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MOCVD生长的InGaN合金的发光特性 被引量:5
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作者 竹有章 陈光德 +2 位作者 谢伦军 唐远河 邱复生 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期602-606,共5页
研究了用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在蓝宝石基底上生长的InGaN样品的发光特性。样品XRD谱中存在InGaN、In、InN相,表明样品中存在相分离;透射谱能看到由于F-P腔调制引起的震荡;相对氙灯激发发光谱,激光激发的发光谱其发光峰位置发... 研究了用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在蓝宝石基底上生长的InGaN样品的发光特性。样品XRD谱中存在InGaN、In、InN相,表明样品中存在相分离;透射谱能看到由于F-P腔调制引起的震荡;相对氙灯激发发光谱,激光激发的发光谱其发光峰位置发生蓝移。由于样品上下表面形成F-P腔,对发光谱产生强烈的调制,在较高强度激发下,在室温下带边峰分成三个峰,其中波长较短的两个发光峰表现出相同的特征,其发光机制可能为以In量子点为局域中心的局域化激子复合发光,而波长较长的发光峰,是一个超线性受激发光峰,其发光机制可能是电子-空穴等离子的散射。不同温度的PL谱表明两个主要的发光峰表现出不同的温度特征,利用F-P干涉理论分析可知,当温度高于120 K后样品折射率随着温度的升高而增大。 展开更多
关键词 INGAN 光致发光 F—P腔 受激辐射 折射率
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单壁碳纳米管吸附联苯类有机物的荧光光谱分析 被引量:5
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作者 徐中辉 邱复生 +2 位作者 牛海波 陈信伟 黄新刚 《物理实验》 2007年第1期10-13,共4页
利用芳香族化合物对单壁碳纳米管进行了化学修饰,并利用荧光光谱以及时间分辨光谱对修饰后的单壁碳纳米管进行了表征分析.实验发现吸附对三联苯后有1个荧光峰位置发生了蓝移,这说明吸附过程使对三联苯的一些能级分布发生了变化.测量吸... 利用芳香族化合物对单壁碳纳米管进行了化学修饰,并利用荧光光谱以及时间分辨光谱对修饰后的单壁碳纳米管进行了表征分析.实验发现吸附对三联苯后有1个荧光峰位置发生了蓝移,这说明吸附过程使对三联苯的一些能级分布发生了变化.测量吸附前后对三联苯和蒽甲醇的荧光寿命,发现吸附后的荧光衰减曲线下降趋势更加明显,对曲线进行多指数拟合得出的荧光寿命及其数目发生了变化,分析了可能导致该现象的原因. 展开更多
关键词 单壁碳纳米管 化学修饰 荧光光谱 荧光寿命
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蒽甲醇修饰单壁碳纳米管的研究
3
作者 徐中辉 邱复生 +3 位作者 姜芸 牛海波 陈信伟 黄新刚 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期503-503,共1页
利用蒽甲醇对单壁碳纳米管进行了化学修饰,并利用透射电镜、紫外可见吸收光谱、荧光光谱、拉曼光谱对修饰后的单壁碳纳米管进行了表征分析.通过对比吸附前后的紫外可见吸收光谱,发现吸附后的光谱强度约下降了57.1%左右,说明单壁碳... 利用蒽甲醇对单壁碳纳米管进行了化学修饰,并利用透射电镜、紫外可见吸收光谱、荧光光谱、拉曼光谱对修饰后的单壁碳纳米管进行了表征分析.通过对比吸附前后的紫外可见吸收光谱,发现吸附后的光谱强度约下降了57.1%左右,说明单壁碳纳米管吸附上了蒽甲醇.通过拉曼光谱分析,发现吸附后单壁碳纳米管的拉曼光谱中主要峰的位置向长波方向移动了6~7cm^-1,分析认为拉曼光谱发生移动的原因是单壁碳纳米管吸附蒽甲醇前后状态的改变导致的。 展开更多
关键词 单壁碳纳米管 化学修饰 甲醇 紫外可见吸收光谱 拉曼光谱分析 透射电镜 荧光光谱
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蒽甲醇修饰单壁碳纳米管的研究
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作者 徐中辉 邱复生 +3 位作者 姜芸 牛海波 陈信伟 黄新刚 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期746-749,共4页
利用蒽甲醇对单壁碳纳米管进行了化学修饰,并利用透射电镜、紫外可见吸收光谱、荧光光谱、拉曼光谱对修饰后的单壁碳纳米管进行了表征分析.通过对比吸附前后的紫外可见吸收光谱发现,吸附后的光谱强度下降大约57.1%,说明单壁碳纳... 利用蒽甲醇对单壁碳纳米管进行了化学修饰,并利用透射电镜、紫外可见吸收光谱、荧光光谱、拉曼光谱对修饰后的单壁碳纳米管进行了表征分析.通过对比吸附前后的紫外可见吸收光谱发现,吸附后的光谱强度下降大约57.1%,说明单壁碳纳米管吸附上了蒽甲醇.通过拉曼光谱分析发现,吸附后单壁碳纳米管的拉曼光谱中主要峰的位置向长波方向移动了6~7cm^-1,认为拉曼光谱发生移动的原因是单壁碳纳米管吸附蒽甲醇前后状态的改变导致的. 展开更多
关键词 单壁碳纳米管 化学修饰 紫外可见吸收光谱 荧光光谱 拉曼光谱
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液相法制取CdSe纳米晶薄膜 被引量:2
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作者 王新霞 邱复生 《材料导报》 EI CAS CSCD 2004年第F04期39-41,共3页
CdSe是一种优良的光电子材料,具有广泛的应用价值。综述了液相制备CdSe纳米晶薄膜的几种主要方法:化学沉淀法、溶胶-凝胶法、微乳液法、水热合成法、γ辐射法、声化学方法,并论述了这些方法的特点,还指出了今后的制备发展方向。
