铁电微阵列的AFM图像及电滞回线测定 被引量：2

1

作者 赵高扬 张卫华 +2 位作者 邓小翠 徐国敏 赵卫 《电子显微学报》 CAS CSCD 2006年第4期337-340,共4页

铁电阵列在红外探测器、非挥发性存储器中具有重要应用。随着大面积、微格点铁电阵列制备技术的发展,评价亚微米、甚至纳米级微小格点的铁电特性对于铁电器件的设计和制造具有重要意义。本研究将铁电仪和扫描探针显微镜相连,在扫描探针... 铁电阵列在红外探测器、非挥发性存储器中具有重要应用。随着大面积、微格点铁电阵列制备技术的发展,评价亚微米、甚至纳米级微小格点的铁电特性对于铁电器件的设计和制造具有重要意义。本研究将铁电仪和扫描探针显微镜相连,在扫描探针显微镜的AFM模式下,采用带有导电涂层的探针,通过扫描获得铁电阵列的三维像。据此图像,可以把探针定位于特定的微小格点上,由铁电仪通过AFM探针提供电压,并经探针悬臂梁将测试信号反馈给铁电仪,在无顶电极的情况下就可以获得微小铁电格点的电滞回线。 展开更多

关键词 铁电薄膜 阵列 电滞回线 原子力显微镜 铁电分析仪

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玻璃基板上低辐射涂层的制备及性能研究 被引量：2

2

作者 赵高扬 张生国 +1 位作者 郅晓 张卫华 《中国建材科技》 2006年第3期103-106,共4页

采用喷雾热解工艺在500×500mm的玻璃基板上制备了氟锑复合掺杂的氧化锡薄膜,对影响喷雾热解镀膜工艺的三个主要参数:气氛流场,基板温度和液流量进行了研究。实验发现采用双侧排气可以提高镀膜的均匀度和沉积效率,减少薄膜的表观缺... 采用喷雾热解工艺在500×500mm的玻璃基板上制备了氟锑复合掺杂的氧化锡薄膜,对影响喷雾热解镀膜工艺的三个主要参数:气氛流场,基板温度和液流量进行了研究。实验发现采用双侧排气可以提高镀膜的均匀度和沉积效率,减少薄膜的表观缺陷;升高温度可以提高薄膜的晶化程度;调节液流量大小可以改善薄膜的表面形貌;制备的低辐射玻璃样品透过率为76%,辐射率为0.20,表现出良好的低辐射性能。 展开更多

关键词 喷雾热解 低辐射 玻璃

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应用于SMT的无铅焊锡微粉制备方法研究展望 被引量：2

3

作者 赵麦群 于喜良 +1 位作者 张卫华 赵高扬 《材料导报》 EI CAS CSCD 2003年第12期19-21,共3页

无铅焊锡微粉是一种可以满足SMT应用要求的环保材料。粉末的制备方法很多,但主要有4种,即化学还原法、电解法、机构粉碎法和雾化法等。通过对4种方法的对比可以知道,超音速气体雾化法制得的微扮粒度、颗粒形状和均匀性均能满足SMT的要求... 无铅焊锡微粉是一种可以满足SMT应用要求的环保材料。粉末的制备方法很多,但主要有4种,即化学还原法、电解法、机构粉碎法和雾化法等。通过对4种方法的对比可以知道,超音速气体雾化法制得的微扮粒度、颗粒形状和均匀性均能满足SMT的要求,所以可以应用超音速气体雾化法制备无铅焊锡微粉。 展开更多

关键词 SMT 表面组装技术 无铅焊锡微粉 化学还原法 电解法 机构粉碎法 雾化法 焊膏

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基于原子力显微技术的PZT薄膜铁电性能研究 被引量：2

4

作者 徐国敏 赵高扬 +2 位作者 张卫华 谭红 邓小翠 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2010年第3期444-446,共3页

