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国产LaBr_3:Ce晶体性能表征
被引量：
4
1
作者
迟林翔
徐炯辉
+1 位作者
刘军辉
成枫锋
《北京师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第2期136-139,共4页
作为近年来发展起来的新晶体,LaBr3:Ce有着很高的发光产额(~60 000p·MeV-1)和较快的发光衰减时间常数(~16ns),因而成为研究热点.国内对LaBr3:Ce晶体的研究生产时间不长,仅有少数几家单位具备生产研究条件.本工作采用北京华凯龙电...
作为近年来发展起来的新晶体,LaBr3:Ce有着很高的发光产额(~60 000p·MeV-1)和较快的发光衰减时间常数(~16ns),因而成为研究热点.国内对LaBr3:Ce晶体的研究生产时间不长,仅有少数几家单位具备生产研究条件.本工作采用北京华凯龙电子有限公司生产的LaBr3:Ce晶体(晶体尺寸为φ30mm×20mm),配合XP20D0光电倍增管,采用单光电子方法测量得到其光电子产额为16 800pe·MeV-1;测量了其发光衰减曲线,计算得到其上升时间为5.6ns,发光衰减时间常数为21ns;其对137 Cs的能量分辨率为3.3%;采用两块φ30 mm×20 mm的LaBr3:Ce晶体与两只XP20D0光电倍增管,测量得到对22 Na的符合时间分辨率为191ps;这些表征为国产LaBr3:Ce晶体的γ谱仪研究提供了重要参考.
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关键词
LaBr3
Γ谱仪
闪烁体
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职称材料
铒离子注入氮化镓的光学活性与缺陷掺杂变化
被引量：
1
2
作者
迟林翔
陈田祥
+2 位作者
孙煜东
李琳
成枫锋
《北京师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2017年第5期528-531,F0002,共5页
对100keV、1×1015cm-2的Er离子注入的GaN退火样品的各项性质进行研究,采取光致发光(室温)、拉曼光谱和卢瑟福背散射对不同的退火样品的微观结构和光学性质进行研究.在退火样品中,均观测到了在1 539nm附近的PL峰.随着退火温度的升高...
对100keV、1×1015cm-2的Er离子注入的GaN退火样品的各项性质进行研究,采取光致发光(室温)、拉曼光谱和卢瑟福背散射对不同的退火样品的微观结构和光学性质进行研究.在退火样品中,均观测到了在1 539nm附近的PL峰.随着退火温度的升高,PL峰强在900℃时达到最大值.RBS结果显示随着温度的升高,Er离子不断扩散,且有部分在表面析出,导致在光学活性位置上的Er离子减少,使PL强度在更高温度下减弱.
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关键词
材料改性
氮化镓
离子注入
拉曼光谱
RBS
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职称材料
题名
国产LaBr_3:Ce晶体性能表征
被引量：
4
1
作者
迟林翔
徐炯辉
刘军辉
成枫锋
机构
射线束技术与材料改性教育部重点实验室 北京师范大学核科学与技术学院
北京市辐射中心
中核核电运行管理有限公司
二炮装备研究院六所
出处
《北京师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第2期136-139,共4页
基金
北京师范大学自主科研基金资助项目
中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(2013NT10)
文摘
作为近年来发展起来的新晶体,LaBr3:Ce有着很高的发光产额(~60 000p·MeV-1)和较快的发光衰减时间常数(~16ns),因而成为研究热点.国内对LaBr3:Ce晶体的研究生产时间不长,仅有少数几家单位具备生产研究条件.本工作采用北京华凯龙电子有限公司生产的LaBr3:Ce晶体(晶体尺寸为φ30mm×20mm),配合XP20D0光电倍增管,采用单光电子方法测量得到其光电子产额为16 800pe·MeV-1;测量了其发光衰减曲线,计算得到其上升时间为5.6ns,发光衰减时间常数为21ns;其对137 Cs的能量分辨率为3.3%;采用两块φ30 mm×20 mm的LaBr3:Ce晶体与两只XP20D0光电倍增管,测量得到对22 Na的符合时间分辨率为191ps;这些表征为国产LaBr3:Ce晶体的γ谱仪研究提供了重要参考.
关键词
LaBr3
Γ谱仪
闪烁体
Keywords
LaBr3
gamma spectrometer
scintillators
分类号
TL817.2 [核科学技术—核技术及应用]
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职称材料
题名
铒离子注入氮化镓的光学活性与缺陷掺杂变化
被引量：
1
2
作者
迟林翔
陈田祥
孙煜东
李琳
成枫锋
机构
北京师范大学射线束与材料改性教育部重点实验室北京师范大学核科学与技术学院
北京市辐射中心
中国科学院高能物理研究所
华北电力大学(北京)
北京化工大学
出处
《北京师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2017年第5期528-531,F0002,共5页
基金
北京师范大学科研基金资助项目
中央高校基本科研业务费专项基金资助项目(2013NT10)
文摘
对100keV、1×1015cm-2的Er离子注入的GaN退火样品的各项性质进行研究,采取光致发光(室温)、拉曼光谱和卢瑟福背散射对不同的退火样品的微观结构和光学性质进行研究.在退火样品中,均观测到了在1 539nm附近的PL峰.随着退火温度的升高,PL峰强在900℃时达到最大值.RBS结果显示随着温度的升高,Er离子不断扩散,且有部分在表面析出,导致在光学活性位置上的Er离子减少,使PL强度在更高温度下减弱.
关键词
材料改性
氮化镓
离子注入
拉曼光谱
RBS
Keywords
material modification
GaN
ion implantation
Raman spectrum
RBS
分类号
O774 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
国产LaBr_3:Ce晶体性能表征
迟林翔
徐炯辉
刘军辉
成枫锋
《北京师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2015
4
在线阅读
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职称材料
2
铒离子注入氮化镓的光学活性与缺陷掺杂变化
迟林翔
陈田祥
孙煜东
李琳
成枫锋
《北京师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2017
1
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职称材料
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