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MBE生长的GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs系中缺陷的研究: 1; 作者范缇文阎春辉 +3 位作者郑海群孔梅影田连地周玉清《电子显微学报》 CAS CSCD 1990年第3期193-193,共1页; GaAs_(1-x)Sb_x作为有前途的长波长光电材料已受到了广泛的重视。但是由于GaAs_(1-x)Sb_x在GaAs衬底上进行外延生长时存在过大的晶格失配度(约7.5％)而遇到了较大的困难。为了提高材料的质量,对于GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs体系异质结界面失... 展开更多; 关键词 MBE GaAs-Sb/GaAs 缺陷半导体材料; 在线阅读下载PDF 职称材料

金属有机源分子束外延(MOMBE)生长GaAs: 2; 作者阎春辉孙殿照 +5 位作者国红熙朱世荣黄运衡李晓兵曾一平孔梅影《高技术通讯》 EI CAS CSCD 1992年第6期12-16,共5页; 关键词分子束外延半导体砷化镓; 在线阅读下载PDF 职称材料

化学束外延生长GaAs/GaAs,InGaAs/GaAs,InP/InP,InGaAs/InP多量子阱材料被引量：1: 3; 作者孙殿照阎春辉 +4 位作者国红熙朱世荣黄运衡曾一平孔梅影《半导体情报》 1991年第6期46-48,共3页; 在国产首台CBE设备上,生长了GaAs上的GaAs,InP上的InP,InP上的InGaAs以及GaAs上的InGaAs多量子阱四种材料。纯GaAs为p型,载流子浓度为5.5×10^(15)cm^(-3),μ_(300K)=280cm^2/V·s,μ_(77K)=5000cm^2/v·s,基本没有表面椭... 展开更多; 关键词化合物半导体量子阱外延生长; 在线阅读下载PDF 职称材料

国内首台化学束外延(CBE)系统的设计考虑及外延结果: 4; 作者孙殿照孔梅影 +13 位作者韩汝水朱世荣阎春辉国红熙付首清周增圻张晓秋黄运衡谢琪刘世闯雷震林张利强余文斌乔金梁《半导体情报》 1991年第6期79-80,共2页; 研制了国内首台化学束外延(CBE)系统。半导体所用此系统进行了CBE实验,获得质量良好的半导体材料。本文给出该系统的设计考虑及CBE实验结果。; 关键词化学束外延设备半导材料设计; 在线阅读下载PDF 职称材料

GaAs／AlxGa_（1－x）As量子阱电极／非水溶液界面性能的研究被引量：1: 5; 作者刘尧肖绪瑞 +3 位作者曾一平孙殿照阎春辉郑海群《电化学》 CAS CSCD 1995年第2期136-140,共5页; 用阻抗谱研究了晶格匹配型单、多量子阱ＧａＡｓ／Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ电极在二茂铁乙腈溶液中的界面性能．得到了空间电荷层电容及表面态电容与电极电位的依赖关系．空间电荷电容与量子阱电极的结构有关，而表面态电容则决定... 展开更多; 关键词量子阱电极阻抗谱表面态界面性能; 在线阅读下载PDF 职称材料

用于HEMT的调制掺杂材料的研制: 6; 作者郑海群孙殿照 +3 位作者阎春辉梁基本曾一平孔梅影《半导体情报》 1991年第6期13-15,共3页; 本文介绍了AlGaAs/GaAs系列HEMT用的调制掺杂(MD)材料的研制工作,并且给出了用该材料研制的器件结果。; 关键词三元化合物半导体材料 HEMT 掺杂; 在线阅读下载PDF 职称材料

