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单轴应变Si纳米NMOSFET电特性优化被引量：1: 1; 作者廖晨光郝敏如《电子科技》 2018年第7期46-50,共5页; 针对小尺寸器件二级物理效应对集成电路正常工作的影响,同时为了进一步提高集成电路的性能,本文提出了利用Sentaurus TCAD软件仿真进行小尺寸单轴应变Si n型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET)器件参数优化的方法。首先利用Sentauru... 展开更多; 关键词应变SI NMOSFET 氮化硅薄膜(SiN) 沟道应力参数优化; 在线阅读下载PDF 职称材料

应变Si纳米NMOSFET单粒子效应被引量：1: 2; 作者廖晨光郝敏如《电子科技》 2018年第8期38-41,共4页; 针对辐照条件下应变集成器件及电路的应用越来越多的问题,文中为了分析研究辐照特性对应变集成器件的影响,主要通过计算机模拟仿真(TCAD)的方法验证了漏斗模型的正确性,分别对单轴应变Si纳米NMOSFET器件在不同漏极偏置电压,不同沟道长... 展开更多; 关键词单粒子瞬态漏极偏置栅长注入位置; 在线阅读下载PDF 职称材料

应变Si NMOS器件总剂量辐射对单粒子效应的影响: 3; 作者张倩郝敏如《电子科技》 2019年第6期22-25,30,共5页; 针对应变SiNMOS器件总剂量辐射对单粒子效应的影响机制,采用计算机TCAD仿真进行研究。通过对比实验结果,构建50nm应变SiNMOS器件的TCAD仿真模型,并使用该模型研究处于截至态(Vds=1V)的NMOS器件在总剂量条件下的单粒子效应。实验结果表明... 展开更多; 关键词应变SI NMOS器件总剂量辐射单粒子效应漏极瞬态电流漏极收集电荷; 在线阅读下载PDF 职称材料