针对现有测试技术不能直接获得纳米尺度铁电薄膜电滞回线的问题,提出了将原子力显微镜与铁电分析仪连用的方法,研究了锆钛酸铅(PZT)薄膜样品的电滞回线。结果表明,应用铁电分析仪与原子力显微镜联用的测试技术能表征铁电薄膜的电滞回线... 针对现有测试技术不能直接获得纳米尺度铁电薄膜电滞回线的问题,提出了将原子力显微镜与铁电分析仪连用的方法,研究了锆钛酸铅(PZT)薄膜样品的电滞回线。结果表明,应用铁电分析仪与原子力显微镜联用的测试技术能表征铁电薄膜的电滞回线,在无顶电极测试条件下,测试得到的电滞回线很不对称,且剩余极化值较大。 展开更多

关键词 铁电薄膜 电滞回线 原子力显微镜 铁电分析仪

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溶胶-凝胶法制备钴铁氧体薄膜及温度对其磁性的影响 被引量：2

5

作者 严富学 赵高扬 刘和光 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第5期420-424,共5页

采用溶胶-凝胶法在单晶硅上制备了钴铁氧体薄膜。在不同温度下对样品进行了退火处理,通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和振动样品磁强计(VSM)等分析了样品的物相组成、晶粒大小、表面形貌、样品厚度及... 采用溶胶-凝胶法在单晶硅上制备了钴铁氧体薄膜。在不同温度下对样品进行了退火处理,通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和振动样品磁强计(VSM)等分析了样品的物相组成、晶粒大小、表面形貌、样品厚度及不同温度下的磁性能。结果表明:制备出的CoFe2O4薄膜为尖晶石结构,表面比较致密,平均晶粒尺寸20～50 nm。在173～400 K范围内,随着温度的升高,钴铁氧体薄膜的矫顽磁场逐步减小,而磁矩是先增加后减少,并对产生的原因进行了分析。 展开更多

关键词 CoFe2O4薄膜 铁氧体 溶胶-凝胶法 磁性能

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二芳基乙烯光致变色配合物的研究进展 被引量：1

6

作者 韩晶 余中 +2 位作者 白力静 赵高扬 宗像惠 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第15期44-48,共5页

二芳基乙烯化合物是最有可能实用化的有机光致变色化合物。结合自己的研究方向,从溶液相和晶体相2个方面评述了二芳基乙烯配合物在光致变色性能、无损读取、分子识别/捕获等方面的研究进展。研究表明,在大多数情况下,金属离子参与配位... 二芳基乙烯化合物是最有可能实用化的有机光致变色化合物。结合自己的研究方向,从溶液相和晶体相2个方面评述了二芳基乙烯配合物在光致变色性能、无损读取、分子识别/捕获等方面的研究进展。研究表明,在大多数情况下,金属离子参与配位不会阻止配合物的光致变色反应。通过金属离子与二芳基乙烯配体的合理自组装,可以调控配合物的光物理和光化学性质。 展开更多

关键词 二芳基乙烯 光致变色 配合物 晶相

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BiFeO_3薄膜的图案化制备及性能研究 被引量：2

7

作者 谈国强 赵高扬 +2 位作者 王艳 程蒙 任慧君 《陕西科技大学学报（自然科学版）》 2012年第4期22-26,共5页

采用短波紫外光照射仪(λ=184.9nm)作为光刻设备,在光掩膜的覆盖下,将沉积在(111)Si基板上的十八烷基三氯硅烷(OTS)自组装单分子层(SAMs)进行刻蚀形成图案,并结合溶胶-凝胶法在功能化的OTS-SAMs表面制备图案化BiFeO3薄膜,并对BiFeO3薄... 采用短波紫外光照射仪(λ=184.9nm)作为光刻设备,在光掩膜的覆盖下,将沉积在(111)Si基板上的十八烷基三氯硅烷(OTS)自组装单分子层(SAMs)进行刻蚀形成图案,并结合溶胶-凝胶法在功能化的OTS-SAMs表面制备图案化BiFeO3薄膜,并对BiFeO3薄膜性能进行研究.结果表明,所得图案化BiFeO3薄膜为六方扭曲的钙钛矿结构,图案边缘轮廓清晰,宽度在200μm左右;在最大测试电场为385kV/cm下,所得电滞回线有较好的对称性和饱和性,剩余极化强度为0.17μC/cm2,饱和极化强度为3.8μC/cm2,矫顽场强为19kV/cm.在1kHz～1MHz的频率范围内,介电常数随频率增加逐渐减小,介电损耗较小. 展开更多

