森林景观是以森林生态系统为主体而构成的景观，其分类是确定景观构成要素及空间分布格局（陆元昌等，2005）。但景观异质性依时间和空间尺度变化而存在差异，在大尺度下空间变异中的“噪声”成分在另一种较小尺度下表现为“结构性”成...森林景观是以森林生态系统为主体而构成的景观，其分类是确定景观构成要素及空间分布格局（陆元昌等，2005）。但景观异质性依时间和空间尺度变化而存在差异，在大尺度下空间变异中的“噪声”成分在另一种较小尺度下表现为“结构性”成分，一个景观单元在小尺度上呈现异质性（邬建国，2000），而在大尺度上可能具有均质性（赵玉涛等，2002）。不同尺度景观要素具有不同程度均质性（Goberna et al．，2007）。森林景观分类是一个基于土地利用类型、植被和环境条件等因素而将其划分为多级分类体系的科学过程（朱耀军等，2011）。因此，森林景观分类具有尺度特性，不同尺度下森林景观分类的构成要素及构成要素等级不同。展开更多
4H-SiC junction barrier Schottky （JBS） diodes with a high-temperature annealed resistive termination extension （HARTE） are designed, fabricated and characterized in this work. The differential specific on-state re...4H-SiC junction barrier Schottky （JBS） diodes with a high-temperature annealed resistive termination extension （HARTE） are designed, fabricated and characterized in this work. The differential specific on-state resistance of the device is as low as 3.64 mΩ·cm^2 with a total active area of 2.46× 10 ^-3 cm^2. Ti is the Schottky contact metal with a Schottky barrier height of 1.08 V and a low onset voltage of 0.7 V. The ideality factor is calculated to be 1.06. Al implantation annealing is performed at 1250 ℃ in Ar, while good reverse characteristics are achieved. The maximum breakdown voltage is 1000 V with a leakage current of 9× 10^-5 A on chip level. These experimental results show good consistence with the simulation results and demonstrate that high-performance 4H-SiC JBS diodes can be obtained based on the double HARTE structure.展开更多
文摘森林景观是以森林生态系统为主体而构成的景观，其分类是确定景观构成要素及空间分布格局（陆元昌等，2005）。但景观异质性依时间和空间尺度变化而存在差异，在大尺度下空间变异中的“噪声”成分在另一种较小尺度下表现为“结构性”成分，一个景观单元在小尺度上呈现异质性（邬建国，2000），而在大尺度上可能具有均质性（赵玉涛等，2002）。不同尺度景观要素具有不同程度均质性（Goberna et al．，2007）。森林景观分类是一个基于土地利用类型、植被和环境条件等因素而将其划分为多级分类体系的科学过程（朱耀军等，2011）。因此，森林景观分类具有尺度特性，不同尺度下森林景观分类的构成要素及构成要素等级不同。
基金supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant No. 51102225)the Natural Science Foundation of Beijing City, China (Grant No. 4132076)the Youth Innovation Promotion Association, Chinese Academy of Sciences
文摘4H-SiC junction barrier Schottky （JBS） diodes with a high-temperature annealed resistive termination extension （HARTE） are designed, fabricated and characterized in this work. The differential specific on-state resistance of the device is as low as 3.64 mΩ·cm^2 with a total active area of 2.46× 10 ^-3 cm^2. Ti is the Schottky contact metal with a Schottky barrier height of 1.08 V and a low onset voltage of 0.7 V. The ideality factor is calculated to be 1.06. Al implantation annealing is performed at 1250 ℃ in Ar, while good reverse characteristics are achieved. The maximum breakdown voltage is 1000 V with a leakage current of 9× 10^-5 A on chip level. These experimental results show good consistence with the simulation results and demonstrate that high-performance 4H-SiC JBS diodes can be obtained based on the double HARTE structure.
