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用于液晶显示的透明导电膜被引量：9: 1; 作者钟伯强俞大畏潘惠英《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1995年第1期125-128,共4页; 采用低衬底温度射频溅射的方法制得了低电阻率、高透过率的透明导电膜，沉积时的氧分压、衬底温度等对透明导电膜有很大的影响．衬底温度为室温时，制出了４．５×１０－４Ω·ｃｍ的透明导电膜．在彩色滤色膜或保护膜上沉积透... 展开更多; 关键词导电膜液晶显示彩色滤色膜溅射; 在线阅读下载PDF 职称材料

激光刻图在制造 a-Si 光伏器件中的应用被引量：1: 2; 作者钟伯强肖兵《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1989年第3期269-275,共7页; 描述了在集成型 a-Si 光伏器件的制造中,利用高功率激光束进行刻图的新方法。作为激光刻图中材料除去的模型,被刻蚀材料的蒸汽压对材料除去会带来很大的影响。在制备 a-Si 光伏器件中,侧边接触的器件结构对激光刻图技术是很合适的。激... 展开更多; 关键词激光刻图 α-Si 光伏器件; 在线阅读下载PDF 职称材料

非晶薄膜的硬度测量: 3; 作者钟伯强朱文娟陆忠乾《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1991年第3期380-381,共2页; 用努普(Knoop)压痕法测量了沉积在普通玻璃上的 ITO,SnO_2和非晶硅薄膜的硬度。在0.245N 负荷下测得它们的硬度分别是7232、7987和4929MPa。这些薄膜材料的硬度取决于薄膜制备方法和制备时的工艺条件,同时也与测量方法有关。不同衬底温... 展开更多; 关键词 ITO SNO2 薄膜非晶硅硬度; 在线阅读下载PDF 职称材料

锗硫锑非晶薄膜材料的组成和光隙: 4; 作者钟伯强《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1990年第1期73-77,共5页; 用 EPMA 分析了真空蒸发制得的(Ge_(0.3)S_(0.7))_(100-x)(Sb_(0.4)S_(0.6))_x 和(Ge_(0.42)S_(0.58)_(100-x)(Sb_(0.4)S_(0.6)_x 薄膜样品的组成,发现薄膜中 Ge、S、Sb 的含量与作为蒸发源的相应的块样中的含量不同。同时测量了两类薄... 展开更多; 关键词硫系薄膜锗硫锑非晶薄膜光隙; 在线阅读下载PDF 职称材料

PCVD法对碳化硅陶瓷的表面改性研究被引量：1: 5; 作者谭寿洪陆忠乾 +2 位作者黄玉珍沈月华钟伯强《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第1期73-77,共5页; 利用等离子辉光放电化学气相沉积技术（ＰＣＶＤ），控制甲烷与磋烷质量流量比、硅烷与氨质量流量比，在碳化硅基体表面分别沉积上无定形碳化硅和氨化硅薄膜，研究其膜的组成、沉积工艺、厚度等对碳化硅陶瓷的强度改性影响．在一定的沉... 展开更多; 关键词氮化硅表面改性 PCVD法碳化硅陶瓷; 在线阅读下载PDF 职称材料