关键词 BIFEO3 薄膜 铁电性 介电性 图案化

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低氟溶胶-凝胶法制备的YBa_2Cu_3O_(7-δ)薄膜的高分辨电子显微镜研究 被引量：1

8

作者 雷黎 赵高扬 陈源清 《电子显微学报》 CAS CSCD 2007年第2期114-118,共5页

本文采用一种新的低氟溶胶-凝胶法在LaAlO3(LAO)单晶衬底上制备出表面质量良好的YBa2Cu3O7-δ(YBCO)薄膜,薄膜厚度约为280 nm。与传统的all-TFA法相比,减少了大约60%的HF气体的释放量并大大缩短了热处理周期。通过控制退火过程中气氛的... 本文采用一种新的低氟溶胶-凝胶法在LaAlO3(LAO)单晶衬底上制备出表面质量良好的YBa2Cu3O7-δ(YBCO)薄膜,薄膜厚度约为280 nm。与传统的all-TFA法相比,减少了大约60%的HF气体的释放量并大大缩短了热处理周期。通过控制退火过程中气氛的湿度减少了薄膜中a轴晶粒的体积分数并提高了临界电流密度Jc。在高分辨透射电子显微镜(HRTEM)下获得了薄膜的高分辨图像及电子衍射花样。从高分辨像可以看出,薄膜的生长从衬底开始沿c轴方向形成明显的层状结构,仅在薄膜的自由表面50nm范围内有少许与c轴成90°的a轴晶粒。进一步通过傅立叶变换滤波获得了薄膜与衬底界面的清晰原子像,发现YBCO薄膜与LAO衬底之间保持了很好的共格和外延生长关系,薄膜与衬底之间没有任何非晶过渡层。 展开更多

关键词 YBCO薄膜 溶胶-凝胶法 显微结构 透射电镜

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水热合成YbMnO_3纳米颗粒和YbMn_2O_5纳米线(英文) 被引量：1

9

作者 刘运 赵高扬 朱刚强 《陕西科技大学学报（自然科学版）》 2011年第5期1-5,13,共6页

采用简单的水热合成方法合成了纯六角相的YbMnO3纳米粒子和正交相的YbMn2O5纳米线,并用X射线衍射仪、扫描电镜、透射电镜、选区电子衍射以及高分辨透射电镜对产物进行了表征,研究了反应时间、温度和NaOH浓度对YbMnO3结构的影响,提出了... 采用简单的水热合成方法合成了纯六角相的YbMnO3纳米粒子和正交相的YbMn2O5纳米线,并用X射线衍射仪、扫描电镜、透射电镜、选区电子衍射以及高分辨透射电镜对产物进行了表征,研究了反应时间、温度和NaOH浓度对YbMnO3结构的影响,提出了水热合成条件下YbMnO3与YbMn2O5成核的机理. 展开更多

关键词 纳米结构 化学合成 晶体生长

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Si基(100)取向3C-SiC单晶薄膜生长工艺技术研究 被引量：2

10

作者 毛开礼 王英民 +1 位作者 李斌 赵高扬 《电子工艺技术》 2017年第3期128-130,151,共4页

为了改善3C-SiC单晶薄膜结晶质连SiC单晶薄膜微观结构与碳化工艺是3C-SiC/Si异质外延研究的关键。研究了碳化工艺、3C-SiC薄膜外延生长温度、x(C)/x(Si)气相摩尔比等对于Si基3C-SiC薄膜表面质量和结晶质量的影响,获得(100)单晶Si衬底生... 为了改善3C-SiC单晶薄膜结晶质连SiC单晶薄膜微观结构与碳化工艺是3C-SiC/Si异质外延研究的关键。研究了碳化工艺、3C-SiC薄膜外延生长温度、x(C)/x(Si)气相摩尔比等对于Si基3C-SiC薄膜表面质量和结晶质量的影响,获得(100)单晶Si衬底生长高质量3C-SiC薄膜工艺。通过光学显微镜、XRD射线2θ-ω、XRD摇摆曲线等分析Si基3C-SiC薄膜表面质量和单晶特性。研究表明,在x(C)/x(Si)气相摩尔比为1.6时,采用"两步碳化工艺"在1 385℃生长1 h获得的3C-SiC薄膜为类单晶薄膜,3C-SiC薄膜(200)衍射峰的摇摆曲线半峰宽约为0.19°。 展开更多

