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一种提高效率和减小电压纹波的电荷泵被引量：1: 1; 作者吴浩李富华郑坚斌《中国集成电路》 2006年第12期22-24,共3页; 提出了一种经稳压后的电荷泵架构,通过改进传统四相位电荷泵的输出级使效率提高了5%,通过改进传统的控制时钟方案使输出电压纹波降低了38%,已在和舰0.18μm三阱CMOS工艺中得到实现。; 关键词电荷泵效率稳压纹波; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于字线负偏压技术的低功耗SRAM设计被引量：3: 2; 作者冯李张立军 +3 位作者郑坚斌王林李有忠张振鹏《电子设计工程》 2017年第8期115-118,123,共5页; 随着工艺节点的进步,SRAM中静态功耗占整个功耗的比例越来越大,纳米尺度的IC设计中,漏电流是一个关键问题。为了降低SRAM静态功耗,本文提出一种字线负偏压技术,并根据不同的工艺角,给出最合适的负偏压大小,使得SRAM漏电流得到最大程度... 展开更多; 关键词静态功耗低功耗 SRAM 字线负偏压; 在线阅读下载PDF 职称材料

CMOS电路同步开关噪声的分析和仿真: 3; 作者王强毛友德 +2 位作者王竞郑坚斌楚薇《电子与封装》 2004年第4期50-53,45,共5页; 目前,集成电路正向着高速集成度方向发展,但受到封装如DIP、TSOP、BGA等上寄生电感的作用,同步开关噪声影响越来越大。本文对一个简化的同步开关噪声电路模型进行了理论分析,从而得出通过调整开关上升时间等方法,可以有效降低地弹噪声,... 展开更多; 关键词 CMOS集成电路同步开关噪声寄生电感; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于AOCV的低功耗标准单元设计被引量：3: 4; 作者张振鹏张立军 +3 位作者郑坚斌于跃索超李有忠《电子设计工程》 2017年第7期134-138,共5页; 近年来,物联网和移动互联网为代表的应用芯片提出了越来越高的功耗要求。降低工作电压是降低功耗的有效方法,但是随着电压的降低,电路的性能也会急剧下降。针对这一问题,本文运用AOCV的时序分析方法,使得电路设计在保证性能的基础上,最... 展开更多; 关键词低功耗工艺偏差 AOCV 时序裕量 PrimeTime 标准单元; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种适用于FinFET单存储单元的高效的动态故障测试算法被引量：2: 5; 作者桑胜男张立军 +1 位作者郑坚斌彭增发《微电子学与计算机》北大核心 2019年第4期17-22,共6页; FinFET作为现在最前沿的晶体管技术,在嵌入式存储器上得到了广泛应用.但是,新的工艺也带来了新的缺陷.Synopsys公司通过故障建模及测试发现:FinFET存储器比平面存储器对动态故障更敏感.而经典的测试算法仅仅针对静态故障.目前关于动态... 展开更多; 关键词 SRAM MARCH算法动态故障故障原语 MBIST; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于65nm工艺的超高速全数字锁相环的设计和实现被引量：1: 6; 作者吴浩张一平郑坚斌《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2009年第12期67-70,共4页; 论述了UMC65nm CMOS工艺实现的全定制全数字锁相环.该锁相环用于提供高速嵌入式SRAM内建自测试所需的时钟.分析了全数字锁相环的工作原理和电路架构,并给出了整个锁相环系统的电路和版图实现.编码控制振荡器是全数字锁相环中的核心电路... 展开更多; 关键词锁相环全数字频率倍增稳定性编码控制振荡器; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种新型存储器测试辅助分析方法: 7; 作者顾昌山张立军 +2 位作者郑坚斌彭增发于跃《微电子学与计算机》北大核心 2019年第2期93-96,共4页; 为了解决存储器测试数据映射到失效存储单元效率较低且精确度不够的问题,本文提出一种存储器测试辅助分析的方法:首先通过修改存储器编译器(memory compiler),使其自动生成存储阵列版图的物理坐标文件(bitmap).然后将测试得到的存储单... 展开更多; 关键词存储器失效存储单元版图坐标文件寻址坐标二维图像; 在线阅读下载PDF 职称材料

