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Cu/Ti_3SiC_2体系润湿性及润湿过程的研究
被引量：
7
1
作者
路金蓉
周洋
+3 位作者
李海燕
郑涌
李世波
黄振莺
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第12期1313-1319,共7页
采用座滴法研究了温度及Ti3SiC2的两个组成元素Si和Ti对Cu/Ti3SiC2体系润湿性的影响。结果表明,Cu与Ti3SiC2之间有良好的润湿性,且润湿过程属于反应性润湿。随着温度的升高,Cu与Ti3SiC2间的反应区扩大,反应层深度增加,润湿角减小,温度超...
采用座滴法研究了温度及Ti3SiC2的两个组成元素Si和Ti对Cu/Ti3SiC2体系润湿性的影响。结果表明,Cu与Ti3SiC2之间有良好的润湿性,且润湿过程属于反应性润湿。随着温度的升高,Cu与Ti3SiC2间的反应区扩大,反应层深度增加,润湿角减小,温度超过1250℃后反应明显加快,至1270℃时润湿角降至15.1°。物相分析与微观结构研究表明,Cu/Ti3SiC2界面区域发生了化学反应,反应产物主要为Ti Cx和CuxSiy,同时发生元素的互扩散,形成反应中间层,改变体系的界面结构,促进了Cu和Ti3SiC2基体的界面结合,从而改善了体系的润湿性。在Cu中添加Si抑制了Ti3SiC2的分解,而添加Ti阻碍了Cu向Ti3SiC2的渗入,均不利于Cu/Ti3SiC2体系润湿性的改善。
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关键词
Cu/Ti3SiC2
润湿性
界面反应
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职称材料
高纯Ti_3SiC_2的合成及其反应机理
被引量：
1
2
作者
路金蓉
周洋
+3 位作者
孙建军
李世波
黄振莺
翟洪祥
《机械工程材料》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第11期51-53,108,共4页
在不添加任何反应助剂的情况下,探索采用不同的原料体系用真空固相反应方法制备高纯度Ti_3SiC_2;用X射线衍射仪研究了合成工艺条件对粉体纯度的影响,并对其反应过程和反应机理进行了探讨。结果表明:以TiH_2、硅粉和TiC粉为原料,可合成...
在不添加任何反应助剂的情况下,探索采用不同的原料体系用真空固相反应方法制备高纯度Ti_3SiC_2;用X射线衍射仪研究了合成工艺条件对粉体纯度的影响,并对其反应过程和反应机理进行了探讨。结果表明:以TiH_2、硅粉和TiC粉为原料,可合成得到高纯度Ti_3SiC_2粉体,纯度均在90%以上,最高可达98.64%;TiH_2、硅粉、TiC粉体的物质的量比为1:1.25:1.9时在1 400℃时可合成纯度较高的Ti_3SiC_2,在1 500℃时Ti_3SiC_2开始分解。
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关键词
钛硅碳
高纯度
反应机理
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职称材料
题名
Cu/Ti_3SiC_2体系润湿性及润湿过程的研究
被引量：
7
1
作者
路金蓉
周洋
李海燕
郑涌
李世波
黄振莺
机构
北京交通大学机械与电子控制工程学院
出处
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第12期1313-1319,共7页
基金
国家自然科学基金(50672005
51172015)
中央高校基本科研业务费专项资金(2011YJS051)~~
文摘
采用座滴法研究了温度及Ti3SiC2的两个组成元素Si和Ti对Cu/Ti3SiC2体系润湿性的影响。结果表明,Cu与Ti3SiC2之间有良好的润湿性,且润湿过程属于反应性润湿。随着温度的升高,Cu与Ti3SiC2间的反应区扩大,反应层深度增加,润湿角减小,温度超过1250℃后反应明显加快,至1270℃时润湿角降至15.1°。物相分析与微观结构研究表明,Cu/Ti3SiC2界面区域发生了化学反应,反应产物主要为Ti Cx和CuxSiy,同时发生元素的互扩散,形成反应中间层,改变体系的界面结构,促进了Cu和Ti3SiC2基体的界面结合,从而改善了体系的润湿性。在Cu中添加Si抑制了Ti3SiC2的分解,而添加Ti阻碍了Cu向Ti3SiC2的渗入,均不利于Cu/Ti3SiC2体系润湿性的改善。
关键词
Cu/Ti3SiC2
润湿性
界面反应
Keywords
Cu/Ti3SiC2
wettability
interracial reaction
分类号
TG148 [金属学及工艺—金属材料]
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职称材料
题名
高纯Ti_3SiC_2的合成及其反应机理
被引量：
1
2
作者
路金蓉
周洋
孙建军
李世波
黄振莺
翟洪祥
机构
北京交通大学机械与电子控制工程学院
出处
《机械工程材料》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第11期51-53,108,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(50672005)
文摘
在不添加任何反应助剂的情况下,探索采用不同的原料体系用真空固相反应方法制备高纯度Ti_3SiC_2;用X射线衍射仪研究了合成工艺条件对粉体纯度的影响,并对其反应过程和反应机理进行了探讨。结果表明:以TiH_2、硅粉和TiC粉为原料,可合成得到高纯度Ti_3SiC_2粉体,纯度均在90%以上,最高可达98.64%;TiH_2、硅粉、TiC粉体的物质的量比为1:1.25:1.9时在1 400℃时可合成纯度较高的Ti_3SiC_2,在1 500℃时Ti_3SiC_2开始分解。
关键词
钛硅碳
高纯度
反应机理
Keywords
Tia SiC2
high-purity
reaction mechanism
分类号
TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Cu/Ti_3SiC_2体系润湿性及润湿过程的研究
路金蓉
周洋
李海燕
郑涌
李世波
黄振莺
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
7
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
高纯Ti_3SiC_2的合成及其反应机理
路金蓉
周洋
孙建军
李世波
黄振莺
翟洪祥
《机械工程材料》
CAS
CSCD
北大核心
2011
1
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职称材料
已选择
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引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
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