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基于氧化物基电解质栅控晶体管突触的关联学习
1
作者
方仁瑞
任宽
+6 位作者
郭泽钰
徐晗
张握瑜
王菲
张培文
李悦
尚大山
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第4期399-405,共7页
电解质栅控晶体管(Electrolyte-gated transistors,EGTs)的沟道电导连续可调特性使其在构建神经形态计算系统中具有巨大应用潜力。本工作以非晶态Nb_(2)O_(5)作为沟道材料,Li_(x)SiO_(2)作为栅电解质材料,制备了一种具备低沟道电导(~120...
电解质栅控晶体管(Electrolyte-gated transistors,EGTs)的沟道电导连续可调特性使其在构建神经形态计算系统中具有巨大应用潜力。本工作以非晶态Nb_(2)O_(5)作为沟道材料,Li_(x)SiO_(2)作为栅电解质材料,制备了一种具备低沟道电导(~120 nS)的EGT器件。该器件利用Li+嵌入/脱出Nb_(2)O_(5)晶格导致的沟道电导连续可逆变化,模拟了神经突触的短程可塑性(Short-term plasticity,STP)、长程可塑性(Long-term plasticity,LTP)以及STP向LTP的转变等功能。基于这种EGT突触特性,本工作设计了关联学习电路,实现了突触权重的负反馈调节,并模拟了“巴普洛夫的狗”经典条件反射行为。这些结果展现出EGT作为神经突触器件的巨大潜力,为实现神经形态计算硬件提供了器件参考。
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关键词
电解质栅控晶体管
神经突触
突触可塑性
关联学习
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职称材料
题名
基于氧化物基电解质栅控晶体管突触的关联学习
1
作者
方仁瑞
任宽
郭泽钰
徐晗
张握瑜
王菲
张培文
李悦
尚大山
机构
中国科学院微电子研究所
中国科学院大学
出处
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第4期399-405,共7页
基金
国家重点基础研究发展计划(2018YFA0701500)
国家自然科学基金(61874138)。
文摘
电解质栅控晶体管(Electrolyte-gated transistors,EGTs)的沟道电导连续可调特性使其在构建神经形态计算系统中具有巨大应用潜力。本工作以非晶态Nb_(2)O_(5)作为沟道材料,Li_(x)SiO_(2)作为栅电解质材料,制备了一种具备低沟道电导(~120 nS)的EGT器件。该器件利用Li+嵌入/脱出Nb_(2)O_(5)晶格导致的沟道电导连续可逆变化,模拟了神经突触的短程可塑性(Short-term plasticity,STP)、长程可塑性(Long-term plasticity,LTP)以及STP向LTP的转变等功能。基于这种EGT突触特性,本工作设计了关联学习电路,实现了突触权重的负反馈调节,并模拟了“巴普洛夫的狗”经典条件反射行为。这些结果展现出EGT作为神经突触器件的巨大潜力,为实现神经形态计算硬件提供了器件参考。
关键词
电解质栅控晶体管
神经突触
突触可塑性
关联学习
Keywords
electrolyte-gated transistor
synapse
synaptic plasticity
associative learning
分类号
TQ174 [化学工程—陶瓷工业]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于氧化物基电解质栅控晶体管突触的关联学习
方仁瑞
任宽
郭泽钰
徐晗
张握瑜
王菲
张培文
李悦
尚大山
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023
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