Ga-Ti共掺杂ZnO透明导电薄膜的微观结构和光电性能研究 被引量：3

1

作者 钟志有 龙路 +1 位作者 陆轴 龙浩 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第16期8-12,共5页

采用磁控溅射方法在玻璃基片上制备了Ga-Ti共掺杂ZnO(GTZO)透明导电薄膜,通过XRD、四探针仪和分光光度计测试,研究了氩气压强对GTZO薄膜光电性能和晶体结构的影响。结果表明:所有GTZO薄膜均为(002)择优取向的六角纤锌矿结构,其光电性能... 采用磁控溅射方法在玻璃基片上制备了Ga-Ti共掺杂ZnO(GTZO)透明导电薄膜,通过XRD、四探针仪和分光光度计测试,研究了氩气压强对GTZO薄膜光电性能和晶体结构的影响。结果表明:所有GTZO薄膜均为(002)择优取向的六角纤锌矿结构,其光电性能和晶体结构与氩气压强密切相关。当氩气压强为0.4Pa时,GTZO薄膜具有最大的晶粒尺寸(85.7nm)、最小的压应力(-0.231GPa)、最高的可见光区平均透射率(86.1%)、最低的电阻率(1.56×10-3Ω·cm)和最大的品质因子(4.28×105Ω-1·cm-1),其光电综合性能最佳。另外,采用光学表征方法计算了薄膜的光学能隙和折射率,并利用有效单振子理论对折射率的色散性质进行了分析,获得了GTZO薄膜的色散参数。 展开更多

关键词 透明导电薄膜 掺杂ZnO 磁控溅射 光电性能

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钛镓合掺氧化锌半导体薄膜的制备及其性能研究 被引量：2

2

作者 钟志有 陆轴 +2 位作者 龙路 顾锦华 龙浩 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2016年第8期62-65,共4页

采用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上制备钛镓合掺氧化锌(TGZO)半导体薄膜,通过XRD、XPS、四探针和透射光谱等方法测试表征,研究了衬底温度对薄膜微观结构、晶粒生长和光电综合性能的影响。结果表明:TGZO薄膜具有高度的c轴择优取向生长特... 采用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上制备钛镓合掺氧化锌(TGZO)半导体薄膜,通过XRD、XPS、四探针和透射光谱等方法测试表征,研究了衬底温度对薄膜微观结构、晶粒生长和光电综合性能的影响。结果表明:TGZO薄膜具有高度的c轴择优取向生长特性,其微观结构和光电性能与衬底温度密切相关。当衬底温度为340℃时,TGZO薄膜具有最大的织构系数(2.963)、最大的晶粒尺寸(85.7nm)、最小的微应变(0.231)、最低的电阻率(1.87×10-3Ω·cm)、最高的可见光区平均透射率(84.8%)和最大的品质因数(451.2Ω-1·cm-1)。其晶体质量和光电综合性能最佳。 展开更多

关键词 氧化锌薄膜 射频磁控溅射 微观结构

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生长温度对掺钛氧化锌薄膜光学性质的影响 被引量：3

3

作者 钟志有 汪浩 +1 位作者 张腾 周金 《武汉工程大学学报》 CAS 2012年第9期34-38,共5页

以氧化锌钛陶瓷靶作为溅射源,采用磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了掺钛氧化锌(TZO)透明导电薄膜,通过X射线衍射仪和分光光度计测试表征以及全光谱拟合法分析,研究了生长温度对TZO薄膜晶体结构和光学性质的影响.结果表明:所有TZO样品均... 以氧化锌钛陶瓷靶作为溅射源,采用磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了掺钛氧化锌(TZO)透明导电薄膜,通过X射线衍射仪和分光光度计测试表征以及全光谱拟合法分析,研究了生长温度对TZO薄膜晶体结构和光学性质的影响.结果表明:所有TZO样品均为六角纤锌矿结构,并具有(002)择优取向,生长温度对薄膜晶粒尺寸和光学透射率的影响较明显,而对折射率、消光系数和光学能隙的影响较小.当生长温度为200℃时,TZO薄膜的晶粒尺寸最大,可见光范围平均透射率(含衬底)为76.1%,对应的直接光学能隙为3.45 eV. 展开更多

关键词 掺钛氧化锌薄膜 磁控溅射 微观结构 光学常数

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有机电致发光器件的驱动技术 被引量：25

4

作者 尹盛 刘卫忠 +3 位作者 刘陈 钟志有 徐重阳 邹雪城 《液晶与显示》 CAS CSCD 2003年第2期106-111,共6页

只有结合良好的驱动技术才能将OLED的特点表现出来。OLED的驱动方式可分为有源驱动和无源驱动,分别对这两种驱动技术作一评述。OLED需结合TFT有源驱动技术才有可能进一步发展,而LTPSTFT技术几乎是惟一的选择。使用数字驱动电路是目前的... 只有结合良好的驱动技术才能将OLED的特点表现出来。OLED的驱动方式可分为有源驱动和无源驱动,分别对这两种驱动技术作一评述。OLED需结合TFT有源驱动技术才有可能进一步发展,而LTPSTFT技术几乎是惟一的选择。使用数字驱动电路是目前的发展趋势。 展开更多