关键词 Si单晶衬底 3C-SiC单晶薄膜 修正的两步碳化工艺

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4°偏角4H-SiC单晶快速外延生长工艺研究 被引量：2

11

作者 毛开礼 王英民 +1 位作者 李斌 赵高扬 《电子工艺技术》 2015年第4期191-193,共3页

高质量快速Si C外延生长工艺技术是目前高压电力电子器件研制的关键工艺技术。采用HCl气体作为含Cl化合物,研究了不同温度、气相y(C)/y(Si)摩尔比和刻蚀工艺等对于Si C外延层质量的影响。通过优化外延工艺参数,采用原位HCl刻蚀工艺,获得... 高质量快速Si C外延生长工艺技术是目前高压电力电子器件研制的关键工艺技术。采用HCl气体作为含Cl化合物,研究了不同温度、气相y(C)/y(Si)摩尔比和刻蚀工艺等对于Si C外延层质量的影响。通过优化外延工艺参数,采用原位HCl刻蚀工艺,获得了Si C单晶外延生长速率达32μm/h的快速外延生长工艺,外延层表面平滑,表面粗糙度仅0.218 nm,晶片外延层厚度不均匀性小于0.4%。 展开更多

关键词 同质外延 氯化氢 快速外延

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城镇低等级道路交通信号灯设置综合评判方法研究 被引量：1

12

作者 张碧琴 张富强 +1 位作者 李坚强 赵高扬 《市政技术》 2015年第2期25-27,30,共4页

在交叉口设置信号灯是解决交叉口交通冲突的一种重要手段。目前,在一些低等级道路相交的交叉口,信号灯的设置仍然带有一定的盲目性。笔者筛选了交叉口信号灯设置评判指标,通过层次分析法计算确定了各指标的权重,建立了信号灯设置综合评... 在交叉口设置信号灯是解决交叉口交通冲突的一种重要手段。目前,在一些低等级道路相交的交叉口,信号灯的设置仍然带有一定的盲目性。笔者筛选了交叉口信号灯设置评判指标,通过层次分析法计算确定了各指标的权重,建立了信号灯设置综合评判方法,并通过理论分析及实例验算验证了该评判方法的可靠性。该方法简单可靠,可以为交通管理部门的决策提供一定的理论依据。 展开更多

关键词 低等级道路 交通信号灯 交叉口 综合评判

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高温超导薄膜微细图形制备工艺的研究进展

13

作者 张黄莉 赵高扬 +1 位作者 彭海军 刘晓梅 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期96-99,共4页

高温超导薄膜具有良好的物理性能,其微细图形在微电子器件中有非常广泛的应用。概述了高温超导薄膜微细图形的制备工艺及研究进展,重点介绍了高温超导薄膜微细图形制备方法中的光刻法、改性工艺、耐熔微掩膜制备法和Sol-gel法与化学修... 高温超导薄膜具有良好的物理性能,其微细图形在微电子器件中有非常广泛的应用。概述了高温超导薄膜微细图形的制备工艺及研究进展,重点介绍了高温超导薄膜微细图形制备方法中的光刻法、改性工艺、耐熔微掩膜制备法和Sol-gel法与化学修饰法相结合的基本原理、工艺特点及最新研究进展。首次把Sol-gel法与化学修饰法相结合制备薄膜的微细图形的工艺用于高温超导薄膜微细图形的制备中。 展开更多

关键词 高温超导薄膜 微细图形 溶胶-凝胶法 化学修饰

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SiC_w／Al_2O_3－（Ti，W）C复相陶瓷的微观结构及其力学性能

14

作者 顾延慰 潘敏元 赵高扬 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第12期32-34,9,共4页