关键词 纳米晶薄膜 CDSE 液相法 制取 溶胶-凝胶法 光电子材料 化学沉淀法 水热合成法 应用价值 液相制备 微乳液法 化学方法 发展方向 辐射法
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广义高斯光束中光斑半径和曲率半径特性研究 被引量:1
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作者 黄订 邱复生 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第2期256-260,共5页
为了研究广义高斯光束特性中未曾研究过的光斑半径长短轴(wmax,wmin)的最小值位置(lwmin,lwmax)和曲率半径R1,R2两个特殊位置的突变点(lR1,lR2)之间的关系,并由它们的关系发现广义高斯光束的一些新的特殊性质,先采用abc参量法进行理论推... 为了研究广义高斯光束特性中未曾研究过的光斑半径长短轴(wmax,wmin)的最小值位置(lwmin,lwmax)和曲率半径R1,R2两个特殊位置的突变点(lR1,lR2)之间的关系,并由它们的关系发现广义高斯光束的一些新的特殊性质,先采用abc参量法进行理论推导,得出无法得到lwmin,lwmax,lR1,lR2位置关系的简单解析解表达式,进而采用计算机软件进行数值分析,得到它们与初始点参量wmax,0,wmin,0,R1,0,R2,0以及旋转角φR1相应的关系图。结果表明,光斑半径长短轴的最小值位置始终处于曲率半径两个极值的突变位置之间,且lwmin,lwmax,lR1,lR2大致分布在l=0附近,lwmin相比较其它三者而言,出现明显不连续突变情况,这对实际普遍情况下的广义高斯光束是成立的。 展开更多
关键词 物理光学 非线性光学 广义高斯光束 abc参量法 光斑半径 曲率半径
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PMN-PT晶体折射率的精确测量
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作者 赵卫岗 陈虹 +5 位作者 刘鑫 邱复生 黄凌雄 张戈 魏晓勇 徐卓 《压电与声光》 CAS 北大核心 2022年第1期139-143,150,共6页
折射率是光学晶体的基本参数,准确测定晶体的折射率能够为晶体的电光、声光、非线性应用提供基本计算参数和实验参量。为了准确测定Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_(3)-PbTiO_(3)(PMN-PT)晶体在可见光和近红外波段的折射率系数,搭建了激光自准... 折射率是光学晶体的基本参数,准确测定晶体的折射率能够为晶体的电光、声光、非线性应用提供基本计算参数和实验参量。为了准确测定Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_(3)-PbTiO_(3)(PMN-PT)晶体在可见光和近红外波段的折射率系数,搭建了激光自准直折射率测量系统,对纯铌酸锂晶体的折射率测试结果与现有文献报道误差小于1/1000,使用该系统对沿<001>极化的Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_(3)-0.39PbTiO_(3)(PMN-0.39PT)单畴晶体进行了测定,得到了单畴的PMN-0.39PT晶体在波长分别为594 nm、633 nm、1150 nm和1520 nm时的折射率和色散方程,测量结果与现有文献规律性一致。结果表明该方法可用于准确快速测定新型电光晶体折射率。 展开更多
关键词 激光自准直法 Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_(3)-PbTiO_(3)(PMN-PT)单晶 折射率测量
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四频差动激光陀螺法拉第片最佳入射角的研究
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作者 锁高洁 邱复生 宋凯 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第2期245-249,共5页
为了探究入射光偏振态对四频差动激光陀螺法拉第片最佳入射角的影响,建立四频差动激光陀螺法拉第片三光束干涉的琼斯矩阵,利用计算机进行数值计算,模拟圆偏振光和椭圆偏振光在陀螺仪内的传播方程,并通过搜索不同入射角情况下-40℃~80℃... 为了探究入射光偏振态对四频差动激光陀螺法拉第片最佳入射角的影响,建立四频差动激光陀螺法拉第片三光束干涉的琼斯矩阵,利用计算机进行数值计算,模拟圆偏振光和椭圆偏振光在陀螺仪内的传播方程,并通过搜索不同入射角情况下-40℃~80℃温度范围内磁圆二向色性差分损耗的振幅最小值来选取最佳入射角。结果表明,圆偏振模式下和椭圆偏振模式下法拉第片的最佳入射角有一定差别,这种差别足以影响到激光陀螺仪的测量精度,因此在安装法拉第片时应考虑入射光偏振态对其最佳入射角的影响;此外,法拉第片的最佳入射角与入射光s分量(垂直于入射面)、p分量(平行于入射面)在反射镜上的反射相位差以及反射镜的反射系数均有关。 展开更多
关键词 激光光学 椭圆偏振态 法拉第片 最佳入射角
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Improved liquid-solid-gas interface deposition of nanoparticle thin films
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作者 刁佳杰 陈光德 +1 位作者 邱复生 颜国君 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2004年第11期1927-1930,共4页
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