关键词 有机电致发光器件 驱动技术 OLED 有源驱动 无源驱动

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双异质型蓝色OLED器件的研究 被引量：12

5

作者 季兴桥 黎威志 +3 位作者 钟志有 高亭 王涛 蒋亚东 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期235-239,共5页

采用真空蒸镀法制备了ITO/NPB/BAlq3/Alq3/Mg∶Ag(双异质型)和ITO/NPB/BAlq3/Mg∶Ag(传统型)两种结构的蓝色有机电致发光器件(OLED),并研究了器件结构对OLED光电性能的具体影响。实验结果表明,器件结构对OLED的发光光谱没有影响,其谱峰... 采用真空蒸镀法制备了ITO/NPB/BAlq3/Alq3/Mg∶Ag(双异质型)和ITO/NPB/BAlq3/Mg∶Ag(传统型)两种结构的蓝色有机电致发光器件(OLED),并研究了器件结构对OLED光电性能的具体影响。实验结果表明,器件结构对OLED的发光光谱没有影响,其谱峰均位于480nm。但是器件结构却显著影响OLED的发光性能,与传统型结构器件相比,双异质型结构OLED的最大发光效率和最大发光亮度分别提高了4.5倍和5.5倍,达到1.90lm/W和10000cd/m2。这是因为双异质型器件结构中引入了电子传输层Alq3和空穴阻挡层BAlq3,从而使得能级匹配更加合理,载流子注入更加平衡的缘故。 展开更多

关键词 OLED 双异质型结构 器件性能

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有机电致发光材料的研发现状 被引量：17

6

作者 尹盛 刘陈 钟志有 《化工新型材料》 CAS CSCD 2003年第1期1-4,共4页

有机电致发光器件 (OLED)具有驱动电压低、主动发光等优势 ,在平板显示领域具有极大的应用前景而引起了广泛的关注。与此同时有机电致发光材料的研发也取得了很大的进展。本文介绍了近年来有机电致发光材料 (包括小分子发光材料和聚合... 有机电致发光器件 (OLED)具有驱动电压低、主动发光等优势 ,在平板显示领域具有极大的应用前景而引起了广泛的关注。与此同时有机电致发光材料的研发也取得了很大的进展。本文介绍了近年来有机电致发光材料 (包括小分子发光材料和聚合物发光材料 ) 展开更多

关键词 有机电致发光材料 有机电致发光器件 小分子发光材料 聚合物发光材料 平板显示

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退火对聚合物有机发光器件的影响 被引量：4

7

作者 尹盛 刘卫忠 +2 位作者 刘陈 钟志有 王长安 《液晶与显示》 CAS CSCD 2003年第3期175-178,共4页

制作了结构为ITO/MEH PPV/Al的单层聚合物有机发光器件(PLED),在镀铝电极前后分别对器件进行高于MEH PPV玻璃化温度的退火处理。结果表明,镀铝电极后的退火处理可使器件的效率提高30%左右,器件的寿命增加40%左右;而镀铝电极前的退火处... 制作了结构为ITO/MEH PPV/Al的单层聚合物有机发光器件(PLED),在镀铝电极前后分别对器件进行高于MEH PPV玻璃化温度的退火处理。结果表明,镀铝电极后的退火处理可使器件的效率提高30%左右,器件的寿命增加40%左右;而镀铝电极前的退火处理对器件影响不大。 展开更多

关键词 退火 聚合物有机发光器件 PLED 平板显示 温度

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蓝光OLED的掺杂研究 被引量：2

8

作者 季兴桥 黎威志 +2 位作者 钟志有 王涛 蒋亚东 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期416-419,共4页

采用蓝色发光材料ADN为主体发光材料、BAlq3为掺杂材料,通过改变BAlq3的掺杂浓度制备了结构为ITO／NPB／ADN:BAlq3／Alq3／Mg:Ag的一系列蓝光有机发光器件(OLED)。研究了器件各有机层之间的能级匹配和BAlq3的掺杂浓度对载流子注入、传... 采用蓝色发光材料ADN为主体发光材料、BAlq3为掺杂材料,通过改变BAlq3的掺杂浓度制备了结构为ITO／NPB／ADN:BAlq3／Alq3／Mg:Ag的一系列蓝光有机发光器件(OLED)。研究了器件各有机层之间的能级匹配和BAlq3的掺杂浓度对载流子注入、传输、复合以及发光色纯度的影响。实验结果表明,空穴阻挡材料BAlq3的掺入显著影响OLED的电流密度、发光亮度、发光效率和发光光谱,当BAlq3的掺杂浓度为25％时,OLED的发光效率为1．0 lm／W,发光光谱的峰值为440 nm,色纯度为(0．18,0．15),未封装器件的半衰期为950小时,器件同时满足了高效率和高色纯度的要求。 展开更多