应变Si NMOSFET总剂量效应: 4; 作者廖晨光郝敏如《电子科技》 2018年第9期1-3,17,共4页; 文中主要通过模拟仿真了γ射线辐照对单轴应变Si纳米NMOSFET器件电学特性的影响。仿真分析了不同辐照剂量、结构参数以及物理参数等对阈值电压、隧穿栅电流以及热载流子栅电流的影响。结果表明:在总剂量辐照下,阈值电压随着源/漏结深的... 展开更多; 关键词总剂量阈值电压隧穿热载流子栅电流; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名单轴应变Si纳米NMOSFET电特性优化被引量：1: 1; 作者廖晨光郝敏如; 机构西安电子科技大学微电子学院; 出处《电子科技》 2018年第7期46-50,共5页; 基金陕西省科技计划项目(2016GY-085); 文摘针对小尺寸器件二级物理效应对集成电路正常工作的影响,同时为了进一步提高集成电路的性能,本文提出了利用Sentaurus TCAD软件仿真进行小尺寸单轴应变Si n型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET)器件参数优化的方法。首先利用Sentaurus TCAD软件,对氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)源、栅、漏上淀积氮化硅薄膜(SiN)来分析沟道中应力的变化得出沟道中产生应力的必要条件是沟道上方具有一层薄栅氧化层,其次进行了单轴应变Si NMOSFET的电性能随沟道应力以及沟道长度的变化仿真分析,接着利用软件仿真分析栅氧化层厚度、SiN膜淀积次数和厚度等因素对沟道应力的影响得出优化参数,最后利用优化后的参数对小尺寸单轴应变Si NMOSFET与常规器件的驱动电流进行了对比,结果显示模拟90 nm、65 nm、45 nm单轴应变Si NMOS器件相对常规器件分别提升了26.8%、27.8%和29.9%。因此利用Sentaurus TCAD软件仿真的方法为小尺寸单轴应变Si NMOSFET器件制造工艺提供了有效参考。; 关键词应变SI NMOSFET 氮化硅薄膜(SiN) 沟道应力参数优化; Keywords strained Si silicon nitride channel stress parameter optimization; 分类号 TN460 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名应变Si纳米NMOSFET单粒子效应被引量：1: 2; 作者廖晨光郝敏如; 机构西安电子科技大学微电子学院; 出处《电子科技》 2018年第8期38-41,共4页; 基金陕西省科技计划项目(2016GY-085); 文摘针对辐照条件下应变集成器件及电路的应用越来越多的问题,文中为了分析研究辐照特性对应变集成器件的影响,主要通过计算机模拟仿真(TCAD)的方法验证了漏斗模型的正确性,分别对单轴应变Si纳米NMOSFET器件在不同漏极偏置电压,不同沟道长度以及不同注入位置的单粒子效应进行了分析。通过TCAD模拟仿真了单粒子瞬态电流随着注入位置的电场变化。结果表明:单粒子瞬态电流随着漏极偏置电压的增大而增大,随着沟道长度的减小而增大;不同注入位置下的单粒子效应,此处的漏极瞬态电流大小与对应位置的电场强度成正比关系。该仿真结果为研究纳米级单轴应变Si NMOSFET应变集成器件可靠性及电路的应用提供了参考。; 关键词单粒子瞬态漏极偏置栅长注入位置; Keywords single event transient drain bias gate length striking location; 分类号 TN406 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名应变Si NMOS器件总剂量辐射对单粒子效应的影响: 3; 作者张倩郝敏如; 机构西安电子科技大学微电子学院; 出处《电子科技》 2019年第6期22-25,30,共5页; 基金陕西省科技计划项目(2016GY-085)~~; 文摘针对应变SiNMOS器件总剂量辐射对单粒子效应的影响机制,采用计算机TCAD仿真进行研究。通过对比实验结果,构建50nm应变SiNMOS器件的TCAD仿真模型,并使用该模型研究处于截至态(Vds=1V)的NMOS器件在总剂量条件下的单粒子效应。实验结果表明,总剂量辐照引入的氧化层陷阱正电荷使得体区电势升高,加剧了NMOS器件的单粒子效应。在2kGy总剂量辐照下,漏极瞬态电流增加4.88%,而漏极收集电荷增量高达29.15%,表明总剂量辐射对单粒子效应的影响主要体现在漏极收集电荷的大幅增加方面。; 关键词应变SI NMOS器件总剂量辐射单粒子效应漏极瞬态电流漏极收集电荷; Keywords strained Si NMOS device total dose radiation single event effect drain transient current drain collection charge; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名应变Si NMOSFET总剂量效应: 4; 作者廖晨光郝敏如; 机构西安电子科技大学微电子学院; 出处《电子科技》 2018年第9期1-3,17,共4页; 基金陕西省科技计划项目(2016GY-085); 文摘文中主要通过模拟仿真了γ射线辐照对单轴应变Si纳米NMOSFET器件电学特性的影响。仿真分析了不同辐照剂量、结构参数以及物理参数等对阈值电压、隧穿栅电流以及热载流子栅电流的影响。结果表明:在总剂量辐照下,阈值电压随着源/漏结深的增加以及沟道长度的减小而减小,隧穿栅电流随着栅氧化层厚度的增大及栅介电常数的减小而增大,热载流子栅电流随着沟道中掺杂浓度的减小以及栅电压的增大而增大。同时,模拟仿真了器件沟道中应力和载流子的分布。; 关键词总剂量阈值电压隧穿热载流子栅电流; Keywords total dose threshold voltage tunneling hot carrier gate current; 分类号 TN302 [电子电信—物理电子学] TN6 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	单轴应变Si纳米NMOSFET电特性优化	廖晨光郝敏如	《电子科技》	2018	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	应变Si纳米NMOSFET单粒子效应	廖晨光郝敏如	《电子科技》	2018	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	应变Si NMOS器件总剂量辐射对单粒子效应的影响	张倩郝敏如	《电子科技》	2019	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	应变Si NMOSFET总剂量效应	廖晨光郝敏如	《电子科技》	2018	0	在线阅读下载PDF 职称材料