期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
镶嵌于非晶碳化硅中的高导电性掺杂纳米晶硅的制备与电学性能研究
1
作者
季阳
单丹
+3 位作者
钱明庆
李伟
徐骏
陈坤基
《南京大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第5期780-786,共7页
对不同C/Si比的掺磷非晶碳化硅薄膜的光电性质进行了研究.发现对于原始样品,随着C/Si比的减小,材料的光学带隙逐渐减小,暗电导率逐渐增大.对于1000℃退火后的样品,材料的暗电导率有了6到7个数量级的提高.随着膜中C/Si比的减小,材料中Si-...
对不同C/Si比的掺磷非晶碳化硅薄膜的光电性质进行了研究.发现对于原始样品,随着C/Si比的减小,材料的光学带隙逐渐减小,暗电导率逐渐增大.对于1000℃退火后的样品,材料的暗电导率有了6到7个数量级的提高.随着膜中C/Si比的减小,材料中Si-C键密度逐渐减少,结晶度提高,光学带隙有所增大,多数载流子迁移率增大,暗电导率逐渐增大.此外,薄膜中组分比的改变对材料中掺杂磷原子的激活效率以及材料的电导率激活能等都会产生相应影响.随着C/Si比的减小,退火后样品的掺杂磷原子的激活效率随之改变,表现为载流子浓度先增大后减小的趋势,这与材料的结晶程度有很大的关系.退火后样品的电导率激活能随着C/Si比的减小而逐渐减小,费米能级逐渐靠近导带底,最后位于导带底甚至进入导带,使材料表现为重掺杂的特性.
展开更多
关键词
碳硅比
纳米晶
碳化硅
暗电导率
电学性质
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
镶嵌于非晶碳化硅中的高导电性掺杂纳米晶硅的制备与电学性能研究
1
作者
季阳
单丹
钱明庆
李伟
徐骏
陈坤基
机构
固体微结构物理国家重点实验室
出处
《南京大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第5期780-786,共7页
基金
国家自然科学基金(11274155)
江苏省“333”工程(BRA2015284)
江苏省2015年度普通高校研究生实践创新计划(SJLX15_0019)
文摘
对不同C/Si比的掺磷非晶碳化硅薄膜的光电性质进行了研究.发现对于原始样品,随着C/Si比的减小,材料的光学带隙逐渐减小,暗电导率逐渐增大.对于1000℃退火后的样品,材料的暗电导率有了6到7个数量级的提高.随着膜中C/Si比的减小,材料中Si-C键密度逐渐减少,结晶度提高,光学带隙有所增大,多数载流子迁移率增大,暗电导率逐渐增大.此外,薄膜中组分比的改变对材料中掺杂磷原子的激活效率以及材料的电导率激活能等都会产生相应影响.随着C/Si比的减小,退火后样品的掺杂磷原子的激活效率随之改变,表现为载流子浓度先增大后减小的趋势,这与材料的结晶程度有很大的关系.退火后样品的电导率激活能随着C/Si比的减小而逐渐减小,费米能级逐渐靠近导带底,最后位于导带底甚至进入导带,使材料表现为重掺杂的特性.
关键词
碳硅比
纳米晶
碳化硅
暗电导率
电学性质
Keywords
C/Si ratio
nanocrystalline
silicon carbide
dark conductivity
electrical properties
分类号
O047 [理学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
镶嵌于非晶碳化硅中的高导电性掺杂纳米晶硅的制备与电学性能研究
季阳
单丹
钱明庆
李伟
徐骏
陈坤基
《南京大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2016
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
