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偏振分光膜中节瘤的激光损伤特性 被引量:4
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作者 阿卜杜萨拉木.图尼亚孜 程鑫彬 +2 位作者 鲍刚华 焦宏飞 王占山 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2015年第8期2461-2466,共6页
研究了1 064 nm Hf O2/Si O2偏振分光膜中节瘤的损伤特性。为了研究偏振分光膜中节瘤缺陷种子源粒径大小与损伤阈值之间的关系,在熔石英基板上植入了尺寸和密度可控的单分散性的Si O2小球,并采用电子束蒸发技术在熔石英基板上制备了1 06... 研究了1 064 nm Hf O2/Si O2偏振分光膜中节瘤的损伤特性。为了研究偏振分光膜中节瘤缺陷种子源粒径大小与损伤阈值之间的关系,在熔石英基板上植入了尺寸和密度可控的单分散性的Si O2小球,并采用电子束蒸发技术在熔石英基板上制备了1 064 nm Hf O2/Si O2偏振分光膜。为了便于损伤测试,节瘤缺陷密度控制在20~40 mm2左右,并采取旋涂的措施防止了Si O2小球团聚的现象。为了获得人工节瘤损伤能量的统计值,用脉宽为10 ns的1 064 nm脉冲激光进行了光栅扫描式损伤测试。实验结果表明在偏振分光膜中节瘤缺陷的损伤阈值随着种子源粒径的增大而单调下降。 展开更多
关键词 激光损伤 偏振分光膜 节瘤缺陷 人工节瘤
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