金属有机源分子束外延设备的研制: 7; 作者谢琪刘世闯 +8 位作者雷震霖张利强余文斌乔金梁孔梅影孙殿照韩汝水朱世莱阎春辉《半导体情报》 1991年第6期80-82,共3页; 本文报道了金属有机源分子束外廷设备的设计方案和技术特点。该设备最大样品尺寸为3英寸,3室结构,空气闭锁换样,6条气路。; 关键词金属有机化合物分子束外延设备; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名MBE生长的GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs系中缺陷的研究: 1; 作者范缇文阎春辉郑海群孔梅影田连地周玉清; 机构中国科学院半导体研究所中国科学院物理研究所; 出处《电子显微学报》 CAS CSCD 1990年第3期193-193,共1页; 文摘 GaAs_(1-x)Sb_x作为有前途的长波长光电材料已受到了广泛的重视。但是由于GaAs_(1-x)Sb_x在GaAs衬底上进行外延生长时存在过大的晶格失配度(约7.5％)而遇到了较大的困难。为了提高材料的质量,对于GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs体系异质结界面失配位错的分析已成为了有兴趣的研究课题。本文对用分子束外延(MBE)生长的GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs系材料的界面缺陷进行了横断面透射电子显微镜和高分辩电子显微镜的研究,目的在于了解界面的缺陷行为并探讨改进材料质量的途径。; 关键词 MBE GaAs-Sb/GaAs 缺陷半导体材料; 分类号 TN304.26 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名金属有机源分子束外延(MOMBE)生长GaAs: 2; 作者阎春辉孙殿照国红熙朱世荣黄运衡李晓兵曾一平孔梅影; 机构中国科学院半导体研究所; 出处《高技术通讯》 EI CAS CSCD 1992年第6期12-16,共5页; 关键词分子束外延半导体砷化镓; Keywords MOMBE GaAs Oval defects Ⅴ/Ⅲ ratio As4 Pressure; 分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名化学束外延生长GaAs/GaAs,InGaAs/GaAs,InP/InP,InGaAs/InP多量子阱材料被引量：1: 3; 作者孙殿照阎春辉国红熙朱世荣黄运衡曾一平孔梅影; 机构中国科学院半导体研究所中国科学院半导体材料科学开放实验室; 出处《半导体情报》 1991年第6期46-48,共3页; 文摘在国产首台CBE设备上,生长了GaAs上的GaAs,InP上的InP,InP上的InGaAs以及GaAs上的InGaAs多量子阱四种材料。纯GaAs为p型,载流子浓度为5.5×10^(15)cm^(-3),μ_(300K)=280cm^2/V·s,μ_(77K)=5000cm^2/v·s,基本没有表面椭圆缺陷,InGaAs/GaAs多量子阱的x光双晶衍射有10个卫星峰,光吸收谱有明显子带吸收。; 关键词化合物半导体量子阱外延生长; 分类号 TN304.26 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名国内首台化学束外延(CBE)系统的设计考虑及外延结果: 4; 作者孙殿照孔梅影韩汝水朱世荣阎春辉国红熙付首清周增圻张晓秋黄运衡谢琪刘世闯雷震林张利强余文斌乔金梁; 机构中国科学院半导体所中国科学院半导体所中国科学院半导体材料科学开放实验室中国科学院沈阳科仪厂; 出处《半导体情报》 1991年第6期79-80,共2页; 文摘研制了国内首台化学束外延(CBE)系统。半导体所用此系统进行了CBE实验,获得质量良好的半导体材料。本文给出该系统的设计考虑及CBE实验结果。; 关键词化学束外延设备半导材料设计; 分类号 TN304.054 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaAs／AlxGa_（1－x）As量子阱电极／非水溶液界面性能的研究被引量：1: 5; 作者刘尧肖绪瑞曾一平孙殿照阎春辉郑海群; 机构中国科学院感光化学所; 出处《电化学》 CAS CSCD 1995年第2期136-140,共5页; 文摘用阻抗谱研究了晶格匹配型单、多量子阱ＧａＡｓ／Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ电极在二茂铁乙腈溶液中的界面性能．得到了空间电荷层电容及表面态电容与电极电位的依赖关系．空间电荷电容与量子阱电极的结构有关，而表面态电容则决定于电极的表面性质如表面氧化层及二茂铁的吸附．分析和讨论了表面态的能级，密度的分布，来源和作用．; 关键词量子阱电极阻抗谱表面态界面性能; 分类号 O657.1 [理学—分析化学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名用于HEMT的调制掺杂材料的研制: 6; 作者郑海群孙殿照阎春辉梁基本曾一平孔梅影; 机构中国科学院半导体所; 出处《半导体情报》 1991年第6期13-15,共3页; 基金国家自然科学基金; 文摘本文介绍了AlGaAs/GaAs系列HEMT用的调制掺杂(MD)材料的研制工作,并且给出了用该材料研制的器件结果。; 关键词三元化合物半导体材料 HEMT 掺杂; 分类号 TN304.26 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名金属有机源分子束外延设备的研制: 7; 作者谢琪刘世闯雷震霖张利强余文斌乔金梁孔梅影孙殿照韩汝水朱世莱阎春辉; 机构中国科学院沈阳科仪厂中国科学院半导体所; 出处《半导体情报》 1991年第6期80-82,共3页; 文摘本文报道了金属有机源分子束外廷设备的设计方案和技术特点。该设备最大样品尺寸为3英寸,3室结构,空气闭锁换样,6条气路。; 关键词金属有机化合物分子束外延设备; 分类号 TN304.054 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	MBE生长的GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs系中缺陷的研究	范缇文阎春辉郑海群孔梅影田连地周玉清	《电子显微学报》 CAS CSCD	1990	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	金属有机源分子束外延(MOMBE)生长GaAs	阎春辉孙殿照国红熙朱世荣黄运衡李晓兵曾一平孔梅影	《高技术通讯》 EI CAS CSCD	1992	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	化学束外延生长GaAs/GaAs,InGaAs/GaAs,InP/InP,InGaAs/InP多量子阱材料	孙殿照阎春辉国红熙朱世荣黄运衡曾一平孔梅影	《半导体情报》	1991	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	国内首台化学束外延(CBE)系统的设计考虑及外延结果	孙殿照孔梅影韩汝水朱世荣阎春辉国红熙付首清周增圻张晓秋黄运衡谢琪刘世闯雷震林张利强余文斌乔金梁	《半导体情报》	1991	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	GaAs／AlxGa_（1－x）As量子阱电极／非水溶液界面性能的研究	刘尧肖绪瑞曾一平孙殿照阎春辉郑海群	《电化学》 CAS CSCD	1995	1	在线阅读下载PDF 职称材料
6	用于HEMT的调制掺杂材料的研制	郑海群孙殿照阎春辉梁基本曾一平孔梅影	《半导体情报》	1991	0	在线阅读下载PDF 职称材料
7	金属有机源分子束外延设备的研制	谢琪刘世闯雷震霖张利强余文斌乔金梁孔梅影孙殿照韩汝水朱世莱阎春辉	《半导体情报》	1991	0	在线阅读下载PDF 职称材料