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石墨烯/金属接触研究进展
被引量：
1
1
作者
闫祥宇
粟雅娟
+3 位作者
贾昆鹏
李梅
马源骏
韦亚一
《微纳电子技术》
北大核心
2017年第11期745-751,共7页
石墨烯/金属接触是石墨烯应用在集成电路领域的一个重要问题,按照其接触方式的不同,介绍了近年来关于石墨烯/金属接触的研究,主要分析了面接触与边缘接触的接触机理以及不同接触方式的器件结构,比较了各种接触方式的优劣。由于金属与石...
石墨烯/金属接触是石墨烯应用在集成电路领域的一个重要问题,按照其接触方式的不同,介绍了近年来关于石墨烯/金属接触的研究,主要分析了面接触与边缘接触的接触机理以及不同接触方式的器件结构,比较了各种接触方式的优劣。由于金属与石墨烯的电流主要通过边缘传输,通过在石墨烯与金属的接触界面引入边缘接触,增加了电流流经的路径,从而减小石墨烯与金属的接触电阻率。最后总结出边缘接触是最可能优化其接触电阻率的技术方案,并展望了石墨烯/金属接触的研究前景。
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关键词
石墨烯
金属
面接触
边缘接触
欧姆接触
二维材料
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职称材料
用于FET的PECVD SiN_x掺杂MoS_2的有效性与可控性
2
作者
战俊
粟雅娟
+3 位作者
罗军
贾昆鹏
段宁远
闫祥宇
《微纳电子技术》
北大核心
2017年第4期229-234,共6页
通过化学气相沉积(CVD)工艺成功生长出少层MoS_2薄膜,用Raman光谱仪对材料进行表征,验证了三层MoS_2材料的存在。基于CVD生长出的三层MoS_2薄膜材料完成了背栅场效应晶体管(FET)的制作工艺研发。对MoS_2FET器件进行了电学特性表征,研制...
通过化学气相沉积(CVD)工艺成功生长出少层MoS_2薄膜,用Raman光谱仪对材料进行表征,验证了三层MoS_2材料的存在。基于CVD生长出的三层MoS_2薄膜材料完成了背栅场效应晶体管(FET)的制作工艺研发。对MoS_2FET器件进行了电学特性表征,研制的MoS_2FET器件的开关比可达到1.45×10~6,器件的电子载流子场效应迁移率约为1 cm^2·V^(-1)·s^(-1)。对等离子增强化学气相沉积(PECVD)氮化硅(SiN_x)工艺掺杂MoS_2材料进行了研究,掺杂后器件的驱动电流提高了3倍多,验证了SiN_x掺杂MoS_2材料的有效性。通过控制PECVD SiN_x时间工艺参数对SiN_x薄膜厚度与掺杂浓度的关系进行了研究,随着SiN_x薄膜厚度增加器件的驱动电流逐渐增强,验证了SiN_x掺杂MoS_2材料的可控性。最后,对PECVD SiN_x工艺掺杂MoS_2材料的机理进行了讨论。
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关键词
二硫化钼场效应晶体管(MoS2
FET)
掺杂
二维(2D)半导体材料
过渡金属硫化物(TMD)
等离子体增强化学气相沉积(PECVD)
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职称材料
基于CVD单层MoS_2 FET的光电探测器
3
作者
战俊
粟雅娟
+2 位作者
贾昆鹏
罗军
闫祥宇
《微纳电子技术》
北大核心
2017年第7期437-443,共7页
通过化学气相沉积(CVD)工艺在SiO_2/Si衬底生长出MoS_2材料,对材料进行喇曼光谱表征,验证了单层MoS_2的存在;基于CVD生长的单层MoS_2完成了晶圆级背栅场效应晶体管(FET)光电探测器的工艺研发;对MoS_2 FET器件进行了电学特性表征,开关比...