本文对Ａｌ_２Ｏ_３（Ｔｉ，Ｗ）Ｃ和ＳｉＣｗ－Ａｌ_２Ｏ_３（Ｔｉ，Ｗ）Ｃ的力学性能进行了分析对比，研究了热压工艺、ＳｉＣ晶须含量、晶须分散效果和晶须／基体的复合情况等对Ａｌ_２Ｏ_３（Ｔｉ，Ｗ）Ｃ复相陶瓷力学性能的影响。... 本文对Ａｌ_２Ｏ_３（Ｔｉ，Ｗ）Ｃ和ＳｉＣｗ－Ａｌ_２Ｏ_３（Ｔｉ，Ｗ）Ｃ的力学性能进行了分析对比，研究了热压工艺、ＳｉＣ晶须含量、晶须分散效果和晶须／基体的复合情况等对Ａｌ_２Ｏ_３（Ｔｉ，Ｗ）Ｃ复相陶瓷力学性能的影响。从热膨胀系数失配角度分析和微观结构的观察证实，ＳｉＣ晶须及（Ｔｉ，Ｗ）Ｃ固溶体对改善Ａｌ_２Ｏ_３陶瓷力学性能的效果是显著的，ＳｉＣ_ｗ－Ａｌ_２Ｏ_３．（Ｔｉ，Ｗ）Ｃ陶瓷材料的增韧机制主要是裂纹偏转和裂纹桥接。 展开更多

关键词 碳化硅 晶须 力学性能 增韧机制 陶瓷材料 复相

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急冷Al－5Fe合金先共晶相晶体结构的TEM测定

15

作者 卢正欣 井晓天 +1 位作者 楼秉哲 赵高扬 《电子显微学报》 CAS CSCD 1994年第6期488-488,共1页

急冷Ａｌ－５Ｆｅ合金先共晶相晶体结构的ＴＥＭ测定卢正欣，井晓天，楼秉哲，赵高扬（西安理工大学材料工程系，西安７１００４８）快速凝固Ａｌ－Ｆｅ系耐热合金的工作温度可达３５０～４００℃，有望部分取代钛合金用于制造航空发动... 急冷Ａｌ－５Ｆｅ合金先共晶相晶体结构的ＴＥＭ测定卢正欣，井晓天，楼秉哲，赵高扬（西安理工大学材料工程系，西安７１００４８）快速凝固Ａｌ－Ｆｅ系耐热合金的工作温度可达３５０～４００℃，有望部分取代钛合金用于制造航空发动机～［１］。Ａｌ－Ｆｅ合金急冷组织... 展开更多

关键词 耐热合金 铝铁系 晶体结构 TEM

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丙烯酸对醋酸铜的改性研究

16

作者 张黄莉 赵高扬 《西安邮电大学学报》 2013年第5期73-75,共3页

利用红外和紫外光谱测试手段,研究醋酸铜在以丙烯酸为络合剂、甲醇作溶剂的条件下,溶液中铜配位化合物的结构及性能。实验表明,醋酸铜溶于甲醇是由于铜离子与丙烯酸中羟基氧原子配位形成铜配位化合物,其紫外吸收峰在245nm附近,具有紫外... 利用红外和紫外光谱测试手段,研究醋酸铜在以丙烯酸为络合剂、甲醇作溶剂的条件下,溶液中铜配位化合物的结构及性能。实验表明,醋酸铜溶于甲醇是由于铜离子与丙烯酸中羟基氧原子配位形成铜配位化合物,其紫外吸收峰在245nm附近,具有紫外感光性和热稳定性。 展开更多