薄膜晶体管a－Si：H／a－SiN_x界面研究被引量：3: 6; 作者胡宇飞孙剑 +2 位作者钟伯强黄慈祥潘惠英《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第1期183-187,共5页; 对比ａ－Ｓｉ：Ｈ／ａ－ＳｉＮｘ界面附近ａ－Ｓｉ：Ｈ和体材料ａ－Ｓｉ：Ｈ的光致发光谱（ＰＬ）发现：随着ＳｉＮｘ中ｘ的增大，ＰＬ峰值向低能方向移动，相对发光强度减小。这是因为由于氮含量的增加，界面晶格不匹配加剧，导致悬挂... 展开更多; 关键词界面薄膜晶体管非晶硅氮化硅; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名用于液晶显示的透明导电膜被引量：9: 1; 作者钟伯强俞大畏潘惠英; 机构中国科学院上海硅酸盐研究所; 出处《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1995年第1期125-128,共4页; 基金国家863经费资助; 文摘采用低衬底温度射频溅射的方法制得了低电阻率、高透过率的透明导电膜，沉积时的氧分压、衬底温度等对透明导电膜有很大的影响．衬底温度为室温时，制出了４．５×１０－４Ω·ｃｍ的透明导电膜．在彩色滤色膜或保护膜上沉积透明导电膜时，只能在低于它们的耐热温度以下，并注意排除有机膜吸附的气体．; 关键词导电膜液晶显示彩色滤色膜溅射; Keywords transmittance conductive oxide (TCO), liquid crystal display (LCD), color filter, sputtering; 分类号 TN104.3 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名激光刻图在制造 a-Si 光伏器件中的应用被引量：1: 2; 作者钟伯强肖兵; 机构中国科学院上海硅酸盐研究所; 出处《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1989年第3期269-275,共7页; 文摘描述了在集成型 a-Si 光伏器件的制造中,利用高功率激光束进行刻图的新方法。作为激光刻图中材料除去的模型,被刻蚀材料的蒸汽压对材料除去会带来很大的影响。在制备 a-Si 光伏器件中,侧边接触的器件结构对激光刻图技术是很合适的。激光的平均功率或激励电流,重复频率、焦距和扫描速度是激光刻图技术的基本参数。我们列出了刻蚀 TCO、a-Si 和背电极薄膜的一些刻蚀条件,可以发现要刻蚀不同的薄膜,需控制这些条件以达到最佳化。; 关键词激光刻图 α-Si 光伏器件; Keywords Laser patterning a-Si photovoltaic device Side contact Back electrode; 分类号 TM914.41 [电气工程—电力电子与电力传动]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名非晶薄膜的硬度测量: 3; 作者钟伯强朱文娟陆忠乾; 机构中国科学院上海硅酸盐研究所; 出处《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1991年第3期380-381,共2页; 文摘用努普(Knoop)压痕法测量了沉积在普通玻璃上的 ITO,SnO_2和非晶硅薄膜的硬度。在0.245N 负荷下测得它们的硬度分别是7232、7987和4929MPa。这些薄膜材料的硬度取决于薄膜制备方法和制备时的工艺条件,同时也与测量方法有关。不同衬底温度时沉积的非晶硅薄膜,其硬度随温度降低而减小,这与非晶硅薄膜中所含的氢的多少有关。; 关键词 ITO SNO2 薄膜非晶硅硬度; Keywords Hardness of thin films Knoop indentation ITO films SnO_2 films Amorphous silicon; 分类号 O484.5 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名锗硫锑非晶薄膜材料的组成和光隙: 4; 作者钟伯强; 机构中国科学院上海硅酸盐所; 出处《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1990年第1期73-77,共5页; 文摘用 EPMA 分析了真空蒸发制得的(Ge_(0.3)S_(0.7))_(100-x)(Sb_(0.4)S_(0.6))_x 和(Ge_(0.42)S_(0.58)_(100-x)(Sb_(0.4)S_(0.6)_x 薄膜样品的组成,发现薄膜中 Ge、S、Sb 的含量与作为蒸发源的相应的块样中的含量不同。同时测量了两类薄膜样品的光隙,发现它们与相应块样的光隙在 x 较小时相差较大,这主要是材料中 S 的含量偏离所致。本文对组成偏离的原因进行了讨论。; 关键词硫系薄膜锗硫锑非晶薄膜光隙; Keywords Chalcogenide films Amorphous semiconductors Composition deviation Optical gap; 分类号 O484.41 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名PCVD法对碳化硅陶瓷的表面改性研究被引量：1: 5; 作者谭寿洪陆忠乾黄玉珍沈月华钟伯强; 机构中国科学院上海硅酸盐研究所; 出处《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第1期73-77,共5页; 文摘利用等离子辉光放电化学气相沉积技术（ＰＣＶＤ），控制甲烷与磋烷质量流量比、硅烷与氨质量流量比，在碳化硅基体表面分别沉积上无定形碳化硅和氨化硅薄膜，研究其膜的组成、沉积工艺、厚度等对碳化硅陶瓷的强度改性影响．在一定的沉积条件下沉积的碳化硅薄膜可以使基体强度提高２０％达到８５０ＭＰａ，沉积氮化硅薄膜使强度提高３０％达到９００ＭＰａ，改性的效果很明显．; 关键词氮化硅表面改性 PCVD法碳化硅陶瓷; Keywords PCVD SiC Si_3N_4 surface modification; 分类号 TQ174.758 [化学工程—陶瓷工业]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名薄膜晶体管a－Si：H／a－SiN_x界面研究被引量：3: 6; 作者胡宇飞孙剑钟伯强黄慈祥潘惠英; 机构中国科学院上海硅酸盐研究所; 出处《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第1期183-187,共5页; 文摘对比ａ－Ｓｉ：Ｈ／ａ－ＳｉＮｘ界面附近ａ－Ｓｉ：Ｈ和体材料ａ－Ｓｉ：Ｈ的光致发光谱（ＰＬ）发现：随着ＳｉＮｘ中ｘ的增大，ＰＬ峰值向低能方向移动，相对发光强度减小。这是因为由于氮含量的增加，界面晶格不匹配加剧，导致悬挂键密度增多和深能级隙态密度增加。该观点得到Ｃ－Ｖ测试结果的证实。; 关键词界面薄膜晶体管非晶硅氮化硅; Keywords a-St:H/a-SiN_x interface photoluminescence spectra gap state density, C-V; 分类号 TN321.5 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	用于液晶显示的透明导电膜	钟伯强俞大畏潘惠英	《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	1995	9	在线阅读下载PDF 职称材料
2	激光刻图在制造 a-Si 光伏器件中的应用	钟伯强肖兵	《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	1989	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	非晶薄膜的硬度测量	钟伯强朱文娟陆忠乾	《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	1991	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	锗硫锑非晶薄膜材料的组成和光隙	钟伯强	《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	1990	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	PCVD法对碳化硅陶瓷的表面改性研究	谭寿洪陆忠乾黄玉珍沈月华钟伯强	《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	1996	1	在线阅读下载PDF 职称材料
6	薄膜晶体管a－Si：H／a－SiN_x界面研究	胡宇飞孙剑钟伯强黄慈祥潘惠英	《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	1996	3	在线阅读下载PDF 职称材料