通过化学气相沉积(CVD)工艺在SiO_2/Si衬底生长出MoS_2材料,对材料进行喇曼光谱表征,验证了单层MoS_2的存在;基于CVD生长的单层MoS_2完成了晶圆级背栅场效应晶体管(FET)光电探测器的工艺研发;对MoS_2 FET器件进行了电学特性表征,开关比可达到105数量级,场效应迁移率约为1 cm2·V-1·s-1,栅极漏电流为10-10 A数量级;对MoS2FET器件的光电特性进行了表征,该光电探测器具有普通光电导探测器的基本光电特性,其光电流随光照强度的增强以及源漏电压的增加而增加,同时由于栅极的调制提高了光电探测器的灵活性。通过控制栅极电压能够控制MoS2FET光电探测器的暗电流大小,实现对探测器η参数的有效调制。最后通过器件能带图对MoS_2 FET光电探测器的光电特性进行了阐释,为其走向实际应用奠定了理论基础。
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关键词
二硫化钼(MoS2)
场效应晶体管(FET)
二维(2D)半导体材料
光电探测器
过渡金属硫属化合物(TMD)
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职称材料
题名
石墨烯/金属接触研究进展
被引量：
1
1
作者
闫祥宇
粟雅娟
贾昆鹏
李梅
马源骏
韦亚一
机构
中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点研究室
中国科学院大学
北京理工大学光电学院
出处
《微纳电子技术》
北大核心
2017年第11期745-751,共7页
基金
国家重点研发计划资助项目(2016YFA02023)
文摘
石墨烯/金属接触是石墨烯应用在集成电路领域的一个重要问题,按照其接触方式的不同,介绍了近年来关于石墨烯/金属接触的研究,主要分析了面接触与边缘接触的接触机理以及不同接触方式的器件结构,比较了各种接触方式的优劣。由于金属与石墨烯的电流主要通过边缘传输,通过在石墨烯与金属的接触界面引入边缘接触,增加了电流流经的路径,从而减小石墨烯与金属的接触电阻率。最后总结出边缘接触是最可能优化其接触电阻率的技术方案,并展望了石墨烯/金属接触的研究前景。
关键词
石墨烯
金属
面接触
边缘接触
欧姆接触
二维材料
Keywords
graphene
metal
surface contact
edge contact
ohmic contact
two-dimensional ma-terial
分类号
TN304.18 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
用于FET的PECVD SiN_x掺杂MoS_2的有效性与可控性
2
作者
战俊
粟雅娟
罗军
贾昆鹏
段宁远
闫祥宇
机构
中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室
中国科学院大学
出处
《微纳电子技术》
北大核心
2017年第4期229-234,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(61306124)
文摘
通过化学气相沉积(CVD)工艺成功生长出少层MoS_2薄膜,用Raman光谱仪对材料进行表征,验证了三层MoS_2材料的存在。基于CVD生长出的三层MoS_2薄膜材料完成了背栅场效应晶体管(FET)的制作工艺研发。对MoS_2FET器件进行了电学特性表征,研制的MoS_2FET器件的开关比可达到1.45×10~6,器件的电子载流子场效应迁移率约为1 cm^2·V^(-1)·s^(-1)。对等离子增强化学气相沉积(PECVD)氮化硅(SiN_x)工艺掺杂MoS_2材料进行了研究,掺杂后器件的驱动电流提高了3倍多,验证了SiN_x掺杂MoS_2材料的有效性。通过控制PECVD SiN_x时间工艺参数对SiN_x薄膜厚度与掺杂浓度的关系进行了研究,随着SiN_x薄膜厚度增加器件的驱动电流逐渐增强,验证了SiN_x掺杂MoS_2材料的可控性。最后,对PECVD SiN_x工艺掺杂MoS_2材料的机理进行了讨论。
关键词
二硫化钼场效应晶体管(MoS2
FET)
掺杂
二维(2D)半导体材料
过渡金属硫化物(TMD)
等离子体增强化学气相沉积(PECVD)
Keywords
molybdenum disulfide field effect transistor（MoS2 FET）
doping
two-dimensional（2D） semiconductor material
transition metal dichalcogenide（TMD）
plasma enhanced chemical vapor deposition（PECVD）
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
TN305.3 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
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职称材料
题名
基于CVD单层MoS_2 FET的光电探测器
3
作者
战俊
粟雅娟
贾昆鹏
罗军
闫祥宇
机构
中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心
中国科学院大学
出处
《微纳电子技术》
北大核心
2017年第7期437-443,共7页
基金
国家自然科学基金资助项目(61306124)
文摘
通过化学气相沉积(CVD)工艺在SiO_2/Si衬底生长出MoS_2材料,对材料进行喇曼光谱表征,验证了单层MoS_2的存在;基于CVD生长的单层MoS_2完成了晶圆级背栅场效应晶体管(FET)光电探测器的工艺研发;对MoS_2 FET器件进行了电学特性表征,开关比可达到105数量级,场效应迁移率约为1 cm2·V-1·s-1,栅极漏电流为10-10 A数量级;对MoS2FET器件的光电特性进行了表征,该光电探测器具有普通光电导探测器的基本光电特性,其光电流随光照强度的增强以及源漏电压的增加而增加,同时由于栅极的调制提高了光电探测器的灵活性。通过控制栅极电压能够控制MoS2FET光电探测器的暗电流大小,实现对探测器η参数的有效调制。最后通过器件能带图对MoS_2 FET光电探测器的光电特性进行了阐释,为其走向实际应用奠定了理论基础。
关键词
二硫化钼(MoS2)
场效应晶体管(FET)
二维(2D)半导体材料
光电探测器
过渡金属硫属化合物(TMD)
Keywords
molybdenum disulfide（MoS2）
field effect transistor（FET）
two dimensional（2D） semiconductor material
photodetector
transition metal dichalcogenide（TMD）
分类号
TN304.9 [电子电信—物理电子学]
TN364 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
石墨烯/金属接触研究进展
闫祥宇
粟雅娟
贾昆鹏
李梅
马源骏
韦亚一
《微纳电子技术》
北大核心
2017
1
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职称材料
2
用于FET的PECVD SiN_x掺杂MoS_2的有效性与可控性
战俊
粟雅娟
罗军
贾昆鹏
段宁远
闫祥宇
《微纳电子技术》
北大核心
2017
0
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下载PDF
职称材料
3
基于CVD单层MoS_2 FET的光电探测器
战俊
粟雅娟
贾昆鹏
罗军
闫祥宇
《微纳电子技术》
北大核心
2017
0
在线阅读
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职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
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