄漏功耗也降低了45%。 展开更多
关键词 数字芯片 时钟树设计 数字集成电路 物理设计 时钟树综合 时钟偏移 插入延迟
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基于28nm工艺的CCOpt技术高效时钟树设计 被引量:3
4
作者 陈力颖 翦彦龙 吕英杰 《天津工业大学学报》 CAS 北大核心 2019年第2期62-67,共6页
为了设计合理高效的时钟树网络,对建立和保持时间约束以及时钟偏差进行分析,基于28 nm工艺设计了一款高速数字芯片,采用Innovus工具实施布局布线,在时钟树综合(CTS,clock tree synthesis)阶段采用CCOpt(clock concurrent optimization)... 为了设计合理高效的时钟树网络,对建立和保持时间约束以及时钟偏差进行分析,基于28 nm工艺设计了一款高速数字芯片,采用Innovus工具实施布局布线,在时钟树综合(CTS,clock tree synthesis)阶段采用CCOpt(clock concurrent optimization)技术,合理利用时钟偏差,同时优化时钟路径和逻辑路径,对时钟网络进行优化,并考察时钟树延时、时序和时钟网络功耗等指标。结果标明:与传统CTS技术相比,采用CCOpt技术时,最差时序违例和违例路径数量减少50%;布局布线时间减少2 h;芯片时钟网络内部互连功耗减少55%,泄漏功耗减少80%,有效提高了数字芯片的性能。 展开更多
关键词 数字芯片 CCOpt 有用偏差 时钟树综合 时序约束 功耗
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一种新型正反馈式CMOS温度传感器电路设计 被引量:2
5
作者 陈力颖 杨依林 +1 位作者 王浩 张思敏 《天津工业大学学报》 CAS 北大核心 2021年第4期79-83,共5页
为提高温度传感器测量精度以及测量灵敏度,设计了一款正反馈式片上温度传感器。本款温度传感器在PTAT电流源基础上,增加了运算放大器正反馈结构,克服了传统温度传感器输出电压范围较小、精度较低的缺点,对器件由于温度变化产生的微弱信... 为提高温度传感器测量精度以及测量灵敏度,设计了一款正反馈式片上温度传感器。本款温度传感器在PTAT电流源基础上,增加了运算放大器正反馈结构,克服了传统温度传感器输出电压范围较小、精度较低的缺点,对器件由于温度变化产生的微弱信号进行进一步放大,使输出电压范围极大增加,提高了测量精度以及灵敏度,进而对芯片内温度进行精准监测以提高系统可靠性;采用UMC 0.18μm CMOS工艺对电路进行了模拟仿真。结果表明:工作电压为(3.3±0.33)V情况下,在-45~125℃温度范围内,输出电压为0.569~3.273 V,输出电压范围较大且线性度达99.93%,电压-温度响应为15.9 mV/℃,温度测量精度为0.12℃/-0.21℃。 展开更多
关键词 片上温度传感器 CMOS工艺 高精度 高灵敏度 运放正反馈结构
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基于55nm工艺的MCU低功耗物理设计 被引量:1
6
作者 陈力颖 罗奎 +2 位作者 王浩 刘宏伟 吕英杰 《天津工业大学学报》 CAS 北大核心 2021年第3期77-82,共6页
为了降低芯片的功耗,提高芯片的性能和可靠性,在传统数字芯片物理设计流程基础上,提出一种新的低功耗物理设计方法,包括布局(Placement)阶段采用SAIF文件进行低功耗的协同优化,并在布局结果基础上,通过手动配置时钟单元摆放来减小缓冲... 为了降低芯片的功耗,提高芯片的性能和可靠性,在传统数字芯片物理设计流程基础上,提出一种新的低功耗物理设计方法,包括布局(Placement)阶段采用SAIF文件进行低功耗的协同优化,并在布局结果基础上,通过手动配置时钟单元摆放来减小缓冲单元插入的方式进行低功耗的时钟树设计。结果表明:通过新的低功耗设计可以大幅改善芯片功耗,在布局阶段,芯片功耗降为原来的90.6%,建立时间的最差违例值由-6.021降为-0.880;时钟树综合(clock tree synthesis,CTS)阶段,功耗优化效果显著,时钟网络功耗降为原来的73.1%,总功耗降为原来的86.2%;时序得到改善,建立时间的违例总条数降为原来的12.5%,总违例值降为原来的3.0%,保持时间的违例总条数降为原来的39.8%,总违例值降为原来的7.5%。 展开更多
关键词 数字集成电路 布局 时钟树综合 低功耗 协同优化
