检索结果-维普期刊中文期刊服务平台

PCVD法合成的无定形Si_3N_4纳米粉末和薄膜的红外特性比较: 1; 作者陆忠乾江东亮谭寿洪《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期435-439,共5页; 用等离子冷放电化学气相法（PCVD）合成的高纯、超细的无定形Si3N4粉末，储放了不同时间和在红外灯下烘烤短时间后，进行红外光谱的测定．发现合成的粉末刚暴露于空气中就产生了氧化，而后随着储放时问的延长，表面氧化愈来愈严重，Si－... 展开更多; 关键词氧化红外光谱氮化硅陶瓷纳米粉末 PCVD法; 在线阅读下载PDF 职称材料

化学气相沉积法制备SiC纳米粉被引量：19: 2; 作者梁博黄政仁 +2 位作者江东亮谭寿洪陆忠乾《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第3期441-447,共7页; 本工作采用二甲基二氯硅烷和氢气为原料，在１１００～１４００℃温度条件下，通过化学气相沉积制备出了高纯、低氧含量的纳米ＳｉＣ粉体·实验结果指出，在１１００～１３００℃；制备得到的粉体颗粒由无定型相和β－ＳｉＣ微晶组... 展开更多; 关键词化学气相沉积纳米材料碳化硅陶瓷; 在线阅读下载PDF 职称材料

六甲基二硅胺烷(HMDS)为原料CVD制备硅基纳米粉体的研究被引量：7: 3; 作者江东亮陆忠乾 +1 位作者黄政仁严东生《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期356-362,共7页; 以六甲基二硅胺烷作原料，用CVD法合成的纳米粉体，在1000～1500℃温度范围内合成的均属无定形，1000℃合成的纳米颗粒呈圆球形，粒径8～10nm，少量25～30nm．在1400℃高温下合成的颗粒较均匀，为8～10nm的圆球形．经高温晶化处理后，... 展开更多; 关键词晶化甲基二硅胺烷纳米粉体气相沉积硅; 在线阅读下载PDF 职称材料

纳米SiC蓝光发射的研究被引量：5: 4; 作者刘渝珍黄允兰 +7 位作者石万全刘世祥姚德成张庶元韩一琴陆忠乾谭寿洪江东亮《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期50-54,共5页; 在４．６８ｅＶ的激光激发下，室温ＣＶＤ合成的纳米ＳｉＣ粉体，可发射４７５ｎｍ的蓝光，经６００～１１００℃在Ｎ２气氛下进行快速退火（ＲＴＡ）处理，其荧光强度随退火温度升高而增强，当Ｔ≥９００℃时，荧光强度下降，但发光峰... 展开更多; 关键词蓝色荧光快速热退火纳米级碳化硅粉体; 在线阅读下载PDF 职称材料

PCVD法对碳化硅陶瓷的表面改性研究被引量：1: 5; 作者谭寿洪陆忠乾 +2 位作者黄玉珍沈月华钟伯强《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第1期73-77,共5页; 利用等离子辉光放电化学气相沉积技术（ＰＣＶＤ），控制甲烷与磋烷质量流量比、硅烷与氨质量流量比，在碳化硅基体表面分别沉积上无定形碳化硅和氨化硅薄膜，研究其膜的组成、沉积工艺、厚度等对碳化硅陶瓷的强度改性影响．在一定的沉... 展开更多; 关键词氮化硅表面改性 PCVD法碳化硅陶瓷; 在线阅读下载PDF 职称材料