关键词 丙烯酸 配位键 铜配位化合物 感光性

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高纯半绝缘4H-SiC单晶衬底Si面外延石墨烯工艺研究

17

作者 毛开礼 胡彦飞 +2 位作者 王英民 李斌 赵高扬 《电子工艺技术》 2017年第2期63-66,88,共5页

高纯半绝缘SiC衬底上获得大面积、高质量石墨烯是富有挑战性的工作,外延层石墨烯材料的确认和性能表征也至关重要。研究了高纯半绝缘衬底上制备大面积外延石墨烯的工艺以及相关工艺参数(压力、温度、工艺时间)对外延石墨烯质量的影响。... 高纯半绝缘SiC衬底上获得大面积、高质量石墨烯是富有挑战性的工作,外延层石墨烯材料的确认和性能表征也至关重要。研究了高纯半绝缘衬底上制备大面积外延石墨烯的工艺以及相关工艺参数(压力、温度、工艺时间)对外延石墨烯质量的影响。通过激光拉曼光谱、原子力显微镜、场发射扫面电镜等分析,测试了石墨烯材料的大小、形态,为后续工艺的改进提供参考。在1 650℃、500 Pa压力下生长2 h制备的外延石墨烯,具有更高品质和表面连续性,拉曼光谱中2D峰的半高宽(FWHM)约为34 cm^(-1),能够用单峰洛伦兹拟合,预示着单层石墨烯的形成。 展开更多

关键词 石墨烯 高纯半绝缘SiC单晶衬底 大面积

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SiC外延衬底研究现状及其应用前景

18

作者 毛开礼 王英民 +1 位作者 李斌 赵高扬 《电子工艺技术》 2014年第5期253-257,279,共6页

随着国民经济发展"节能减排"任务的加剧,以及新兴电子系统变化的要求,电子系统对半导体元器件技术提出了高密度、高速度、低功耗、大功率、宽工作温度范围、抗辐射和高可靠等性能的要求。SiC单晶材料作为新兴的三代半导体衬... 随着国民经济发展"节能减排"任务的加剧,以及新兴电子系统变化的要求,电子系统对半导体元器件技术提出了高密度、高速度、低功耗、大功率、宽工作温度范围、抗辐射和高可靠等性能的要求。SiC单晶材料作为新兴的三代半导体衬底材料正好满足这些要求,被认为是制备微波器件、高频大功率器件、高压电力电子器件的优良衬底材料。分别介绍了传统Si-C-H体系和高速Si-C-H-Cl体系SiC外延工艺研究现状,同时介绍了新颖的高纯半绝缘SiC外延工艺研究状况。论述了SiC外延衬底在电力电子器件、微波器件等方面的应用,阐述了SiC外延衬底在未来节能减排、经济建设中的重要性。 展开更多

关键词 SiC外延层 导电衬底 高纯半绝缘

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晶须增韧陶瓷基复合材料的增韧机理及其影响因素 被引量：6

19

作者 顾延慰 傅永庆 +1 位作者 潘敏元 赵高扬 《宇航材料工艺》 CAS CSCD 北大核心 1996年第5期5-10,54,共7页

晶须增韧陶瓷基复合材料是改善陶瓷脆性的有效措施，近年来引起国内外学者高度重视，成为高技术陶瓷研究开发的一个前沿领域，进展也很迅速本文介绍了晶须增韧陶瓷基复合材料的增韧机理、晶须与基体材料复合时应考虑的主要问题，影响增... 晶须增韧陶瓷基复合材料是改善陶瓷脆性的有效措施，近年来引起国内外学者高度重视，成为高技术陶瓷研究开发的一个前沿领域，进展也很迅速本文介绍了晶须增韧陶瓷基复合材料的增韧机理、晶须与基体材料复合时应考虑的主要问题，影响增韧效果的主要因素，并提出了今后的一些研究课题，从而对晶须增韧陶瓷基复合材料的增韧机理有更进一步的认识。 展开更多

关键词 晶须 陶瓷基 复合材料 增韧机理

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长武北枢纽互通式立交方案研究 被引量：1

20

作者 赵高扬 《交通世界》 2022年第12期49-51,共3页

以灵台至华亭高速公路东延线工程(长武至灵台)项目中起点长武北枢纽互通式立交为例,介绍了其路网功能,在工可方案的基础上提出了进一步方案布设的要点,进行位置和方案比选,总结了平原区在现高速公路上新建枢纽互通式立交的设计要点,供... 以灵台至华亭高速公路东延线工程(长武至灵台)项目中起点长武北枢纽互通式立交为例,介绍了其路网功能,在工可方案的基础上提出了进一步方案布设的要点,进行位置和方案比选,总结了平原区在现高速公路上新建枢纽互通式立交的设计要点,供同类项目参考。 展开更多

关键词 互通式立交 梨形枢纽 方案研究

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