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题名SiGe异质结晶体管技术的发展
被引量：8
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作者
辛启明
刘英坤
贾素梅
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机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第9期672-676,729,共6页
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文摘
以全球信息产业需求及技术发展为背景,回顾了以能带工程为基础的、在现代通信领域得到广泛应用的SiGe异质结晶体管技术的发展历程。介绍了分子束外延、超高真空化学气象淀积和常压化学气象淀积3种典型的SiGe外延技术并对比了这三种技术的优缺点。在此基础上,对SiGe HBT技术进行了分析总结并列举了其典型技术应用。以IBM的SiGe BiCMOS技术为例,介绍了目前主流的SiGe异质结晶体管技术-SiGe BiCMOS技术的研究现状及典型技术产品。最后对正在发展中的SiGe FET技术做了简要介绍。在回顾了SiGe异质结晶体管技术发展的同时,认为未来SiGe异质结晶体管技术的提高将主要依赖于超薄SiGe基区外延技术。
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关键词
SIGE技术
SiGe外延
SIGE
HBT
SIGE
BICMOS
SIGE
FET
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Keywords
SiGe technology
SiGe epitaxy
SiGe HBT
SiGe BiCMOS
SiGe FET
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分类号
TN433
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名SiGe HBT发射区台面自中止腐蚀技术研究
被引量：1
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作者
贾素梅
杨瑞霞
刘英坤
邓建国
辛启明
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机构
河北工业大学信息工程学院
邯郸学院信息工程学院
中国电子科技集团公司第十三研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第9期689-692,共4页
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基金
邯郸市科学技术研究与发展计划项目(1155103119-4)
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文摘
台面结构SiGe/Si异质结晶体管制作过程中,发射区台面形成尤为关键。由于干法刻蚀速率难以精确控制,且易损伤SiGe外基区表面,SiGe自中止湿法腐蚀成为台面结构SiGe/Si异质结晶体管制作过程中的优选工艺。分析了SiGe自中止腐蚀的反应机理,对腐蚀条件包括掩蔽膜的选取,温度、超声等因素对腐蚀速率及均匀性的影响进行摸索,取得了较好结果,最终采用该技术完成了SiGe/Si npn型异质结晶体管的制作,测得其电流增益β>80,对采用台面结构制造SiGe/Si HBT具有一定参考价值。
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关键词
SIGE/SI
异质结晶体管
台面结构
干法刻蚀
自中止腐蚀
腐蚀条件
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Keywords
SiGe/Si
HBT
mesa structure
dry etching
self-ceasing etching
etching condition
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分类号
TN305.7
[电子电信—物理电子学]
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题名牛出血性败血症的流行病学、诊断和防控措施
被引量：3
- 3
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作者
辛启明
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机构
夏河县曲奥乡畜牧兽医工作站
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出处
《中国动物保健》
2023年第5期31-32,共2页
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文摘
牛出血性败血症,是牛养殖中较为频发的细菌性传染性病,一直以来都以高发病率、高传染性、高致死率著称,且容易导致群体性的发病及死亡问题,甚至还会传染给其他动物。牛场如果未能配备严谨细致、切实可行的诊断和防控规划,引发的养殖损失往往是不可预估的,因而,必须做好流行病学诊断和防控,本文主要以此为核心,就相关诊断和防控要点加以分析。
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关键词
牛
出血性败血症
诊断
防控
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分类号
S858.23
[农业科学—临床兽医学]
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