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集成电路制造过程中的晶圆温度监测技术
被引量：
11
1
作者
贾镜材
钟业奎
+2 位作者
张泽展
姜晶
王超
《仪器仪表学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第1期15-29,共15页
随着集成电路的不断发展,低功耗与小面积逐渐成为芯片设计中的重要指标,促使形成电路的器件尺寸不断降低。在半导体芯片制造过程中,越小的器件尺寸对工艺过程中温度控制的精度要求越高,晶圆温度的轻微偏离和高于1%的温度不均匀性将会直...
随着集成电路的不断发展,低功耗与小面积逐渐成为芯片设计中的重要指标,促使形成电路的器件尺寸不断降低。在半导体芯片制造过程中,越小的器件尺寸对工艺过程中温度控制的精度要求越高,晶圆温度的轻微偏离和高于1%的温度不均匀性将会直接影响最终产品的良率。为实现温度与温度场分布的高精度控制,需要对其进行更为精确的预先检测与实时获取,集成电路制造中的晶圆温度监测技术应运而生。围绕接触式和非接触式两大测温技术分支,介绍了监测温度范围为0℃~1 300℃的晶圆温度监测技术原理。本文基于原理分析各技术所具有的优势与仍然不能满足的测温技术要求,追踪各测温技术的国内外发展现状,展望了未来晶圆温度监测技术的发展方向。
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关键词
温度监测
晶圆
接触式
非接触式
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职称材料
题名
集成电路制造过程中的晶圆温度监测技术
被引量：
11
1
作者
贾镜材
钟业奎
张泽展
姜晶
王超
机构
电子科技大学电子科学与工程学院
出处
《仪器仪表学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第1期15-29,共15页
基金
国家自然科学基金(61727818,51672037)
国家重点研发计划(2017YFC0602102)
四川省国际科技合作与交流研发项目(2019YFH0009)资助。
文摘
随着集成电路的不断发展,低功耗与小面积逐渐成为芯片设计中的重要指标,促使形成电路的器件尺寸不断降低。在半导体芯片制造过程中,越小的器件尺寸对工艺过程中温度控制的精度要求越高,晶圆温度的轻微偏离和高于1%的温度不均匀性将会直接影响最终产品的良率。为实现温度与温度场分布的高精度控制,需要对其进行更为精确的预先检测与实时获取,集成电路制造中的晶圆温度监测技术应运而生。围绕接触式和非接触式两大测温技术分支,介绍了监测温度范围为0℃~1 300℃的晶圆温度监测技术原理。本文基于原理分析各技术所具有的优势与仍然不能满足的测温技术要求,追踪各测温技术的国内外发展现状,展望了未来晶圆温度监测技术的发展方向。
关键词
温度监测
晶圆
接触式
非接触式
Keywords
temperature monitoring
wafer
contact
non-contact
分类号
TN3 [电子电信—物理电子学]
TN37 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
集成电路制造过程中的晶圆温度监测技术
贾镜材
钟业奎
张泽展
姜晶
王超
《仪器仪表学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021
11
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