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类风湿关节炎患者血清长链非编码RNA-Hox转录反义RNA表达变化及其意义 被引量:1
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作者 铁宁 王勇 +1 位作者 满大夫 于洋 《山东医药》 CAS 2019年第33期23-26,共4页
目的观察类风湿关节炎(RA)患者血清长链非编码RNA(LncRNA)-Hox转录反义RNA(HOTAIR)的表达变化,并探讨其临床意义。方法选择RA患者(RA组)132例,同期健康体检者50例(对照组)。取RA组入院第二天,对照组入院当天的空腹静脉血,采用实时RT-PC... 目的观察类风湿关节炎(RA)患者血清长链非编码RNA(LncRNA)-Hox转录反义RNA(HOTAIR)的表达变化,并探讨其临床意义。方法选择RA患者(RA组)132例,同期健康体检者50例(对照组)。取RA组入院第二天,对照组入院当天的空腹静脉血,采用实时RT-PCR法检测血清LncRNA-HOTAIR,ELISA法检测抗环瓜氨酸肽(CCP)抗体,速率散射比浊法检测RF、CRP,魏氏法检测ESR。分析RA患者血清LncRNA-HOTAIR水平与患者临床参数(DAS28,炎性指标及年龄、性别、病程、疼痛关节数)的关系。ROC分析血清LncRNA-HOTAIR水平对RA的诊断价值。结果RA组血清LncRNA-HOTAIR、抗CCP抗体、RF、CRP、ESR水平高于对照组(P均<0.05)。RA组病情高度活动者血清LncRNA-HOTAIR水平高于中度及低度活动者(P均<0.05)。RA组血清LncRNA-HOTAIR水平与DAS28呈正相关(r=0.645,P=0.009)。血清LncRNA-HOTAIR诊断RA的ROC下面积为0.706,敏感度71%,特异度82%。结论RA患者血清LncRNA-HOTAIR水平升高,其水平变化与疾病活动程度有关,对RA的诊断准确度较高。 展开更多
关键词 长链非编码核糖核酸 Hox转录反义RNA 类风湿关节炎
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电子级三氟化硼-^(11)B的合成与纯化、分析技术研究进展
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作者 付豪 张金彪 +3 位作者 郭琼 何红振 铁宁 袁胜芳 《低温与特气》 CAS 2024年第3期1-6,共6页
我国处在电子和半导体等关键产业升级的快速发展阶段,相关产业配套原材料供给问题一直备受关注。高纯电子级三氟化硼-^(11)B气体是半导体离子注入的关键离子源,在电子产业领域应用广泛。介绍了近几年三氟化硼-^(11)B的国内外发展现状,... 我国处在电子和半导体等关键产业升级的快速发展阶段,相关产业配套原材料供给问题一直备受关注。高纯电子级三氟化硼-^(11)B气体是半导体离子注入的关键离子源,在电子产业领域应用广泛。介绍了近几年三氟化硼-^(11)B的国内外发展现状,三氟化硼-^(11)B的合成方法、纯化工艺和各种工艺的优缺点,列举了硼同位素分离技术和检测分析方法。在工业生产中会采取精馏、吸附、化学转化等联合的方法对三氟化硼-^(11)B进行产业化生产,具有一定的参考价值和指导意义。 展开更多
关键词 三氟化硼-^(11)B 纯化 硼同位素分离
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钴酸锰@四硫化钴锰纳米复合材料的制备及其超级电容性能研究 被引量:1
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作者 金洁 戴亚堂 +1 位作者 鲁静华 铁宁 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2021年第6期188-191,196,共5页
采用简单的水热法和煅烧处理手段,在泡沫镍上生长了四硫化钴锰(MnCo_(2)O_(4))纳米线。将MnCo_(2)O_(4)前体浸入Na_(2)S水溶液后,S^(2-)到达MnCo_(2)O_(4)的外表面,硫置换氧形成MnCo_(2)S_(4),以得到具有MnCo_(2)O_(4)@MnCo_(2)S_(4)核... 采用简单的水热法和煅烧处理手段,在泡沫镍上生长了四硫化钴锰(MnCo_(2)O_(4))纳米线。将MnCo_(2)O_(4)前体浸入Na_(2)S水溶液后,S^(2-)到达MnCo_(2)O_(4)的外表面,硫置换氧形成MnCo_(2)S_(4),以得到具有MnCo_(2)O_(4)@MnCo_(2)S_(4)核/壳纳米结构的超级电容器电极。使用场发射扫描电子显微镜,透射电子显微镜,X射线衍射和X射线光电子能谱对样品进行表征。制备的核/壳纳米结构显示了其组分优势和用于超级电容器电极的协同作用。该材料在1A/g的电流密度下可提供2212.5F/g的高比电容,并在三电极系统中表现出良好的倍率性能。在10A/g的电流密度下循环5000次后,材料的电容保持率为89%,证明其具有出色的循环稳定性。 展开更多
