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一种大尺寸微通道板型光电倍增管被引量：8: 1; 作者孙建宁任玲 +14 位作者丛晓庆黄国瑞金睦淳李冬刘虎林乔芳建钱森司曙光田进寿王兴超王贻芳韦永林辛丽伟张昊达赵天池《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2017年第4期11-15,共5页; 针对高能物理、核物理等国家大科学装置对核心探测器件的需求,研究不同于金属打拿极型倍增系统的大尺寸微通道板型光电倍增管。该光电倍增管最主要的特点是具有20 in(1 in=2.54 cm)的低本底玻壳和微通道板型倍增极结构,使用Sb-K-Cs阴极... 展开更多; 关键词光电倍增管微通道板量子效率低本底; 在线阅读下载PDF 职称材料

低暗电流InGaAs-MSM光电探测器被引量：3: 2; 作者闫欣汪韬 +4 位作者尹飞倪海桥牛智川辛丽伟田进寿《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期83-87,共5页; MSM(金属-半导体-金属)型光电探测器的较低寄生电容和高带宽的特点使得其应用广泛,可用于空间通信、遥感等多方面,但暗电流偏大仍是制约其发展的重要因素.为此,本文研制了100×100μm2面积的InGaAs-MSM光电探测器,通过设计InAlGaAs/... 展开更多; 关键词半导体器件光电探测器 MOCVD 暗电流 MSM INGAAS 超晶格肖特基势垒; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种用于距离选通的ICCD设计与实现被引量：3: 3; 作者何欢田进寿 +6 位作者温文龙王俊锋刘虎林赛小锋韦永林辛丽伟李力舟《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期88-93,共6页; 研制了一种短余辉、高分辨率、快时间响应的高速选通超二代像增强器,通过光纤锥与CCD进行耦合成高性能距离选通ICCD,理论分析各部件的性能及其对系统空间分辨率的影响;采用FPGA设计电路控制系统,该系统产生出纳秒级的选通门宽以实现对I... 展开更多; 关键词成像系统距离选通 FPGA ICCD 光纤锥耦合分辨率选通门宽增益控制; 在线阅读下载PDF 职称材料

8英寸MCP型光电倍增管的实验研究被引量：1: 4; 作者陈亚玲田进寿 +5 位作者辛丽伟刘虎林韦永林王兴陈琳陈萍《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第10期1163-1168,共6页; 研制了一套单光电子谱测试仪。对8英寸微通道板型光电倍增管(MCP-PMT)的性能指标进行了标定,包括单光电子谱的增益和峰谷比、光电阴极的均匀性。单光电子谱测试仪采用高精度QDC采集电荷谱。VME数据获取系统积分电荷谱得到单光电子谱。采... 展开更多; 关键词单光电子谱仪微通道板型光电倍增管 QDC 单光电子谱均匀性; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种大尺寸微通道板型光电倍增管被引量：8: 1; 作者孙建宁任玲丛晓庆黄国瑞金睦淳李冬刘虎林乔芳建钱森司曙光田进寿王兴超王贻芳韦永林辛丽伟张昊达赵天池; 机构北方夜视技术股份有限公司中国科学院西安光学精密机械研究所中国科学院高能物理研究所; 出处《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2017年第4期11-15,共5页; 基金国家重点研发计划重大科学仪器设备开发专项(2016YFF0100400); 文摘针对高能物理、核物理等国家大科学装置对核心探测器件的需求,研究不同于金属打拿极型倍增系统的大尺寸微通道板型光电倍增管。该光电倍增管最主要的特点是具有20 in(1 in=2.54 cm)的低本底玻壳和微通道板型倍增极结构,使用Sb-K-Cs阴极作为光电转换阴极,该阴极对350~450 nm波段光子的量子效率高,倍增极采用两片微通道板,在电压比较低的情况下可实现107的倍增能力,从而提高了光电倍增管的探测效率和单光子探测能力。与传统的金属打拿极型光电倍增管相比,20 in微通道板型光电倍增管是一种全新的产品结构,具有单光子峰谷比高、本底低、响应时间快、后脉冲比例小等特点。; 关键词光电倍增管微通道板量子效率低本底; Keywords photomultiplier microchannel plate quantum efficiency low background; 分类号 TN152 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名低暗电流InGaAs-MSM光电探测器被引量：3: 2; 作者闫欣汪韬尹飞倪海桥牛智川辛丽伟田进寿; 机构中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室中国科学院大学中国科学院半导体研究所; 出处《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期83-87,共5页; 基金国家自然科学基金(Nos.61176006 11274377)资助; 文摘 MSM(金属-半导体-金属)型光电探测器的较低寄生电容和高带宽的特点使得其应用广泛,可用于空间通信、遥感等多方面,但暗电流偏大仍是制约其发展的重要因素.为此,本文研制了100×100μm2面积的InGaAs-MSM光电探测器,通过设计InAlGaAs/InGaAs短周期超晶格和InAlAs肖特基势垒增强结构,将器件暗电流密度降至0.6pA/μm2(5V偏置),改善了目前同类器件的信噪比.