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题名一种无片外电容的低功耗瞬态增强LDO
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作者
程铁栋
金枭涵
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机构
江西理工大学电气工程与自动化学院
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出处
《电子测量技术》
北大核心
2025年第12期26-31,共6页
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基金
江西省科技计划联合资助项目(20192BBEL50042)
江西省教育厅科学技术研究项目(GJJ200619)资助。
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文摘
针对无片外电容低压差线性稳压器(LDO)低功耗快速瞬态响应问题,提出了一种基于前馈补偿的瞬态增强LDO电路。误差放大器使用电流回收型折叠共源共栅放大器,具有低功耗、高增益等特点。前馈补偿采用多个小增益级连接,在低静态电流下提高系统稳定性。输出电压尖峰通过电容耦合至瞬态增强电路,为功率管栅极提供充、放电路径,提高瞬态响应性能。电路基于SMIC 180 nm CMOS工艺设计,仿真结果显示,在100μA~50 mA负载电流跳变范围内,LDO瞬态增强后,输出电压上冲尖峰减小343 mV,下降39%;输出电压下冲尖峰减小592 mV,下降57%。负载调整率为0.0057 mV/mA,线性调整率为0.22 mV/V。电路静态电流约为3μA,LDO电流效率高达99.99%。
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关键词
LDO
前馈补偿
密勒补偿
瞬态增强
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Keywords
LDO
feedforward compensation
Miller compensation
transient enhancement
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分类号
TN432
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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