关键词 光电子学 蓝光有机电致发光器件 掺杂 能级匹配 载流子

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阳极氧化法制备TiO_2纳米管及特性研究 被引量：2

9

作者 韦世良 何翔 +1 位作者 孙奉娄 钟志有 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2008年第11期91-93,共3页

采用单向直流脉冲电源阳极氧化方法,在乙二醇＋0.5%（wt）NH4F的电解质溶液中,在电压为40-60V之间制备了直径为90-142nm、管壁厚度为21.8-17nm的TiO2纳米管。对阳极氧化过程中加入和不加超声波辅助条件进行了对比实验。通过对试样的SEM... 采用单向直流脉冲电源阳极氧化方法,在乙二醇＋0.5%（wt）NH4F的电解质溶液中,在电压为40-60V之间制备了直径为90-142nm、管壁厚度为21.8-17nm的TiO2纳米管。对阳极氧化过程中加入和不加超声波辅助条件进行了对比实验。通过对试样的SEM测试和阳极氧化过程中数字万用表不间断采集得到的平均电流表明,TiO2纳米管的形貌、生长速度密切依赖于氧化处理的电参数和超声波辅助源。同时通过XRD和UV-Vis等检测手段对TiO2纳米管退火前后的特性进行了研究。 展开更多

关键词 直流脉冲 阳极氧化 TIO2纳米管

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ITO表面改性对有机电致发光器件性能的影响 被引量：1

10

作者 黎威志 季兴桥 +2 位作者 阳秀 钟志有 蒋亚东 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期955-957,961,共4页

采用乙醇、氧等离子、NaOH、浓硫酸分别对氧化铟锡薄膜进行了处理;利用原子力显微镜、X-射线光电子能谱、接触角测试仪对处理后薄膜的表面形貌、化学组分及表面能进行了研究。实验结果表明经浓硫酸和NaOH处理后的氧化铟锡薄膜表面具有... 采用乙醇、氧等离子、NaOH、浓硫酸分别对氧化铟锡薄膜进行了处理;利用原子力显微镜、X-射线光电子能谱、接触角测试仪对处理后薄膜的表面形貌、化学组分及表面能进行了研究。实验结果表明经浓硫酸和NaOH处理后的氧化铟锡薄膜表面具有较低的粗糙度、较小的表面颗粒半径、较低的碳污染以及较高的表面能;另外,以不同材料处理的氧化铟锡基片为阳极采用真空热蒸发法制备了双层结构发光器件ITO/NPB/AlQ/Mg:Ag/Ag,并对器件的电流-电压(J-V)、亮度-电压(B-V)特性以及效率(η)进行了测试和分析,结果表明乙醇处理基片做制备器件性能最差,而经浓硫酸、NaOH处理后的氧化铟锡基片所制备的双层器件的光电性能优于氧等离子处理,其启亮电压更低,发光亮度及效率更高。 展开更多

关键词 氧化铟锡 有机发光二极管 表面能 表面改性

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PVK空穴传输层对有机电致发光器件性能的影响 被引量：1

11

作者 黎威志 阳秀 +2 位作者 季兴桥 钟志有 蒋亚东 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期719-723,共5页

以聚乙烯基咔唑poly(N-vinylcarbazole)(PVK)旋涂层为空穴传输层,着重研究了PVK层厚度对双层器件氧化铟锡(ITO)/PVK/tris-(8-hydroxyquinoline)aluminum(Alq3)/Mg∶Ag/Al器件性能的影响。测试结果表明,当Alq3层厚度一定时(50nm),只有PV... 以聚乙烯基咔唑poly(N-vinylcarbazole)(PVK)旋涂层为空穴传输层,着重研究了PVK层厚度对双层器件氧化铟锡(ITO)/PVK/tris-(8-hydroxyquinoline)aluminum(Alq3)/Mg∶Ag/Al器件性能的影响。测试结果表明,当Alq3层厚度一定时(50nm),只有PVK层为适当厚度(18nm)时双层器件才有最优良的器件性能,即最低的起亮电压,最高的发光亮度和效率。同时对比了不同PVK层厚度的PVK/Alq3双层器件之间以及PVK/Alq3与N,N′-bis-(1-naphthyl)-N,N′-diphenyl-(1,1′-biphenyl)-4,4′-diamine(NPB)/Alq3双层器件寿命的差异。测试结果表明,尽管越厚的PVK层对应的PVK/Alq3双层器件发光性能并不是越好,但器件寿命越长。原因是器件Alq3层内形成的Alq3+越少,因此器件稳定性越好;而PVK/Alq3与NPB/Alq3双层器件寿命的差异来自不同空穴传输层的制备工艺和能级结构的不同。 展开更多