对器件光电参数进行了表征:3dB带宽6.8GHz,上升沿58.8ps,1550nm波段响应度0.55A/W,光吸收区域外量子效率88%.分析了短周期超晶格和肖特基势垒增强层对暗电流的抑制机理.; 关键词半导体器件光电探测器 MOCVD 暗电流 MSM INGAAS 超晶格肖特基势垒; Keywords Semiconductor devices Photodetectors MOCVD Dark current MSM InGaAsSuperlattices, Schottky harrier; 分类号 TN215 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种用于距离选通的ICCD设计与实现被引量：3: 3; 作者何欢田进寿温文龙王俊锋刘虎林赛小锋韦永林辛丽伟李力舟; 机构中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室中国科学院大学亳州师范高等专科学校理化系; 出处《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期88-93,共6页; 基金国家自然科学基金(No.11274377) 国家自然科学基金青年基金(No.11304374)资助; 文摘研制了一种短余辉、高分辨率、快时间响应的高速选通超二代像增强器,通过光纤锥与CCD进行耦合成高性能距离选通ICCD,理论分析各部件的性能及其对系统空间分辨率的影响;采用FPGA设计电路控制系统,该系统产生出纳秒级的选通门宽以实现对ICCD的数字控制,同时可以对选通脉冲宽度和延时时间进行调整以实现不同亮度以及距离目标的清晰成像,降低背景噪音以及增大成像的动态范围.此外,该系统具有增益监控和调节功能,信噪比达到20∶1dB,在超二代像增强器阴极和微通道板输入面之间加幅度为-200V、宽度为3ns直流连续可调的选通脉冲以实现对增强器的选通,为了提高光电阴极补充电子的速度,在输入窗内表面光刻有线宽为5μm、间距为50μm正方形格栅以保证选通门宽为3ns时光电阴极有足够快的响应速度,选通频率最高可达到300kHz,实验测试在微通道板电压为700V、荧光屏电压为5 000 V时增强器增益可达10 718cd/m2 lx,ICCD系统空间分辨率达到29.7lp/mm.; 关键词成像系统距离选通 FPGA ICCD 光纤锥耦合分辨率选通门宽增益控制; Keywords Imaging system Range-gating FPGA ICCD Optical fiber coupling Image resolution Gate width Gain control; 分类号 TN223 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名8英寸MCP型光电倍增管的实验研究被引量：1: 4; 作者陈亚玲田进寿辛丽伟刘虎林韦永林王兴陈琳陈萍; 机构中国科学院西安光学精密机械研究所中国科学院大学; 出处《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第10期1163-1168,共6页; 文摘研制了一套单光电子谱测试仪。对8英寸微通道板型光电倍增管(MCP-PMT)的性能指标进行了标定,包括单光电子谱的增益和峰谷比、光电阴极的均匀性。单光电子谱测试仪采用高精度QDC采集电荷谱。VME数据获取系统积分电荷谱得到单光电子谱。采用LABVIEW的电流采样系统获得光电阴极某确定位置上光电流的I-V坪曲线。单光电子谱测试仪测得MCP-PMT在高压为2100 V、脉冲发生器的设置为脉冲宽度10 ns、采样频率1 k Hz、驱动电压1.735 V驱动LED光源时,单光电子谱的增益为2.5233×107、峰谷比值为2.78,光电阴极的非均匀性小于10%。实验测得的性能指标均满足中微子探测等实验要求。同时为20英寸MCP-PMT的成功研制奠定了理论设计及测试基础。; 关键词单光电子谱仪微通道板型光电倍增管 QDC 单光电子谱均匀性; Keywords Single photoelectron spectrometer MCP-PMT QDC Single photoelectron spectrum Uniformity; 分类号 TN152 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	一种大尺寸微通道板型光电倍增管	孙建宁任玲丛晓庆黄国瑞金睦淳李冬刘虎林乔芳建钱森司曙光田进寿王兴超王贻芳韦永林辛丽伟张昊达赵天池	《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心	2017	8	在线阅读下载PDF 职称材料
2	低暗电流InGaAs-MSM光电探测器	闫欣汪韬尹飞倪海桥牛智川辛丽伟田进寿	《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2015	3	在线阅读下载PDF 职称材料
3	一种用于距离选通的ICCD设计与实现	何欢田进寿温文龙王俊锋刘虎林赛小锋韦永林辛丽伟李力舟	《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2015	3	在线阅读下载PDF 职称材料
4	8英寸MCP型光电倍增管的实验研究	陈亚玲田进寿辛丽伟刘虎林韦永林王兴陈琳陈萍	《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2015	1	在线阅读下载PDF 职称材料