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实现宏单元高质量自动摆放的约束 被引量:2
7
作者 陈力颖 陈旭洲 +1 位作者 李勇 刘宏伟 《天津工业大学学报》 CAS 北大核心 2021年第6期61-65,共5页
为实现宏单元(Macro)的自动摆放,针对Innovus的超级命令PlanDesign展开研究,分别以Module与Marco作为目标种子,对不同约束条件进行多次实验,得出结果最佳的约束条件,并将实验结果与已经流片的Floorplan在时序、时间、功耗和时钟关键节... 为实现宏单元(Macro)的自动摆放,针对Innovus的超级命令PlanDesign展开研究,分别以Module与Marco作为目标种子,对不同约束条件进行多次实验,得出结果最佳的约束条件,并将实验结果与已经流片的Floorplan在时序、时间、功耗和时钟关键节点分布进行对比。结果表明:2种自动摆放Macro的约束条件均可以比人工节省80%的时间;功耗分别下降约5%和3.3%;时钟关键节点更加密集。 展开更多
关键词 宏单元 布图规划 约束 自动摆放
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一种用于非制冷红外探测器的高速比较器 被引量:1
8
作者 陈力颖 张博超 +1 位作者 李勇 徐微 《天津工业大学学报》 CAS 北大核心 2023年第4期57-62,70,共7页
为了提高红外探测器模数转换的速度与精度,设计了一种用于非制冷红外焦平面阵列探测器片上14位10 MSps逐次逼近型模数转换器的高速比较器。本比较器采用前置放大器、动态高速度锁存器和新型输出缓冲器的三联级结构,并通过输入、输出失... 为了提高红外探测器模数转换的速度与精度,设计了一种用于非制冷红外焦平面阵列探测器片上14位10 MSps逐次逼近型模数转换器的高速比较器。本比较器采用前置放大器、动态高速度锁存器和新型输出缓冲器的三联级结构,并通过输入、输出失调存储的方式对各级放大器进行失调电压消除,使比较器工作的速度与精度得到提高。结果表明:基于TSMC 0.18μm 1P6M工艺进行设计与仿真,在电源电压为5 V的情况下,该比较器的采样速率为200 MSps,失调电压为32.63 V,传输延时为259 ps,-3 dB带宽为1.11 GHz。该比较器相较于其他的设计,具有更小的失调电压以及传输延时,满足逐次逼近型模数转换器对其比较器速度与精度的要求。 展开更多
关键词 非制冷红外探测器 模数转换器 高速比较器 失调电压 非制冷
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基于CMOS工艺的脉搏血氧测量电路设计 被引量:2
9
作者 陈力颖 胡雄伟 +2 位作者 倪立强 祖肇晗 郭翠娟 《天津工业大学学报》 北大核心 2017年第5期79-83,共5页
为了避免透射式测量系统的高功耗、大噪声的问题,设计一种CMOS集成电路用于测量脉搏和血氧饱和度(Sp O2).根据光子扩散传输理论得到反射式Sp O2测量公式,以此公式为模型设计测量电路.测量电路由放大电路和带通滤波电路两大部分组成,经... 为了避免透射式测量系统的高功耗、大噪声的问题,设计一种CMOS集成电路用于测量脉搏和血氧饱和度(Sp O2).根据光子扩散传输理论得到反射式Sp O2测量公式,以此公式为模型设计测量电路.测量电路由放大电路和带通滤波电路两大部分组成,经过测量电路的处理之后,得到脉搏波的直流量和交流量.采用UMC0.18μm的标准CMOS工艺实现电路,该电路仿真的各项参数为:在1.8 V的工作电压下整个系统的增益可达到42~50 d B(0.2~65 Hz),整个电路的功耗小于0.3 m W.因此,本文设计的测量电路增益达到要求,而且噪声和功耗更小,更能达到便携式医疗设备的发展要求. 展开更多
关键词 CMOS工艺 脉搏波 血氧饱和度 测量电路 带通滤波电路
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一种新的红外焦平面阵列调整电路设计 被引量:1
10
作者 陈力颖 于文阳 任亚晶 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2020年第7期869-874,共6页
