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题名基于PTCDA的有机/无机光敏二极管结构优化
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作者
刘金凤
姚博
郑挺才
彭应全
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机构
兰州大学物理学院微电子研究所
兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室
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出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第2期218-223,共6页
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基金
国家自然科学基金(1097407)
教育部博士点基金(20110211110005)资助项目
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文摘
以p型硅和苝四甲酸二酐(perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic acid dianhydride,PTCDA)为异质结,梳状金(Au)薄膜作为顶电极和光入射窗口制备了光敏二极管。研究表明,PTCDA的厚度和Au电极的厚度对光敏二极管的光响应度有很大的影响。对比不同PTCDA厚度的器件性能,在PTCDA厚度为100 nm时,光响应度最高达到0.3 A/W。进而采用最优化的100 nm厚的PTCDA薄膜制备硅基光敏二极管,对比不同Au电极厚度的器件性能。在Au厚度为20 nm时,器件的光响应度达到最优化的0.5 A/W。
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关键词
有机/无机异质结
光电探测器
PTCDA
厚度优化
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Keywords
Gold
Heterojunctions
Light sensitive materials
Photodetectors
Photons
Photosensitivity
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分类号
TN386
[电子电信—物理电子学]
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