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CMOS集成电路的抗辐射设计 被引量:6
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作者 张小平 雷天民 +1 位作者 杨松 陈仁生 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2003年第B12期68-70,共3页
随着商业微电子器件抗辐射能力的提高,使得对专用集成电路(ASIC)从设计上进行抗辐射加固成为可能。本文介绍了CMOS器件的抗电离辐射的主要加同设计方法,认为在商业工艺上可以获得低成本的中等复杂程度和耐辐射能力的专用集成电路(ASIC)。
关键词 CMOS 集成电路 抗辐射设计 微电子器件 专用集成电路 总剂量效应 单粒子效应 双环保护结构
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嵌入式系统中ROM的设计 被引量:1
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作者 郭劲松 陈仁生 沈绪榜 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2003年第1期67-69,72,共4页
文章分析讨论了ROM的工作原理和结构,并结合实际工作,详细论述了一个用于嵌入式系统的128K位ROM的设计和实现。针对字线负载大,速度慢的问题,从选择合适的译码方案和减少字线上的RC负载两个方面,提高字线的响应速度,从而使ROM的读取时... 文章分析讨论了ROM的工作原理和结构,并结合实际工作,详细论述了一个用于嵌入式系统的128K位ROM的设计和实现。针对字线负载大,速度慢的问题,从选择合适的译码方案和减少字线上的RC负载两个方面,提高字线的响应速度,从而使ROM的读取时间有较大的提高。同时设计中在VLSI可实现性的前提下,兼顾面积、功耗,测试表明:ROM的设计符合嵌入式系统的要求。 展开更多
关键词 嵌入式系统 ROM 设计 只读存储器 VLSI
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