关键词 有机电致发光器件 聚乙烯基咔唑 空穴传输层 器件性能

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磁控溅射制备镁镓共掺氧化锌透明半导体薄膜及其性能研究

12

作者 康淮 陆轴 +1 位作者 钟志有 龙浩 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第11期1938-1942,共5页

以MgO∶Ga_2O_3∶ZnO(2%∶2%∶96%,质量分数)陶瓷靶作为溅射源,采用磁控溅射技术在石英玻璃衬底上制备了镁镓共掺氧化锌(MGZO)透明半导体薄膜。采用XRD、SEM、霍尔效应仪和分光光度计对MGZO薄膜进行测试表征,研究了溅射压强对MGZO薄膜... 以MgO∶Ga_2O_3∶ZnO(2%∶2%∶96%,质量分数)陶瓷靶作为溅射源,采用磁控溅射技术在石英玻璃衬底上制备了镁镓共掺氧化锌(MGZO)透明半导体薄膜。采用XRD、SEM、霍尔效应仪和分光光度计对MGZO薄膜进行测试表征,研究了溅射压强对MGZO薄膜晶体结构、电学性质和光学性能的影响。结果表明:所有MGZO薄膜均为六角纤锌矿结构并具有(002)择优取向生长特性,溅射压强对薄膜晶体结构和光电性能有明显影响,但几乎不影响其直接光学能隙(3.41~3.44eV)。当溅射压强为3.5Pa时,MGZO薄膜的结晶质量最好、张应力最小(8.29×10-2 GPa)、电阻率最低(1.62×10-3Ω·cm)、可见光区平均透过率最高(87.8%)、品质因数最大(4.76×103Ω^(-1)·cm^(-1)),具有最好的光电综合性能。 展开更多

关键词 氧化锌 透明半导体薄膜 掺杂 磁控溅射 光电性能

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空穴传输层厚度对OLED性能的影响 被引量：2

13

作者 阳秀 黎威志 +1 位作者 钟志有 蒋亚东 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期958-961,共4页

该文采用聚乙烯基咔唑(PVK)作为空穴传输层,8-羟基喹啉铝(Alq3)作为发光层,制备了结构为ITO/PVK(0～60nm)/Alq3(60nm)/Mg:Ag/Al的有机发光二极管。通过测试器件的电流-电压-发光亮度特性,研究了空穴传输层厚度对有机发光二极管器件性能... 该文采用聚乙烯基咔唑(PVK)作为空穴传输层,8-羟基喹啉铝(Alq3)作为发光层,制备了结构为ITO/PVK(0～60nm)/Alq3(60nm)/Mg:Ag/Al的有机发光二极管。通过测试器件的电流-电压-发光亮度特性,研究了空穴传输层厚度对有机发光二极管器件性能的影响,优化了器件功能层的厚度匹配。实验结果表明,有机发光二极管的光电性能与空穴传输层的厚度密切相关,当空穴传输层厚度为15nm时,有机发光二极管器件具有最低的起亮电压、最高的发光亮度和最大的发光效率。 展开更多

关键词 器件性能 空穴传输层 有机发光二极管 厚度

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应用联合代数重建技术重建热气流三维温度场 被引量：5

14

作者 陈韶华 是度芳 +1 位作者 王荣 钟志有 《量子电子学》 CSCD 1994年第3期191-197,共7页

本文我们将联合代数重建技术应用于光学层析重建透明物体的折射率分布．建立了一简易的能获得多方位干涉条纹数据的全息干涉系统．利用双曝光全息干涉技术，对长方形开口上方的热气流场进行了实际测量，重建出了气流场中一个截面内的温... 本文我们将联合代数重建技术应用于光学层析重建透明物体的折射率分布．建立了一简易的能获得多方位干涉条纹数据的全息干涉系统．利用双曝光全息干涉技术，对长方形开口上方的热气流场进行了实际测量，重建出了气流场中一个截面内的温度分布．重建温度值与热电偶实测值一致。 展开更多

关键词 联合代数 重建技术 温度场 热气流

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有机电致发光产品的研发现状 被引量：2

15

作者 尹盛 刘陈 +1 位作者 钟志有 刘卫忠 《电子产品世界》 2003年第05A期53-55,共3页

有机电致发光器件(OLED)具有驱动电压低、主动发光等优势,在平板显示领域引起了广泛的关注。本文介绍了近年来有机电致发光产品的研发状况,并展望了OLED的商业前景。

关键词 有机电致发光器件 OLED 性能特点 研发状况 平板显示器件 应用前景

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