提出了一种新的红外焦平面阵列调整电路(skimming)设计。新的调整电路包括MEMS像元模块和非均匀性校正模块。该电路能够减少阈值电压对传统调整电路的影响,以及对探测器制造工艺引入的非均匀性进行补偿。MEMS像元模块通过控制明像元电... 提出了一种新的红外焦平面阵列调整电路(skimming)设计。新的调整电路包括MEMS像元模块和非均匀性校正模块。该电路能够减少阈值电压对传统调整电路的影响,以及对探测器制造工艺引入的非均匀性进行补偿。MEMS像元模块通过控制明像元电路和盲像元电路中的电压值用于调节电路本身的非均匀性,同时非均匀性校正电路用以弥补探测器制造过程引入的像元电阻非均匀性。该电路应用于阵列为640×480的红外焦平面阵列上,采用TSMC 0.18μm工艺进行设计、仿真。仿真结果表明:MEMS像元模块能够使明像元电路和盲像元电路具有一致性;明像元电阻的非均匀性小于3%,最大积分电流失调为200 nA,非均匀性校正模块的补偿电流大于200 nA,符合设计要求,使得调整模块输出电流变大,积分电压变大,达到显示效果变亮的目的。 展开更多
关键词 红外焦平面阵列 调整电路 MEMS像元 非均匀性
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低功耗无源超高频射频识别应答器芯片的射频电路设计与实现
11
作者 陈力颖 毛陆虹 +2 位作者 吴顺华 郑轩 李彦明 《高技术通讯》 CAS CSCD 北大核心 2007年第11期1157-1162,共6页
提出了一种符合ISO/IEC18000-6B标准的高性能低功耗无源超高频(UHF)射频识别(RFID)应答器芯片的射频电路。该射频电路除天线外无外接元器件,通过肖特基二极管整流器从射频电磁场接收能量。其构成包括本地振荡器、时钟产生电路、复... 提出了一种符合ISO/IEC18000-6B标准的高性能低功耗无源超高频(UHF)射频识别(RFID)应答器芯片的射频电路。该射频电路除天线外无外接元器件,通过肖特基二极管整流器从射频电磁场接收能量。其构成包括本地振荡器、时钟产生电路、复位电路、匹配网络和反向散射电路、整流器、稳压器以及AM解调器等几个主要模块。该射频电路芯片采用支持肖特基二极管和EEPROM的Chartered 0.35μm 2P4M CMOS工艺进行流片,测试结果表明其读取距离大于3m,在915MHzISM频带下工作时其电流小于8μA,该芯片核心面积为300μm×720μm。 展开更多
关键词 无源 超高频(UHF)射频识别(RFID)应答器 射频识别(RFID) 低功耗 射频电路
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基于7 nm NPU预布局的布图优化设计
12
作者 陈力颖 高祥 +1 位作者 李勇 徐微 《天津工业大学学报》 CAS 北大核心 2023年第5期75-80,共6页
为了解决7 nm布图设计中直通寄存器在自动布局时不能均匀分布且高宽比相差较大、纵向绕线较多的问题,提出在布图阶段提前布局直通寄存器,并将宏单元放置在模块上下两端以避开直通寄存器密集位置的优化方法;并针对7 nm工艺对宏单元位置... 为了解决7 nm布图设计中直通寄存器在自动布局时不能均匀分布且高宽比相差较大、纵向绕线较多的问题,提出在布图阶段提前布局直通寄存器,并将宏单元放置在模块上下两端以避开直通寄存器密集位置的优化方法;并针对7 nm工艺对宏单元位置的约束,通过工具命令语言(TCL)脚本修复宏单元在布图阶段引起的违例。结果表明:相较于摆放在四周的布图规划,优化后的布图规划中建立时间最差负违例(WNS)减少0.131 ns,负违例总和(TNS)下降约80%,纵向拥塞从9.23%降至0.98%,功耗下降约500 mW;优化布图后执行TCL脚本,宏单元引起的违例下降了288条,相较人工修复节约了90%以上的时间。 展开更多
关键词 直通寄存器 宏单元 布图规划 拥塞 7 nm
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改进的LANDMARC算法在ZigBee室内定位中的应用 被引量:4
13
作者 白晋军 邵珠业 +3 位作者 燕春 刘培林 陈力颖 孙晓东 《电视技术》 北大核心 2017年第4期105-110,共6页
随着室内定位技术的广泛应用,对定位精度的要求越来越高,传统的LANDMARC算法已不能满足实际应用的需求,因此,结合传统的LANDMARC算法和质心算法,提出一种改进的LANDMARC算法。首先利用MATLAB进行了理论仿真,研究发现改进的LANDMARC算法... 随着室内定位技术的广泛应用,对定位精度的要求越来越高,传统的LANDMARC算法已不能满足实际应用的需求,因此,结合传统的LANDMARC算法和质心算法,提出一种改进的LANDMARC算法。首先利用MATLAB进行了理论仿真,研究发现改进的LANDMARC算法在参考标签间隔在0~5 m时,定位精度要优于传统经典算法,且定位精度最大可提高35.4%。其次使用ZigBee定位系统进行了实验测量,研究发现实验测量结果与理论仿真结果基本吻合。 展开更多
