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10kV SiC GTO器件特性研究
1
作者
程琳
罗佳敏
+4 位作者
龚存昊
张有润
唐毅
门富媛
都小利
《电子与封装》
2022年第3期12-17,共6页
基于第三代宽禁带半导体材料4H-SiC的超高压门极可关断晶闸管(Gate Turn-Off Thyristor,GTO)器件,在双向载流子注入和电导调制效应的作用下,器件在耐高压的同时获得高通态电流,在功率密度和可靠性等方面可以满足超大功率应用的要求。考...
基于第三代宽禁带半导体材料4H-SiC的超高压门极可关断晶闸管(Gate Turn-Off Thyristor,GTO)器件,在双向载流子注入和电导调制效应的作用下,器件在耐高压的同时获得高通态电流,在功率密度和可靠性等方面可以满足超大功率应用的要求。考虑到正向阻断电压、正向导通压降和脉冲电路下的开启时间等,提出了10 kV 4H-SiC GTO器件,借助Silvaco TCAD仿真研究了GTO器件的正向导通特性、正向阻断特性、动态开关特性和脉冲放电特性,得出了其正向导通压降为4.605 V,正向阻断电压为14.78 kV,开启时间为55 ns,关断时间为13.3 ns。
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关键词
4H-SIC
门极可关断晶闸管
脉冲放电特性
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职称材料
题名
10kV SiC GTO器件特性研究
1
作者
程琳
罗佳敏
龚存昊
张有润
唐毅
门富媛
都小利
机构
国网安徽省电力有限公司培训中心
电子科技大学电子科学与工程学院
出处
《电子与封装》
2022年第3期12-17,共6页
基金
国网安徽省电力有限公司培训中心科技项目(2017QC02)。
文摘
基于第三代宽禁带半导体材料4H-SiC的超高压门极可关断晶闸管(Gate Turn-Off Thyristor,GTO)器件,在双向载流子注入和电导调制效应的作用下,器件在耐高压的同时获得高通态电流,在功率密度和可靠性等方面可以满足超大功率应用的要求。考虑到正向阻断电压、正向导通压降和脉冲电路下的开启时间等,提出了10 kV 4H-SiC GTO器件,借助Silvaco TCAD仿真研究了GTO器件的正向导通特性、正向阻断特性、动态开关特性和脉冲放电特性,得出了其正向导通压降为4.605 V,正向阻断电压为14.78 kV,开启时间为55 ns,关断时间为13.3 ns。
关键词
4H-SIC
门极可关断晶闸管
脉冲放电特性
Keywords
4H-SiC
gate turn-off thyristor
pulse discharge characteristic
分类号
TN341 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
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1
10kV SiC GTO器件特性研究
程琳
罗佳敏
龚存昊
张有润
唐毅
门富媛
都小利
《电子与封装》
2022
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