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题名300mm铜膜低压CMP速率及一致性
被引量：6
- 1
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作者
邢少川
刘玉岭
刘效岩
田雨
胡轶
王辰伟
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机构
河北工业大学微电子研究所
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出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2011年第12期816-820,共5页
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基金
国家科技重大专项(2009ZX02308)
天津市自然科学基金(10JCZDJC15500)
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文摘
随着铜互连结构中低k介质的应用,要求CMP抛光过程中必须将压力减小到6.89kPa以下,传统的化学机械抛光已不符合当前的工艺要求,如何兼顾超低压力下抛光速率和速率一致性成为关键问题。对300mm Blanket铜膜进行了低压化学机械抛光实验,分析研究了碱性抛光液组分及抛光工艺参数对铜膜去除速率及其一致性的影响。通过实验可得,在低压力1kPa,流量200mL/min,转速30r/min,氧化剂体积分数2%,磨料体积分数30%,螯合剂体积分数3%时,抛光速率为330nm/min,表面非均匀性为0.049,抛光后表面粗糙度为0.772nm,得到了较为理想的实验结果。
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关键词
低压
化学机械抛光(CMP)
碱性抛光液
抛光速率
片内非均匀性(WIWNU)
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Keywords
low pressure
chemical mechanical polishing （CMP）
alkaline slurry
polishing rate
within wafer nonuniformity （WIWNU）
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分类号
TN305.2
[电子电信—物理电子学]
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题名300mm铜膜低压低磨料CMP表面粗糙度的研究
被引量：7
- 2
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作者
田雨
王胜利
刘玉岭
刘效岩
邢少川
马迎姿
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机构
河北工业大学微电子研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第11期836-839,共4页
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基金
02国家科技重大专项(2009ZX02308)
河北省自然科学基金(E2010000077)
天津市自然科学基金项目(10JCZDJC15500)
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文摘
随着集成电路特征尺寸的减小、低k介质的引入及晶圆尺寸的增加,如何保证在低压无磨料条件下完成大尺寸铜互连线平坦化已经成为集成电路制造工艺发展的关键。采用法国Alpsitec公司的E460E抛光机在低压低磨料的条件下,研究了12英寸(1英寸=25.4 mm)无图形(blanket)铜膜CMP工艺和抛光液配比对抛光表面质量的影响。实验结果表明,在压力为0.65 psi(1 psi=6.89×103 Pa),抛光液主要成分为体积分数分别为5%的螯合剂、2%的氧化剂和3%的表面活性剂。抛光后表面无划伤,表面非均匀性为0.085,抛光速率为400 nm.min-1,表面粗糙度为0.223 nm,各参数均满足工业化生产的需要。
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关键词
铜互连线
低磨料
低压
粗糙度
化学机械抛光
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Keywords
copper interconnection
abrasive-low
low pressure
surface roughness
chemicalmechanical polishing （CMP）
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分类号
TN305.2
[电子电信—物理电子学]
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题名一种10位50MHz流水线模数转换器的设计
被引量：2
- 3
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作者
王林锋
周建伟
甘小伟
刘利宾
邢少川
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机构
河北工业大学微电子研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第2期122-125,共4页
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文摘
采用每级1.5 bit和每级2.5 bit相结合的方法设计了一种10位50 MHz流水线模数转换器。通过采用自举开关和增益自举技术的折叠式共源共栅运算放大器,保证了采样保持电路和级电路的性能。该电路采用华润上华(CSMC)0.5μm 5 V CMOS工艺进行版图设计和流片验证,芯片面积为5.5 mm2。测试结果表明:该模数转换器在采样频率为50 MHz,输入信号频率为30 kHz时,信号加谐波失真比(SNDR)为56.5 dB,无杂散动态范围(SFDR)为73.9 dB。输入频率为20 MHz时,信号加谐波失真比为52.1 dB,无杂散动态范围为65.7 dB。
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关键词
流水线模数转换器
采样保持电路
运算放大器
自举开关
增益自举
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Keywords
pipelined ADC
sample/hold circuit
operational amplifier
bootstrap switch
gain-boosted
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分类号
TN792
[电子电信—电路与系统]
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