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题名激光光刻技术的研究与发展
被引量：12
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作者
邓常猛
耿永友
吴谊群
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机构
中国科学院上海光学精密机械研究所中国科学院强激光材料重点实验室
中国科学院研究生院
功能无机材料化学省部共建教育部重点实验室(黑龙江大学)
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出处
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2012年第5期1223-1231,共9页
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基金
国家自然科学基金(60977004
50872139)
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文摘
光刻技术作为制备半导体器件的关键技术之一将制约着半导体行业的发展和半导体器件的性能。随着半导体工业的发展,集成电路的特征尺寸越来越小,光刻技术将面临新的挑战。分析了激光光刻技术,包括投影式光刻和激光无掩膜光刻技术的研究现状,着重介绍了极紫外光刻(EUVL)作为下一代光刻技术的发展前景和技术难点、激光无掩膜光刻技术的发展,特别是激光近场扫描光刻、激光干涉光刻、激光非线性光刻等新技术的最新进展及其在高分辨率纳米加工领域的应用前景。
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关键词
投影式光刻
无掩膜光刻
发展趋势
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Keywords
projection lithography
maskless lithography
development trend
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分类号
TN305.7
[电子电信—物理电子学]
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题名极紫外光刻材料研究进展
被引量：6
- 2
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作者
耿永友
邓常猛
吴谊群
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机构
中国科学院上海光学精密机械研究所中国科学院强激光材料重点实验室
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出处
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2014年第6期1850-1856,共7页
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基金
上海光源中国科学院大科学装置开放研究项目(自组装技术与超高密度纳米阵列研究)
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文摘
极紫外光刻是微电子领域有望用于下一代线宽为22nm及以下节点的商用投影光刻技术,光刻材料的性能与工艺是其关键技术之一。为我国开展极紫外光刻材料研究提供参考,综述了最近几年来文献报道的研究成果,介绍了极紫外光刻技术发展历程、现状、光刻特点及对光刻材料的基本要求,总结了极紫外光刻材料的研究领域和具体分类,着重阐述了主要光刻材料的组成、光刻原理,光刻性能所达到的水平和存在的主要问题,最后探讨了极紫外光刻材料未来的主要研究方向。
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关键词
极紫外光刻
极紫外光刻材料
极紫外光刻性能
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Keywords
EUVL
EUV resists
performances of EUV resists
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分类号
TN305.7
[电子电信—物理电子学]
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