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400cm^2 a-Si/a-Si 叠层太阳电池的研究被引量：13: 1; 作者耿新华李洪波 +5 位作者王宗畔吴春亚孙建陆靖谷孙仲林徐温元《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第4期345-351,共7页; 以全部国产化装备和工业用原材料，以简单铝背电极制备出初始效率为８．２８％，经室外阳光照射一年后稳定效率为７．３５％，面积为２０ｃｍ×２０ｃｍ，有效面积为３６０ｃｍ２ａ－Ｓｉ／ａ－Ｓｉ叠层太阳电池。主要制备技术措施... 展开更多; 关键词叠层太阳电池界面特性结构设计太阳能电池; 在线阅读下载PDF 职称材料

P型μC－SiC：H窗口材料掺杂特性的研究被引量：2: 2; 作者耿新华孙云 +4 位作者刘世国李洪波陆靖谷孙建徐温元《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第4期358-362,共5页; 用等离子体射频辉光放电法，在低衬底温度（＜１７０℃）、小ｒｆ功率（＜６０ｍＷｃｍ２）条件下，实现了硼掺杂硅碳合金薄膜材料的微晶化。获得了暗电导率σＤ～０．２ｓｃｍ－１、光带隙宽度Ｅｏｐｔ～２．２ｅＶ的ｐ型微晶氢化硅碳... 展开更多; 关键词微晶化硅碳硼合金薄膜掺杂特性; 在线阅读下载PDF 职称材料

用于非晶硅太阳电池的p型a-SiC:H:B窗口材料及其前后界面的研究被引量：5: 3; 作者耿新华孟志国 +3 位作者王广才孙云陆靖谷孙钟林《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第2期136-144,共9页; 本文报道了非晶硅p-i-n结构太阳电池窗口材料a-Si C∶H∶B及其前后界面SnO_2膜和本征a-Si∶H膜的研究结果。太阳电池的这三部分与性能参数V_(oc)、I_(sc)和FF直接有关,界面性质在一定程度上也影响太阳电池的稳定性。; 关键词非晶硅太阳能电池窗口材料; 在线阅读下载PDF 职称材料

低温n+μc-Si在大面积a-Si太阳电池上的应用被引量：2: 4; 作者耿新华孟志国 +1 位作者陆靖谷孙仲林《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第3期247-254,共8页; 为了提高大面积pin单结集成型非晶硅太阳电池的特性,采用掺磷低温微晶化硅(n^+μc-Si)做电池的n^+层,结果使10×0cm^2电池的开路电压从8.5V以下提高到9.0V以上,填充因子从0.62提高到0.65。本文对n^+μc-Si材料的特性及用于太阳电池... 展开更多; 关键词太阳能电池 A-SI n^+μc-Si 低温; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名400cm^2 a-Si/a-Si 叠层太阳电池的研究被引量：13: 1; 作者耿新华李洪波王宗畔吴春亚孙建陆靖谷孙仲林徐温元; 机构南开大学; 出处《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第4期345-351,共7页; 文摘以全部国产化装备和工业用原材料，以简单铝背电极制备出初始效率为８．２８％，经室外阳光照射一年后稳定效率为７．３５％，面积为２０ｃｍ×２０ｃｍ，有效面积为３６０ｃｍ２ａ－Ｓｉ／ａ－Ｓｉ叠层太阳电池。主要制备技术措施：（１）ＴＣＯ／ｐ界面接触特性的改善；（２）μｃ－ＳｉＣ∶Ｈ／ａ－ＳｉＣ∶Ｈ复合窗口层技术；（３）ｐ／ｉ界面Ｈ处理；（４）高质量本征ａ－Ｓｉ∶Ｈ材料；（５）优良的ｎ１／ｐ２隧道结；（６）最佳电池结构设计等。; 关键词叠层太阳电池界面特性结构设计太阳能电池; Keywords tandem solar cell,characteristics of interface,structure design; 分类号 TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名P型μC－SiC：H窗口材料掺杂特性的研究被引量：2: 2; 作者耿新华孙云刘世国李洪波陆靖谷孙建徐温元; 机构南开大学光电子研究所; 出处《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第4期358-362,共5页; 文摘用等离子体射频辉光放电法，在低衬底温度（＜１７０℃）、小ｒｆ功率（＜６０ｍＷｃｍ２）条件下，实现了硼掺杂硅碳合金薄膜材料的微晶化。获得了暗电导率σＤ～０．２ｓｃｍ－１、光带隙宽度Ｅｏｐｔ～２．２ｅＶ的ｐ型微晶氢化硅碳合金（μＣ－Ｓｉ：Ｂ：Ｈ）薄膜。晶化的关键是Ｈ２稀释率和掺杂水平的控制。对该材料的掺杂效应、光电特性以及掺杂水平对材料结构的影响进行了详细研究。; 关键词微晶化硅碳硼合金薄膜掺杂特性; Keywords microcrystallization. silicon-carbon-boron alloy, thin film.,low temperature.doping characteristics; 分类号 TM215.3 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名用于非晶硅太阳电池的p型a-SiC:H:B窗口材料及其前后界面的研究被引量：5: 3; 作者耿新华孟志国王广才孙云陆靖谷孙钟林; 机构南开大学电子科学系; 出处《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第2期136-144,共9页; 文摘本文报道了非晶硅p-i-n结构太阳电池窗口材料a-Si C∶H∶B及其前后界面SnO_2膜和本征a-Si∶H膜的研究结果。太阳电池的这三部分与性能参数V_(oc)、I_(sc)和FF直接有关,界面性质在一定程度上也影响太阳电池的稳定性。; 关键词非晶硅太阳能电池窗口材料; 分类号 TM201.4 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名低温n+μc-Si在大面积a-Si太阳电池上的应用被引量：2: 4; 作者耿新华孟志国陆靖谷孙仲林; 机构南开大学电子科学系; 出处《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第3期247-254,共8页; 文摘为了提高大面积pin单结集成型非晶硅太阳电池的特性,采用掺磷低温微晶化硅(n^+μc-Si)做电池的n^+层,结果使10×0cm^2电池的开路电压从8.5V以下提高到9.0V以上,填充因子从0.62提高到0.65。本文对n^+μc-Si材料的特性及用于太阳电池的实验情况做了详细的介绍,并对实验结果进行了讨论。; 关键词太阳能电池 A-SI n^+μc-Si 低温; 分类号 TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	400cm^2 a-Si/a-Si 叠层太阳电池的研究	耿新华李洪波王宗畔吴春亚孙建陆靖谷孙仲林徐温元	《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心	1998	13	在线阅读下载PDF 职称材料
2	P型μC－SiC：H窗口材料掺杂特性的研究	耿新华孙云刘世国李洪波陆靖谷孙建徐温元	《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心	1994	2	在线阅读下载PDF 职称材料
3	用于非晶硅太阳电池的p型a-SiC:H:B窗口材料及其前后界面的研究	耿新华孟志国王广才孙云陆靖谷孙钟林	《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心	1992	5	在线阅读下载PDF 职称材料
4	低温n+μc-Si在大面积a-Si太阳电池上的应用	耿新华孟志国陆靖谷孙仲林	《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心	1991	2	在线阅读下载PDF 职称材料