分析了Ba Ti1-xNbxO3(0≤x≤0.04)陶瓷样品中存在的补偿机制及其结构与介电性能的变化。结果表明:Nb5+的掺入没有引起第二相的生成,并能减小陶瓷晶粒尺寸;Nb5+离子的加入有利于Ba Ti O3陶瓷从正常铁电体向弛豫铁电体转变,降低介电常数...分析了Ba Ti1-xNbxO3(0≤x≤0.04)陶瓷样品中存在的补偿机制及其结构与介电性能的变化。结果表明:Nb5+的掺入没有引起第二相的生成,并能减小陶瓷晶粒尺寸;Nb5+离子的加入有利于Ba Ti O3陶瓷从正常铁电体向弛豫铁电体转变,降低介电常数峰值温度(Tm),提高室温介电常数,减小剩余极化强度(Pr)和矫顽场(Ec)。通过Gulp模拟并分析得出当Nb5+掺入后,主要以空位进行补偿,且以钡空位补偿为主,形成缺陷簇。展开更多
文摘分析了Ba Ti1-xNbxO3(0≤x≤0.04)陶瓷样品中存在的补偿机制及其结构与介电性能的变化。结果表明:Nb5+的掺入没有引起第二相的生成,并能减小陶瓷晶粒尺寸;Nb5+离子的加入有利于Ba Ti O3陶瓷从正常铁电体向弛豫铁电体转变,降低介电常数峰值温度(Tm),提高室温介电常数,减小剩余极化强度(Pr)和矫顽场(Ec)。通过Gulp模拟并分析得出当Nb5+掺入后,主要以空位进行补偿,且以钡空位补偿为主,形成缺陷簇。