亚65nm静态随机存储器稳定性提高技术: 8; 作者张金峰李富华 +1 位作者郑坚斌张昭勇《微纳电子技术》 CAS 2008年第1期15-19,24,共6页; CMOS工艺进入到65nm节点后,工作电压降低,随机掺杂导致阈值电压变化增大,给SRAM的读写稳定性带来挑战。介绍了目前业界最新的主要稳定性提高技术。双电源电压、直流分压、电荷共享和电容耦合通过改变字线或者存储单元电压来提高读写稳定... 展开更多; 关键词静态随机存储器工艺变化读写裕度读写辅助电路; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种提高效率和减小电压纹波的电荷泵被引量：1: 1; 作者吴浩李富华郑坚斌; 机构苏州大学电子信息学院苏州芯同科技有限公司; 出处《中国集成电路》 2006年第12期22-24,共3页; 文摘提出了一种经稳压后的电荷泵架构,通过改进传统四相位电荷泵的输出级使效率提高了5%,通过改进传统的控制时钟方案使输出电压纹波降低了38%,已在和舰0.18μm三阱CMOS工艺中得到实现。; 关键词电荷泵效率稳压纹波; Keywords charge pump, power efficiency, regulator, voltage ripple; 分类号 TM832 [电气工程—高电压与绝缘技术]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于字线负偏压技术的低功耗SRAM设计被引量：3: 2; 作者冯李张立军郑坚斌王林李有忠张振鹏; 机构苏州大学苏州兆芯半导体科技有限公司; 出处《电子设计工程》 2017年第8期115-118,123,共5页; 基金国家自然科学基金项目(61272105 61076102); 文摘随着工艺节点的进步,SRAM中静态功耗占整个功耗的比例越来越大,纳米尺度的IC设计中,漏电流是一个关键问题。为了降低SRAM静态功耗,本文提出一种字线负偏压技术,并根据不同的工艺角,给出最合适的负偏压大小,使得SRAM漏电流得到最大程度的降低。仿真结果表明,SMIC 40nm工艺下,和未采用字线负偏压技术的6管SRAM存储单元相比,该技术在典型工艺角下漏电流降低11.8%,在慢速工艺角下漏电流降低能到达29.1%。; 关键词静态功耗低功耗 SRAM 字线负偏压; Keywords static power consumption low power SRAM negative word line; 分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名CMOS电路同步开关噪声的分析和仿真: 3; 作者王强毛友德王竞郑坚斌楚薇; 机构合肥工业大学理学院世宏科技(苏州)有限公司; 出处《电子与封装》 2004年第4期50-53,45,共5页; 文摘目前,集成电路正向着高速集成度方向发展,但受到封装如DIP、TSOP、BGA等上寄生电感的作用,同步开关噪声影响越来越大。本文对一个简化的同步开关噪声电路模型进行了理论分析,从而得出通过调整开关上升时间等方法,可以有效降低地弹噪声,降低幅度可达到80％以上。; 关键词 CMOS集成电路同步开关噪声寄生电感; Keywords CMOSIC Simultaneous Switching Noise Parasitic Inductance; 分类号 TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于AOCV的低功耗标准单元设计被引量：3: 4; 作者张振鹏张立军郑坚斌于跃索超李有忠; 机构苏州大学苏州兆芯半导体科技有限公司; 出处《电子设计工程》 2017年第7期134-138,共5页; 基金国家自然科学基金(61272105); 文摘近年来,物联网和移动互联网为代表的应用芯片提出了越来越高的功耗要求。降低工作电压是降低功耗的有效方法,但是随着电压的降低,电路的性能也会急剧下降。针对这一问题,本文运用AOCV的时序分析方法,使得电路设计在保证性能的基础上,最大程度地降低工作电压。在先进工艺下,运用AOCV方法能够使得工作电压由1.05 V降为1 V左右,在典型工艺角下的功耗得到了有效降低,同时保证了电路的速度和时序要求。; 关键词低功耗工艺偏差 AOCV 时序裕量 PrimeTime 标准单元; Keywords low power process variation AOCV timing margin PrimeTime standard cell; 分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种适用于FinFET单存储单元的高效的动态故障测试算法被引量：2: 5; 作者桑胜男张立军郑坚斌彭增发; 机构苏州大学苏州兆芯半导体科技有限公司; 出处《微电子学与计算机》北大核心 2019年第4期17-22,共6页; 文摘 FinFET作为现在最前沿的晶体管技术,在嵌入式存储器上得到了广泛应用.但是,新的工艺也带来了新的缺陷.Synopsys公司通过故障建模及测试发现:FinFET存储器比平面存储器对动态故障更敏感.而经典的测试算法仅仅针对静态故障.目前关于动态故障的测试算法极少,并且复杂度很高.