非晶薄膜的硬度测量: 6; 作者钟伯强朱文娟陆忠乾《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1991年第3期380-381,共2页; 用努普(Knoop)压痕法测量了沉积在普通玻璃上的 ITO,SnO_2和非晶硅薄膜的硬度。在0.245N 负荷下测得它们的硬度分别是7232、7987和4929MPa。这些薄膜材料的硬度取决于薄膜制备方法和制备时的工艺条件,同时也与测量方法有关。不同衬底温... 展开更多; 关键词 ITO SNO2 薄膜非晶硅硬度; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名PCVD法合成的无定形Si_3N_4纳米粉末和薄膜的红外特性比较: 1; 作者陆忠乾江东亮谭寿洪; 机构中国科学院上海硅酸盐研究所; 出处《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期435-439,共5页; 文摘用等离子冷放电化学气相法（PCVD）合成的高纯、超细的无定形Si3N4粉末，储放了不同时间和在红外灯下烘烤短时间后，进行红外光谱的测定．发现合成的粉末刚暴露于空气中就产生了氧化，而后随着储放时问的延长，表面氧化愈来愈严重，Si－O键的吸收峰强度明显增强，而Si－N－Si键，Si-H键的吸收峰则愈来愈弱，直至仅有极小的吸收．而用低温PCVD法合成的无定形薄膜的特征吸收峰宽且强，与刚合成的粉末的红外谱有许多相同之处，但峰的形状，强度不随时间的变化而变化．; 关键词氧化红外光谱氮化硅陶瓷纳米粉末 PCVD法; Keywords PCVD, amorphous silicon nitride powders, oxidation, IR spectrum; 分类号 TQ174.758 [化学工程—陶瓷工业]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名化学气相沉积法制备SiC纳米粉被引量：19: 2; 作者梁博黄政仁江东亮谭寿洪陆忠乾; 机构中国科学院上海硅酸盐研究所; 出处《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第3期441-447,共7页; 基金 "攀登计划"资助; 文摘本工作采用二甲基二氯硅烷和氢气为原料，在１１００～１４００℃温度条件下，通过化学气相沉积制备出了高纯、低氧含量的纳米ＳｉＣ粉体·实验结果指出，在１１００～１３００℃；制备得到的粉体颗粒由无定型相和β－ＳｉＣ微晶组成；而在１４００℃则粉体颗粒主要由β－ＳｉＣ微晶无序取向组成．随反应条件的改变，粉体平均粒径和β－ＳｉＣ微晶的平均尺寸分别在４０～７０ｎｍ和１．８～７．３ｎｍ范围内变化．同时，产物粉体的Ｃ／Ｓｉ摩尔比由低温１１００℃的０．５提高到１４００℃的１．０５．通过控制沉积条件如反应温度和反应物浓度，可以得到Ｃ／Ｓｉ摩尔比保持在０．９５～１．０５范围的、符合化学计量比的ＳｉＣ粉体．最后，用各种手段如化学分析，Ｘ射线衍射、透射电镜、高分辩电镜和红外吸收光谱等，对粉体性能和结构进行了表征．; 关键词化学气相沉积纳米材料碳化硅陶瓷; Keywords CVD, nanocrystal powders, silicon carbide; 分类号 TQ174.758 [化学工程—陶瓷工业]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名六甲基二硅胺烷(HMDS)为原料CVD制备硅基纳米粉体的研究被引量：7: 3; 作者江东亮陆忠乾黄政仁严东生; 机构中国科学院上海硅酸盐研究所; 出处《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期356-362,共7页; 基金国家攀登计划A"纳米材料科学"项目; 文摘以六甲基二硅胺烷作原料，用CVD法合成的纳米粉体，在1000～1500℃温度范围内合成的均属无定形，1000℃合成的纳米颗粒呈圆球形，粒径8～10nm，少量25～30nm．在1400℃高温下合成的颗粒较均匀，为8～10nm的圆球形．经高温晶化处理后，低温时合成的粉末呈晶须状，SiC和Si3N4相共存，以SiC相为主．较高温度下合成的粉体颗粒长大成20～40nm，以β-SiC相为主伴有α-SiC相，颗粒外表面有1～2nm的非晶层包裹，当在大气中存放三个月以后，则观测到原来品化的结构变成了无定形．; 关键词晶化甲基二硅胺烷纳米粉体气相沉积硅; Keywords CVD, nano, amorphous, crystallization; 分类号 TQ127.2 [化学工程—无机化工]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名纳米SiC蓝光发射的研究被引量：5: 4; 作者刘渝珍黄允兰石万全刘世祥姚德成张庶元韩一琴陆忠乾谭寿洪江东亮; 机构中国科学技术大学研究生院中国科学技术大学中国科学院上海硅酸盐研究所; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期50-54,共5页; 基金中国科技大学研究生院院长择优基金; 文摘在４．