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AlGaN/GaN功率器件缓冲层陷阱的分析方法
1
作者
邓小社
梁亚楠
+4 位作者
贾利芳
樊中朝
何志
张韵
张大成
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第9期649-657,共9页
由于AlGaN/GaN异质结界面极化效应产生的高浓度和高迁移率的二维电子气(2DEG),使AlGaN/GaN器件在电子器件领域具有显著的应用优势。AlGaN/GaN器件存在的电流崩塌现象限制了器件的实际应用。缓冲层陷阱是导致电流崩塌现象的重要原因之一...
由于AlGaN/GaN异质结界面极化效应产生的高浓度和高迁移率的二维电子气(2DEG),使AlGaN/GaN器件在电子器件领域具有显著的应用优势。AlGaN/GaN器件存在的电流崩塌现象限制了器件的实际应用。缓冲层陷阱是导致电流崩塌现象的重要原因之一。概述了AlGaN/GaN器件缓冲层陷阱的研究方法,分析了各种方法的优缺点。重点介绍了基于电容、电流瞬态测试的方法。介绍了基于电容瞬态测试方法中的热激发的电容式深能级瞬态谱(DLTS)、光激发的开启电容恢复和光激发的深能级光谱(DLOS)方法;直接通过电流瞬态测试难以区分陷阱的位置,总结了基于此方法的不同偏压条件下的电流瞬态测试、背栅电流瞬态谱、无栅极的源-漏测试结构分析方法。电容和电流瞬态测试方法具有灵敏度高的优点,适用于缓冲层陷阱的分析,为抑制电流崩塌提供了理论指导。
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关键词
AL
GA
N/Ga
N
缓冲层
陷阱能级
电容瞬态测试
电流瞬态测试
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职称材料
逆导型沟槽FS IGBT的设计与实现
2
作者
邓小社
郭绪阳
+2 位作者
李泽宏
张波
张大成
《半导体技术》
CSCD
北大核心
2017年第9期669-674,695,共7页
逆导型沟槽场终止绝缘栅双极型晶体管(RC Trench FS IGBT)是一种新型的功率半导体器件,具有成本低、体积小、可靠性高等优点。设计并实现了一款1 200 V逆导型沟槽FS IGBT。重点研究了逆导型绝缘栅门极晶体管(RC IGBT)特有的回扫现象,以...
逆导型沟槽场终止绝缘栅双极型晶体管(RC Trench FS IGBT)是一种新型的功率半导体器件,具有成本低、体积小、可靠性高等优点。设计并实现了一款1 200 V逆导型沟槽FS IGBT。重点研究了逆导型绝缘栅门极晶体管(RC IGBT)特有的回扫现象,以及如何从结构设计上消除回扫现象,其次,对RC IGBT在不同的载流子寿命下,进行了开关特性、反向恢复特性的仿真。研究结果发现随着载流子寿命的降低,其开关时间、反向恢复特性都有一定程度的改善。依据器件的最优化设计进行了流片。测试结果验证了不同设计对电流回扫现象的影响,以及不同少子寿命下导通特性和反向恢复特性的变化规律,器件的性能得到优化。
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关键词
逆导型沟槽场终止绝缘栅双极型晶体管(RC
TRENCH
FS
IGBT)
载流子寿命
反向恢复时间
回扫现象
开关特性
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职称材料
题名
AlGaN/GaN功率器件缓冲层陷阱的分析方法
1
作者
邓小社
梁亚楠
贾利芳
樊中朝
何志
张韵
张大成
机构
北京大学软件与微电子学院
中国科学院半导体研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第9期649-657,共9页
文摘
由于AlGaN/GaN异质结界面极化效应产生的高浓度和高迁移率的二维电子气(2DEG),使AlGaN/GaN器件在电子器件领域具有显著的应用优势。AlGaN/GaN器件存在的电流崩塌现象限制了器件的实际应用。缓冲层陷阱是导致电流崩塌现象的重要原因之一。概述了AlGaN/GaN器件缓冲层陷阱的研究方法,分析了各种方法的优缺点。重点介绍了基于电容、电流瞬态测试的方法。介绍了基于电容瞬态测试方法中的热激发的电容式深能级瞬态谱(DLTS)、光激发的开启电容恢复和光激发的深能级光谱(DLOS)方法;直接通过电流瞬态测试难以区分陷阱的位置,总结了基于此方法的不同偏压条件下的电流瞬态测试、背栅电流瞬态谱、无栅极的源-漏测试结构分析方法。电容和电流瞬态测试方法具有灵敏度高的优点,适用于缓冲层陷阱的分析,为抑制电流崩塌提供了理论指导。
关键词
AL
GA
N/Ga
N
缓冲层
陷阱能级
电容瞬态测试
电流瞬态测试
Keywords
A1GaN/GaN
buffer layer
trap level
capacitance transient measurement
currenttransient measurement
分类号
TN304.26 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
逆导型沟槽FS IGBT的设计与实现
2
作者
邓小社
郭绪阳
李泽宏
张波
张大成
机构
北京大学软件与微电子学院
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
出处
《半导体技术》
CSCD
北大核心
2017年第9期669-674,695,共7页
基金
国家自然科学基金资助项目(61404023)
国家科技重大专项资助项目(2011ZX02504-001
+1 种基金
2011ZX02504-003)
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室开放基金资助项目(KFJJ201301)
文摘
逆导型沟槽场终止绝缘栅双极型晶体管(RC Trench FS IGBT)是一种新型的功率半导体器件,具有成本低、体积小、可靠性高等优点。设计并实现了一款1 200 V逆导型沟槽FS IGBT。重点研究了逆导型绝缘栅门极晶体管(RC IGBT)特有的回扫现象,以及如何从结构设计上消除回扫现象,其次,对RC IGBT在不同的载流子寿命下,进行了开关特性、反向恢复特性的仿真。研究结果发现随着载流子寿命的降低,其开关时间、反向恢复特性都有一定程度的改善。依据器件的最优化设计进行了流片。测试结果验证了不同设计对电流回扫现象的影响,以及不同少子寿命下导通特性和反向恢复特性的变化规律,器件的性能得到优化。
关键词
逆导型沟槽场终止绝缘栅双极型晶体管(RC
TRENCH
FS
IGBT)
载流子寿命
反向恢复时间
回扫现象
开关特性
Keywords
reverse conduction trench field stop insulated gate bipolar translator（RC Trench FS IGBT）
carrier life time
reverse recovery time
snapback phenomenon
switch performance
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
AlGaN/GaN功率器件缓冲层陷阱的分析方法
邓小社
梁亚楠
贾利芳
樊中朝
何志
张韵
张大成
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016
0
在线阅读
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职称材料
2
逆导型沟槽FS IGBT的设计与实现
邓小社
郭绪阳
李泽宏
张波
张大成
《半导体技术》
CSCD
北大核心
2017
0
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职称材料
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