不同波长激发下YLiF_4∶Er^(3+),Tm^(3+),Yb^(3+)的发光 被引量：6

1

作者 赵谡玲 侯延冰 徐征 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期191-195,共5页

水热法合成了YL iF4∶Er3+,Tm3+,Yb3+,其中Er3+、Yb3+和Tm3+的摩尔分数分别为1%、1.5%和2%。当用355 nm光激发时,其发光为蓝色,峰值位于450 nm,对应于Tm3+的1D2→3F4跃迁。用378 nm激发时,发光为绿色,主要发光峰位于552 nm。980 nm光激... 水热法合成了YL iF4∶Er3+,Tm3+,Yb3+,其中Er3+、Yb3+和Tm3+的摩尔分数分别为1%、1.5%和2%。当用355 nm光激发时,其发光为蓝色,峰值位于450 nm,对应于Tm3+的1D2→3F4跃迁。用378 nm激发时,发光为绿色,主要发光峰位于552 nm。980 nm光激发时,发光为白色,发光峰分别位于665(651),552(543),484,450 nm处,并在648 nm处还观察到了一个发光峰,其中最强的发射为红光。YL iF4∶Er3+,Tm3+,Yb3+的蓝光来源于Tm3+的激发态1G4到基态3H6的跃迁,绿光来源于Er3+的4S3/2和2H11/2到基态4I15/2的跃迁,红光既来源于Tm3+的1G4→3F4的跃迁,也来源于Er3+的4F9/2→4I15/2的跃迁。在上转换发光中,还探测到了紫外光359 nm的发射。监测665 nm得到的激发光谱不同于监测552 nm的激发光谱,在665 nm的激发光谱中出现了对应Tm3+的1G4能级的峰。在双对数曲线中,蓝光484 nm、绿光552 nm和红光665 nm的斜率分别为2.25、2.28和2.21,紫外光359 nm的斜率为2.85。因此在980 nm激发下,蓝光484 nm、绿光552 nm和红光665 nm都是双光子过程,紫外光359 nm的发射是三光子过程。 展开更多

关键词 上转换发光 YLiF4:Er^3+ TM^3+ YB^3+ 水热合成

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980nm激发下YLiF_4∶Er^(3+),Tm^(3+),Yb^(3+)中的能量传递过程 被引量：2

2

作者 赵谡玲 徐征 裴晓将 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期129-133,共5页

利用水热法合成了YLiF4∶Er3+,Tm3+,Yb3+,其中Er3+、Yb3+和Tm3+的摩尔分数分别为2%、1.5%和2%。在这种共掺杂体系中,在980nm光的激发下,材料的上转换发光为白光,发光峰不仅分别位于665nm(651nm)、552nm(543)、484nm和450nm处,并在648nm... 利用水热法合成了YLiF4∶Er3+,Tm3+,Yb3+,其中Er3+、Yb3+和Tm3+的摩尔分数分别为2%、1.5%和2%。在这种共掺杂体系中,在980nm光的激发下,材料的上转换发光为白光,发光峰不仅分别位于665nm(651nm)、552nm(543)、484nm和450nm处,并在648nm处还观察到了一个发光峰,其中最强的发射为红光。蓝光主要来源于Tm3+的激发态1G4到基态3H6的跃迁,绿光来源于Er3+的4S3/2和2H11/2到基态4I15/2的跃迁,红光既来源于Tm3+的1G4→3F4的跃迁,也来源于Er3+的4F9/2→4I15/2的跃迁。不同发射对应的激发光谱略有不同,当用不同波长光激发时,得到的发光不同,由此证明了Tm3+和Er3+之间存在能量传递,并且这种能量传递增强了红光的发射,降低了绿光的发射。 展开更多

关键词 上转换发光 能量传递 YLiF4:Er^3+ Tm^3+.Yb^3+

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ZBLAN:Er^(3+),Yb^(3+)上转换发光光谱的研究 被引量：2

3

作者 赵谡玲 侯延冰 孙力 《北方交通大学学报》 CSCD 北大核心 2000年第2期89-92,共4页

测量了ZBLAN :Er3+ ,Yb3+ 的光致发光光谱和上转换发光光谱及其强度随泵浦光强的变化 。

关键词 光致发光 上转换发光光谱 ZBLAN玻璃 激光材料

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一种掺铒离子化合物的上转换发光的研究

4

作者 赵谡玲 侯延冰 孙力 《北方交通大学学报》 CSCD 北大核心 1999年第6期46-49,共4页

合成了一种新型掺Er 离子化合物的上转换发光材料,测量了此材料在短波段的上转换发光光谱和激发光谱,初步研究了它们在短波段的上转换发光过程:短波段的上转换发光分别为三光子或四光子过程.

