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6英寸碳化硅外延片小坑缺陷研究: 1; 作者李帅房玉龙 +6 位作者芦伟立王健郝文嘉李建涛陈宏泰王波牛晨亮《微纳电子技术》 CAS 2024年第7期86-92,共7页; 随着碳化硅(SiC)功率器件在新能源汽车、光伏产业、高压输电和智能充电桩等下游领域需求的爆发式增长,对高质量、低缺陷密度SiC外延材料提出了迫切需求。有研究表明,小坑缺陷可能引起器件漏电流增大,影响SiC金属氧化物半导体场效应晶体... 展开更多; 关键词 4H-SIC 小坑缺陷高质量外延碳硅比生长温度; 在线阅读下载PDF 职称材料

10 Gbit/s InGaAs/InP雪崩光电二极管被引量：1: 2; 作者尹顺政郝文嘉 +4 位作者张宇于浩李庆伟赵润车相辉《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第7期516-520,共5页; 基于InGaAs/InP吸收区、渐变区、电荷区和倍增区分离雪崩光电二极管(SAGCM APD)器件结构,利用数值计算方法,模拟了各层参数对器件频率响应特性的影响。模拟结果表明,吸收层、倍增层厚度及电荷层面电荷密度可影响器件的-3dB带宽;随增益... 展开更多; 关键词 INGAAS/INP 吸收区、渐变区、电荷区和倍增区分离雪崩光电二极管(SAGCM APD) 雪崩频率响应光通信; 在线阅读下载PDF 职称材料

InP基光电探测器材料的MOCVD锌扩散: 3; 作者张宇于浩 +5 位作者郝文嘉车相辉尹顺正齐利芳赵润陈宏泰《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第4期300-304,共5页; 锌(Zn)扩散是制作InP基光电探测器(PD)的重要工艺过程。分析了锌扩散的机制,利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备对InP基PD及雪崩光电探测器(APD)材料进行了锌扩散,由于MOCVD设备具有精确的温度控制系统,所以该扩散工艺具有简单、均匀... 展开更多; 关键词锌扩散金属有机化学气相沉积(MOCVD) INP 光电探测器扩散速率; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于MOCVD生长材料的高电流密度太赫兹共振隧穿二极管被引量：2: 4; 作者车相辉梁士雄 +5 位作者张立森顾国栋郝文嘉杨大宝陈宏泰冯志红《电子技术应用》 2019年第8期32-33,39,共3页; 为获得高功率的太赫兹共振隧穿器件,优化设计了AlAs/InGaAs/AlAs共振遂穿二极管材料结构,在国内首次采用MOCVD设备在半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。利用接触光刻工艺和空气桥搭接技术,制作了InP基共振遂穿二极管器件。并在室温... 展开更多; 关键词共振隧穿二极管峰值电流密度峰谷电流比; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名6英寸碳化硅外延片小坑缺陷研究: 1; 作者李帅房玉龙芦伟立王健郝文嘉李建涛陈宏泰王波牛晨亮; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所; 出处《微纳电子技术》 CAS 2024年第7期86-92,共7页; 文摘随着碳化硅(SiC)功率器件在新能源汽车、光伏产业、高压输电和智能充电桩等下游领域需求的爆发式增长,对高质量、低缺陷密度SiC外延材料提出了迫切需求。有研究表明,小坑缺陷可能引起器件漏电流增大,影响SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)栅氧可靠性,因此对外延材料小坑缺陷的研究成为热点之一。采用单片水平式SiC外延设备,在6英寸(1英寸=2.54 cm)偏4°SiC衬底上生长4H-SiC外延层,系统研究了外延工艺对小坑缺陷的影响。采用表面缺陷测试仪对外延层小坑缺陷形貌和数量进行表征,利用表面缺陷测试仪的同步定位系统研究了小坑缺陷的起源与形成机理。研究结果表明,通过优化碳硅比和生长温度,有效降低了4H-SiC外延层小坑缺陷密度,小坑缺陷密度可控制在25 cm^(-2)以下,实现了低缺陷密度的高质量外延材料生长。; 关键词 4H-SIC 小坑缺陷高质量外延碳硅比生长温度; Keywords 4H-SiC pit defect high-quality epitaxy C/Si ratio growth temperature; 分类号 O484.1 [理学—固体物理] O77 [理学—晶体学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名10 Gbit/s InGaAs/InP雪崩光电二极管被引量：1: 2; 作者尹顺政郝文嘉张宇于浩李庆伟赵润车相辉; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所; 出处《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第7期516-520,共5页; 文摘基于InGaAs/InP吸收区、渐变区、电荷区和倍增区分离雪崩光电二极管(SAGCM APD)器件结构,利用数值计算方法,模拟了各层参数对器件频率响应特性的影响。