期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
γ辐照导致中波碲镉汞光伏器件暗电流退化的机理研究
被引量：
2
1
作者
王志铭
周东
+6 位作者
郭旗
(
指导
)
李豫东
文林
马林东
张翔
蔡毓龙
刘炳凯
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2019年第9期192-199,共8页
针对红外探测器在空间应用中受到高能粒子辐照后暗电流退化的问题,开展γ射线对中波碲镉汞(HgCdTe)光伏器件暗电流影响的研究。在室温和77 K温度下,利用60Co-γ射线对HgCdTe器件进行辐照试验,辐照试验结束后对低温辐照器件进行77 K低温...
针对红外探测器在空间应用中受到高能粒子辐照后暗电流退化的问题,开展γ射线对中波碲镉汞(HgCdTe)光伏器件暗电流影响的研究。在室温和77 K温度下,利用60Co-γ射线对HgCdTe器件进行辐照试验,辐照试验结束后对低温辐照器件进行77 K低温退火和室温退火。通过比较γ辐照前后和退火后器件的I-V特性、R-V特性和零偏动态电阻R0参数,分析了γ辐照对HgCdTe器件暗电流的影响机制。试验结果表明:在总剂量为7 Mrad(Si)照条件下,器件暗电流未出现明显的退化;在77 K温度辐照条件下,器件暗电流随着总剂量的增加而增加,且暗电流退化幅度与辐照过程中的偏置有关。研究表明暗电流的退化源于γ辐照在器件中造成电离损伤,导致器件HgCdTe化层中的界面态和空穴陷阱电荷密度增加。
展开更多
关键词
碲镉汞(HgCdTe)光伏器件
红外探测器
辐射效应
γ射线
暗电流
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
γ辐照导致中波碲镉汞光伏器件暗电流退化的机理研究
被引量：
2
1
作者
王志铭
周东
郭旗
(
指导
)
李豫东
文林
马林东
张翔
蔡毓龙
刘炳凯
机构
中国科学院新疆理化技术研究所
中国科学院大学
出处
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2019年第9期192-199,共8页
基金
国家自然科学基金(61704190,61640401)
国家自然科学基金面上项目(11675259)
中国科学院西部之光项目(2016-QNXZ-B-8)
文摘
针对红外探测器在空间应用中受到高能粒子辐照后暗电流退化的问题,开展γ射线对中波碲镉汞(HgCdTe)光伏器件暗电流影响的研究。在室温和77 K温度下,利用60Co-γ射线对HgCdTe器件进行辐照试验,辐照试验结束后对低温辐照器件进行77 K低温退火和室温退火。通过比较γ辐照前后和退火后器件的I-V特性、R-V特性和零偏动态电阻R0参数,分析了γ辐照对HgCdTe器件暗电流的影响机制。试验结果表明:在总剂量为7 Mrad(Si)照条件下,器件暗电流未出现明显的退化;在77 K温度辐照条件下,器件暗电流随着总剂量的增加而增加,且暗电流退化幅度与辐照过程中的偏置有关。研究表明暗电流的退化源于γ辐照在器件中造成电离损伤,导致器件HgCdTe化层中的界面态和空穴陷阱电荷密度增加。
关键词
碲镉汞(HgCdTe)光伏器件
红外探测器
辐射效应
γ射线
暗电流
Keywords
HgCdTe photovoltaic devices
IR detector
radiation effect
γ-ray
dark current
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
γ辐照导致中波碲镉汞光伏器件暗电流退化的机理研究
王志铭
周东
郭旗
(
指导
)
李豫东
文林
马林东
张翔
蔡毓龙
刘炳凯
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2019
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