因此,本文提出了一种改进的动态故障测试算法,该算法能够覆盖所有连续两次敏化操作的单单元动态故障.; 关键词 SRAM MARCH算法动态故障故障原语 MBIST; Keywords SRAM march algorithm dynamic fault fault primitive MBIST; 分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于65nm工艺的超高速全数字锁相环的设计和实现被引量：1: 6; 作者吴浩张一平郑坚斌; 机构苏州秉亮科技有限公司; 出处《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2009年第12期67-70,共4页; 文摘论述了UMC65nm CMOS工艺实现的全定制全数字锁相环.该锁相环用于提供高速嵌入式SRAM内建自测试所需的时钟.分析了全数字锁相环的工作原理和电路架构,并给出了整个锁相环系统的电路和版图实现.编码控制振荡器是全数字锁相环中的核心电路,提出了一种改进的编码控制振荡器,具有高线性度和高精度的特点.在理论上分析了全数字锁相环系统的稳定性,并给出所采用的锁相环架构的稳定性公式.该锁相环达最高输出频率为2GHz,抖动小于1%.; 关键词锁相环全数字频率倍增稳定性编码控制振荡器; Keywords PLL all digital frequency multiply stability DCO; 分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种新型存储器测试辅助分析方法: 7; 作者顾昌山张立军郑坚斌彭增发于跃; 机构苏州大学苏州兆芯半导体科技有限公司; 出处《微电子学与计算机》北大核心 2019年第2期93-96,共4页; 文摘为了解决存储器测试数据映射到失效存储单元效率较低且精确度不够的问题,本文提出一种存储器测试辅助分析的方法:首先通过修改存储器编译器(memory compiler),使其自动生成存储阵列版图的物理坐标文件(bitmap).然后将测试得到的存储单元的失效信息在已生成的坐标文件中进行寻址,找出被测试失效单元位于版图中的具体物理坐标.最后通过得到的坐标信息自动输出该失效存储单元的译码信息及该存储单元位于整个存储阵列中的物理坐标二维图像.; 关键词存储器失效存储单元版图坐标文件寻址坐标二维图像; Keywords memory failed storage unit layout coordinate file addressing coordinate two-dimensional image; 分类号 TN492 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名亚65nm静态随机存储器稳定性提高技术: 8; 作者张金峰李富华郑坚斌张昭勇; 机构苏州大学电子信息学院; 出处《微纳电子技术》 CAS 2008年第1期15-19,24,共6页; 文摘 CMOS工艺进入到65nm节点后,工作电压降低,随机掺杂导致阈值电压变化增大,给SRAM的读写稳定性带来挑战。介绍了目前业界最新的主要稳定性提高技术。双电源电压、直流分压、电荷共享和电容耦合通过改变字线或者存储单元电压来提高读写稳定性,这些技术都采用外加读写辅助电路来实现;超6管存储单元通过在传统6管单元上增加晶体管,有效提高了读写稳定性;三维器件FinFET构成的SRAM具有传统器件无法比拟的高速、高稳定性、面积小的特点。对这些技术的优缺点作了分析比较。; 关键词静态随机存储器工艺变化读写裕度读写辅助电路; Keywords SRAM process variation read and write margin RWAC; 分类号 TN432 [电子电信]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	一种提高效率和减小电压纹波的电荷泵	吴浩李富华郑坚斌	《中国集成电路》	2006	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	基于字线负偏压技术的低功耗SRAM设计	冯李张立军郑坚斌王林李有忠张振鹏	《电子设计工程》	2017	3	在线阅读下载PDF 职称材料
3	CMOS电路同步开关噪声的分析和仿真	王强毛友德王竞郑坚斌楚薇	《电子与封装》	2004	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	基于AOCV的低功耗标准单元设计	张振鹏张立军郑坚斌于跃索超李有忠	《电子设计工程》	2017	3	在线阅读下载PDF 职称材料
5	一种适用于FinFET单存储单元的高效的动态故障测试算法	桑胜男张立军郑坚斌彭增发	《微电子学与计算机》北大核心	2019	2	在线阅读下载PDF 职称材料
6	基于65nm工艺的超高速全数字锁相环的设计和实现	吴浩张一平郑坚斌	《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心	2009	1	在线阅读下载PDF 职称材料
7	一种新型存储器测试辅助分析方法	顾昌山张立军郑坚斌彭增发于跃	《微电子学与计算机》北大核心	2019	0	在线阅读下载PDF 职称材料
8	亚65nm静态随机存储器稳定性提高技术	张金峰李富华郑坚斌张昭勇	《微纳电子技术》 CAS	2008		在线阅读下载PDF 职称材料