模拟结果表明,吸收层、倍增层厚度及电荷层面电荷密度可影响器件的-3dB带宽;随增益的增加,器件带宽会逐渐降低;电荷层面电荷密度对器件击穿电压有明显影响。结合此模拟结果,制作出了高速InGaAs/InP雪崩光电二极管,并对器件进行了封装测试。测试结果表明,该结果与模拟结果相吻合。器件击穿电压为30V;在倍增因子为1时,器件响应度大于0.8A/W;在倍增因子为9时,器件暗电流小于10nA,-3dB带宽大于10GHz,其性能满足10Gbit/s光纤通信应用要求。; 关键词 INGAAS/INP 吸收区、渐变区、电荷区和倍增区分离雪崩光电二极管(SAGCM APD) 雪崩频率响应光通信; Keywords InGaAs/InP separate absorption grading charge and multiplication avalanche photodiode（SAGCM APD） avalanche frequency response optical communication; 分类号 TN312.7 [电子电信—物理电子学] TN364.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名InP基光电探测器材料的MOCVD锌扩散: 3; 作者张宇于浩郝文嘉车相辉尹顺正齐利芳赵润陈宏泰; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第4期300-304,共5页; 文摘锌(Zn)扩散是制作InP基光电探测器(PD)的重要工艺过程。分析了锌扩散的机制,利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备对InP基PD及雪崩光电探测器(APD)材料进行了锌扩散,由于MOCVD设备具有精确的温度控制系统,所以该扩散工艺具有简单、均匀性好、重复性好的优点。对于扩散后的样品,采用电化学C-V方法和扫描电子显微镜(SEM)等测试分析手段,研究了退火、扩散温度、扩散源体积流量和反应室压力等主要工艺参数对InP材料扩散速率和载流子浓度的影响,并将该锌扩散工艺应用于InP基光电探测器和雪崩光电探测器的器件制作中,得到了优异的器件性能结果。; 关键词锌扩散金属有机化学气相沉积(MOCVD) INP 光电探测器扩散速率; Keywords Zn diffusion metal organic chemical vapor deposition （MOCVD） InP photodetector diffusion rate; 分类号 TN305.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于MOCVD生长材料的高电流密度太赫兹共振隧穿二极管被引量：2: 4; 作者车相辉梁士雄张立森顾国栋郝文嘉杨大宝陈宏泰冯志红; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所专用集成电路国家级重点实验室; 出处《电子技术应用》 2019年第8期32-33,39,共3页; 文摘为获得高功率的太赫兹共振隧穿器件,优化设计了AlAs/InGaAs/AlAs共振遂穿二极管材料结构,在国内首次采用MOCVD设备在半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。利用接触光刻工艺和空气桥搭接技术,制作了InP基共振遂穿二极管器件。并在室温下测试了器件的电学特性:峰值电流密度>400kA/cm2,峰谷电流比(PVCR)>2.4。; 关键词共振隧穿二极管峰值电流密度峰谷电流比; Keywords resonant tunneling diodes peak current density peak to valley current ratio; 分类号 TN385 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	6英寸碳化硅外延片小坑缺陷研究	李帅房玉龙芦伟立王健郝文嘉李建涛陈宏泰王波牛晨亮	《微纳电子技术》 CAS	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	10 Gbit/s InGaAs/InP雪崩光电二极管	尹顺政郝文嘉张宇于浩李庆伟赵润车相辉	《半导体技术》 CSCD 北大核心	2017	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	InP基光电探测器材料的MOCVD锌扩散	张宇于浩郝文嘉车相辉尹顺正齐利芳赵润陈宏泰	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2017	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	基于MOCVD生长材料的高电流密度太赫兹共振隧穿二极管	车相辉梁士雄张立森顾国栋郝文嘉杨大宝陈宏泰冯志红	《电子技术应用》	2019	2	在线阅读下载PDF 职称材料