关键词 钴酸锰@四硫化钴锰 电极材料 超级电容器 纳米复合结构
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腐蚀性电子气体中痕量水分的去除研究进展 被引量:1
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作者 张金彪 翟晓颖 +1 位作者 袁胜芳 铁宁 《低温与特气》 CAS 2021年第4期1-4,50,共5页
电子级氯化氢(HCl)、溴化氢(HBr)和氟化氢(HF)等高纯气体是半导体领域不可或缺的原材料之一,作为芯片先进支撑的一类核心气体主要用于芯片制造中的硅片蚀刻等工艺。随着电子行业的飞速发展,对电子气体的纯度要求越来越高。HCl、HBr和HF... 电子级氯化氢(HCl)、溴化氢(HBr)和氟化氢(HF)等高纯气体是半导体领域不可或缺的原材料之一,作为芯片先进支撑的一类核心气体主要用于芯片制造中的硅片蚀刻等工艺。随着电子行业的飞速发展,对电子气体的纯度要求越来越高。HCl、HBr和HF电子气体具有腐蚀性和强烈的亲水性,且遇水后腐蚀性增强,损耗设备,影响气体纯度,因此对其纯化过程中水分杂质的去除提出了严苛的要求。介绍了近年来腐蚀性电子气体HCl、HBr和HF中痕量水分的去除工艺;展望了HCl、HBr和HF电子气体的发展前景。 展开更多
关键词 电子气体 HCL HBR HF 除水
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六氟化钼的制备 被引量:1
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作者 袁胜芳 张金彪 +2 位作者 铁宁 翟晓颖 谢腾升 《低温与特气》 CAS 2023年第1期18-19,共2页
六氟化钼在电子信息产业及核电源中有着明显的优势,简述了六氟化钼(MoF6)的理化性质及制备方法,对目前几种常用的六氟化钼的制备工艺技术进行简单总结。
关键词 六氟化钼 制备 纯化 蒸馏
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硫化氢干法脱除技术研究进展 被引量:1
6
作者 白毅鸿 袁胜芳 +3 位作者 张金彪 翟晓颖 铁宁 王珂 《低温与特气》 CAS 2023年第2期1-6,16,共7页
硫化氢(H2S)是严重危害生产及生活安全的典型气体污染物。干法脱除H2S技术凭借经济环保、工艺简便等优势被视为研究重点。阐述了干法脱硫技术所包含的分子筛法、金属氧化物法、活性炭法、克劳斯法、金属有机框架法等5种主要的脱除H2S的... 硫化氢(H2S)是严重危害生产及生活安全的典型气体污染物。干法脱除H2S技术凭借经济环保、工艺简便等优势被视为研究重点。阐述了干法脱硫技术所包含的分子筛法、金属氧化物法、活性炭法、克劳斯法、金属有机框架法等5种主要的脱除H2S的方法,并且提出了新型的离子金属液体脱硫法。分析了当前干法脱硫技术的局限性以及相应的改进方向,并对干法脱硫技术的发展进行了总结与展望。 展开更多
关键词 硫化氢 干法脱硫 离子金属液体 改进
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高纯溴化氢的制备及纯化技术研究进展 被引量:1
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作者 袁胜芳 任章顺 +2 位作者 张金彪 翟晓颖 铁宁 《低温与特气》 CAS 2021年第3期1-4,共4页
高纯溴化氢是一种理想的氟碳类蚀刻气体的替代品,其具有优异的蚀刻性能,被用于新一代微电子工业。综述了溴化氢的的制备工艺及纯化方法。在实际生产中,优先选用燃烧法制备溴化氢,再根据杂质种类和含量选择合适的纯化方法,得到高纯度的... 高纯溴化氢是一种理想的氟碳类蚀刻气体的替代品,其具有优异的蚀刻性能,被用于新一代微电子工业。综述了溴化氢的的制备工艺及纯化方法。在实际生产中,优先选用燃烧法制备溴化氢,再根据杂质种类和含量选择合适的纯化方法,得到高纯度的溴化氢产品。 展开更多
关键词 高纯溴化氢 制备 吸附 精馏
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