６８ｅＶ的激光激发下，室温ＣＶＤ合成的纳米ＳｉＣ粉体，可发射４７５ｎｍ的蓝光，经６００～１１００℃在Ｎ２气氛下进行快速退火（ＲＴＡ）处理，其荧光强度随退火温度升高而增强，当Ｔ≥９００℃时，荧光强度下降，但发光峰位与退火温度无关．通过ＸＲＤ、ＩＲ、ＴＥＭ、ＸＰＳ等研究。; 关键词蓝色荧光快速热退火纳米级碳化硅粉体; Keywords nanometer SiC powders, blue luminescence, rapid thermal annealing(RTA); 分类号 TN304.24 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名PCVD法对碳化硅陶瓷的表面改性研究被引量：1: 5; 作者谭寿洪陆忠乾黄玉珍沈月华钟伯强; 机构中国科学院上海硅酸盐研究所; 出处《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第1期73-77,共5页; 文摘利用等离子辉光放电化学气相沉积技术（ＰＣＶＤ），控制甲烷与磋烷质量流量比、硅烷与氨质量流量比，在碳化硅基体表面分别沉积上无定形碳化硅和氨化硅薄膜，研究其膜的组成、沉积工艺、厚度等对碳化硅陶瓷的强度改性影响．在一定的沉积条件下沉积的碳化硅薄膜可以使基体强度提高２０％达到８５０ＭＰａ，沉积氮化硅薄膜使强度提高３０％达到９００ＭＰａ，改性的效果很明显．; 关键词氮化硅表面改性 PCVD法碳化硅陶瓷; Keywords PCVD SiC Si_3N_4 surface modification; 分类号 TQ174.758 [化学工程—陶瓷工业]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名非晶薄膜的硬度测量: 6; 作者钟伯强朱文娟陆忠乾; 机构中国科学院上海硅酸盐研究所; 出处《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1991年第3期380-381,共2页; 文摘用努普(Knoop)压痕法测量了沉积在普通玻璃上的 ITO,SnO_2和非晶硅薄膜的硬度。在0.245N 负荷下测得它们的硬度分别是7232、7987和4929MPa。这些薄膜材料的硬度取决于薄膜制备方法和制备时的工艺条件,同时也与测量方法有关。不同衬底温度时沉积的非晶硅薄膜,其硬度随温度降低而减小,这与非晶硅薄膜中所含的氢的多少有关。; 关键词 ITO SNO2 薄膜非晶硅硬度; Keywords Hardness of thin films Knoop indentation ITO films SnO_2 films Amorphous silicon; 分类号 O484.5 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	PCVD法合成的无定形Si_3N_4纳米粉末和薄膜的红外特性比较	陆忠乾江东亮谭寿洪	《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	1997	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	化学气相沉积法制备SiC纳米粉	梁博黄政仁江东亮谭寿洪陆忠乾	《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	1996	19	在线阅读下载PDF 职称材料
3	六甲基二硅胺烷(HMDS)为原料CVD制备硅基纳米粉体的研究	江东亮陆忠乾黄政仁严东生	《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	1997	7	在线阅读下载PDF 职称材料
4	纳米SiC蓝光发射的研究	刘渝珍黄允兰石万全刘世祥姚德成张庶元韩一琴陆忠乾谭寿洪江东亮	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	1999	5	在线阅读下载PDF 职称材料
5	PCVD法对碳化硅陶瓷的表面改性研究	谭寿洪陆忠乾黄玉珍沈月华钟伯强	《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	1996	1	在线阅读下载PDF 职称材料
6	非晶薄膜的硬度测量	钟伯强朱文娟陆忠乾	《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	1991	0	在线阅读下载PDF 职称材料