关键词 ZIGBEE技术 室内定位 LANDMARC算法 质心算法
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无源超高频RFID标签芯片的超低功耗数字基带电路的设计与实现 被引量:1
14
作者 徐凯 毛陆虹 +4 位作者 王峥 王强 陈力颖 谢生 张世林 《高技术通讯》 CAS CSCD 北大核心 2012年第6期663-668,共6页
依据EPCC1G2协议设计了一种用于无源UHF射频识别RFID标签芯片的数字基带电路,在完成协议规定功能的前提下实现了系统的低功耗。通过引入系统时钟规划、状态优化编码、全局钟控、异步计数器、门级功耗优化与操作数隔离等多种低功耗技术... 依据EPCC1G2协议设计了一种用于无源UHF射频识别RFID标签芯片的数字基带电路,在完成协议规定功能的前提下实现了系统的低功耗。通过引入系统时钟规划、状态优化编码、全局钟控、异步计数器、门级功耗优化与操作数隔离等多种低功耗技术,设计最终功耗为13.81μW。为更好地实现系统的防冲突,采用了一种基于振荡器采样的真实随机数产生器,整个随机数产生电路功耗控制在21μW以内。设计采用Chartered0.18μm 艺实现,数字电路面积为482μm×480μm,芯片测试结果与仿真结果基本符合。 展开更多
关键词 超高频RFID 标签芯片 数字基带电路 低功耗 随机数产生器
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超高频RFID标签芯片射频电路的分析与测试(英文)
15
作者 徐凯 毛陆虹 +2 位作者 王峥 陈力颖 李建雄 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期14-21,共8页
提出了一种应用于超高频(Ultra high frequency,UHF)射频识别(Radio frequency identification,RFID)标签芯片的射频测试技术。针对UHF RFID标签芯片射频电路的特殊工作方式,该技术可对芯片的输入阻抗和灵敏度进行准确测量,并同时完成... 提出了一种应用于超高频(Ultra high frequency,UHF)射频识别(Radio frequency identification,RFID)标签芯片的射频测试技术。针对UHF RFID标签芯片射频电路的特殊工作方式,该技术可对芯片的输入阻抗和灵敏度进行准确测量,并同时完成芯片功能验证。与传统的RFID标签芯片射频测试技术相比,文中的方案利用商用阅读器和可调衰减器代替了高端或RFID专用测试设备,因此极大降低了测试成本。利用该测试方案,对已开发的UHF RFID标签芯片进行了测试与验证,并利用测试结果完成了折叠偶极子天线设计以实现芯片与天线之间的阻抗匹配。将芯片与天线组装成无源标签,其灵敏度可达-10.5 dBm。实验结果证明了该方案的正确性。 展开更多
关键词 超高频射频识别 标签芯片 灵敏度 输入阻抗
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用于非制冷红外探测器的SAR ADC设计
16
作者 缪竟鸿 秦战明 陈力颖 《天津工业大学学报》 CAS 北大核心 2016年第4期81-84,88,共5页
设计了一种用于非制冷红外探测器图像处理的12 bit逐次逼近型模数转换器(ADC),转换电压为2-4 V.其D/A转换器采用电阻和电容混合结构,节省芯片面积,减小系统复杂度;比较器采用放大锁存结构,应用失调存储技术,满足非制冷红外芯片... 设计了一种用于非制冷红外探测器图像处理的12 bit逐次逼近型模数转换器(ADC),转换电压为2-4 V.其D/A转换器采用电阻和电容混合结构,节省芯片面积,减小系统复杂度;比较器采用放大锁存结构,应用失调存储技术,满足非制冷红外芯片图像处理对ADC速度与精度的要求.芯片采用Global Foundries 0.35μm混合模式CMOS工艺进行设计和流片.仿真结果表明:在输入信号为50 kHz、采样率为1 MS/s时,信纳比(SNDR)为72 dB,有效位达到11.6 bit,模拟部分功耗2 mW,满足非制冷红外探测器对ADC指标的要求.该设计提高了非制冷红外探测器的图像处理能力,消除了ADC外接引入的噪声. 展开更多
关键词 红外探测器 非制冷 数模转换器 比较器 电容阵列
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可嵌入RFID标签的低功耗单栅非易失性存储器
17
作者 杨亚楠 杨晓龙 陈力颖 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第1期16-21,共6页
采用Skysilicon 0.35μm标准CMOS工艺设计并制造了一种可嵌入射频识别(RFID)标签的低功耗单栅非易失性存储器(SPNVM)。与传统的采用双栅工艺制造的电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)和快闪存储器相比较,所提出的单栅存储器具有更低的制... 采用Skysilicon 0.35μm标准CMOS工艺设计并制造了一种可嵌入射频识别(RFID)标签的低功耗单栅非易失性存储器(SPNVM)。与传统的采用双栅工艺制造的电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)和快闪存储器相比较,所提出的单栅存储器具有更低的制造成本和功耗,更多的可编程次数以及更简单的控制电路。该存储器是将三个MOS晶体管的栅极连在一起作为等效浮栅,数据以电压的形式输出。利用Fowler-Nordheim电子隧穿机制对浮栅注入或泄放电子,这使得编程过程可以自动停止,且浮栅不会被过度编程。所提出的存储器结构仅使用两个正电压便可实现擦除、写入和读取操作。测试结果表明,对存储单元进行擦除和数据写入所需时间均为80 ms,存储器可以实现超过1 000次的编程循环,在芯片未封装的情况下,数据保持时间至少为14天。 展开更多
关键词 非易失性存储器(NVM) Fowler-Nordheim(FN)隧穿 射频识别(RFID) 标准CMOS工艺 单栅
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用于红外焦平面阵列的等效像元电路设计 被引量:3
18
作者 戴山彪 陈力颖 +2 位作者 邢海英 王健 杨晓龙 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2015年第2期171-175,共5页
提出了一种用于300×400红外焦平面阵列读出电路的等效像元电路结构。该电路与氧化钒(VOx薄膜)制成的微机械系统(MEMS)的电特性等效,并能够模拟MEMS像元改变时支路电流的变化。红外面阵探测器读出电路在流片后,生长MEMS物理结构... 提出了一种用于300×400红外焦平面阵列读出电路的等效像元电路结构。该电路与氧化钒(VOx薄膜)制成的微机械系统(MEMS)的电特性等效,并能够模拟MEMS像元改变时支路电流的变化。红外面阵探测器读出电路在流片后,生长MEMS物理结构(VOx薄膜)前,该等效像元电路结构用于读出电路的电性能测试,从而剔除不良品,减少封装成本。该电路采用了Global Foundry 0.35μm工艺设计并流片。测试结果表明,当积分电流为0-200nA时,该等效像元电路的电性能与MEMS像元一致。 展开更多
关键词 红外焦平面阵列 读出电路 微机械系统 等效像元电路
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带新解调结构的UHF RFID标签低功耗模拟前端设计 被引量:1
19
作者 李凤阳 毛陆虹 +4 位作者 徐凯 马力远 王峥 陈力颖 张世林 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期499-504,共6页
基于ISO/IEC 18000-6C协议,对UHF无源电子标签模拟前端中的ASK解调电路、整流器、稳压电路等进行低功耗设计。解调电路中微分电路的加入扩大了解调电路工作范围,在解调电路近距离工作时,可以更有效地解调。整流电路采用了零阈值MOS管代... 基于ISO/IEC 18000-6C协议,对UHF无源电子标签模拟前端中的ASK解调电路、整流器、稳压电路等进行低功耗设计。解调电路中微分电路的加入扩大了解调电路工作范围,在解调电路近距离工作时,可以更有效地解调。整流电路采用了零阈值MOS管代替肖特基二极管,降低芯片成本。整流稳压电路可稳定地为芯片供电,供电电压2 V,建立时间仅为25μs。电路采用SMIC 0.18μm 2P4M CMOS工艺进行流片,芯片面积720μm×390μm。测试得到模拟前端整体工作电流仅2.4μA,标签工作距离大于7 m。 展开更多
关键词 射频识别 标签芯片 超高频 模拟前端 解调电路
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