关键词 上转换发光 光致发光光谱 铒离子化合物 掺杂

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ZnO薄膜的制备和发光特性的研究 被引量：33

5

作者 梅增霞 张希清 +4 位作者 衣立新 韩建民 赵谡玲 王晶 李庆福 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期389-392,共4页

用射频磁控溅射的方法在石英衬底上沉积了氧化锌薄膜。在室温下测量了样品的XRD曲线、吸收光谱以及光致发光光谱,探讨了气氛中氧气与氩气比对制备薄膜的影响。从XRD谱中可以看出,样品具有较好的结晶状态。另外,样品在紫外有较强的吸收,... 用射频磁控溅射的方法在石英衬底上沉积了氧化锌薄膜。在室温下测量了样品的XRD曲线、吸收光谱以及光致发光光谱,探讨了气氛中氧气与氩气比对制备薄膜的影响。从XRD谱中可以看出,样品具有较好的结晶状态。另外,样品在紫外有较强的吸收,而其光致发光也是较强的紫外发射,这表明带间跃迁占了主导地位。以上结果说明:用溅射方法制备的ZnO薄膜结晶质量较好,富锌状态有所改善。 展开更多

关键词 制备 ZNO薄膜 光致发光 溅射 氧化锌薄膜 半导体材料

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PECVD沉积氮化硅膜的工艺研究 被引量：21

6

作者 刘志平 赵谡玲 +2 位作者 徐征 刘金虎 李栋才 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期54-59,共6页

采用等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)法在晶体硅太阳电池表面镀上一层氮化硅减反射膜,通过数值分析和实验研究的方法讨论了压强、SiH_4/NH_3比、总气体流量及时间等工艺参数对镀膜速率、折射率和镀膜均匀性及钝化效果的影响。在温度... 采用等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)法在晶体硅太阳电池表面镀上一层氮化硅减反射膜,通过数值分析和实验研究的方法讨论了压强、SiH_4/NH_3比、总气体流量及时间等工艺参数对镀膜速率、折射率和镀膜均匀性及钝化效果的影响。在温度为450℃、NH_3/SiH_4=8:1、总气体流量为4320sccm、压力为170Pa、沉积时间为720s的条件下生长出平均膜厚为75nm、折射率为2.05、少子寿命相对较高的氮化硅膜,且应用于单晶整舟为168片的管式PECVD设备,片间膜厚级差在5nm以内,而折射率级差在0.3以内,少子寿命可提高约30%。 展开更多

关键词 PECVD 氮化硅 镀膜工艺 少子寿命

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晶体硅太阳电池扩散工艺研究 被引量：6

7

作者 刘金虎 徐征 +2 位作者 赵谡玲 刘志平 李栋才 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第8期1375-1380,共6页

作为晶体硅太阳电池制作的心脏环节,扩散的效果也就是扩散后方块电阻的均匀性显得尤为重要。影响方块电阻均匀性的主要因素有:大小氮的流量、O2的流量、通源时间、再分布时间和中心温度。通过逐一改变这些因素,分析所得数据,得到一个能... 作为晶体硅太阳电池制作的心脏环节,扩散的效果也就是扩散后方块电阻的均匀性显得尤为重要。影响方块电阻均匀性的主要因素有:大小氮的流量、O2的流量、通源时间、再分布时间和中心温度。通过逐一改变这些因素,分析所得数据,得到一个能有效控制方块电阻大小、使方块电阻均匀性达到最佳的规律:大小氮流量的变化共同影响方块电阻均匀性;方块电阻大小的改变主要靠温度、时间、小氮的流量的改变来调节。通过以上实验规律的研究,便于常规工艺的调试和高方块电阻工艺中高方块电阻的制备和极差的优化。 展开更多

关键词 扩散工艺 通源时间 再分布时间 方块电阻 均匀性

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物理混合法制备分级混晶TiO2微纳米材料及其光催化性能 被引量：6

8

作者 张晓 解英娟 +3 位作者 马佩军 吴志娇 赵谡玲 朴玲钰 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第10期1977-1983,共7页

通过物理混合法可控合成了分级混晶TiO2微纳米材料,采用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱仪(XPS)和固体紫外-可见分光光度计(UV-Vis)等对该微纳米材料进行了表征,并评价了不同混晶比材料... 通过物理混合法可控合成了分级混晶TiO2微纳米材料,采用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱仪(XPS)和固体紫外-可见分光光度计(UV-Vis)等对该微纳米材料进行了表征,并评价了不同混晶比材料的光催化性能.结果表明,所得材料是由均匀负载金红石纳米颗粒的锐钛矿纳米片组装的三维分级结构.其具有很高的光催化活性,分级结构和混晶异相结的同时引入是提高材料光催化活性的关键. 展开更多

关键词 二氧化钛 混晶分级结构 异相结 光催化

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有机无线射频识别技术的研究进展 被引量：7

9

作者 田雪雁 徐征 +3 位作者 赵谡玲 张福俊 袁广才 王赟 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期277-280,共4页

介绍了有机无线射频识别(RFID)标签的工作及制备技术原理。为了解决RFID标签的高成本一直制约RFID技术普及的问题,提出了采用有机半导体进行RFID标签制备的方案,分析了有机RFID标签的含义、构成、制备技术特点以及国外研究概况、未来市... 介绍了有机无线射频识别(RFID)标签的工作及制备技术原理。为了解决RFID标签的高成本一直制约RFID技术普及的问题,提出了采用有机半导体进行RFID标签制备的方案,分析了有机RFID标签的含义、构成、制备技术特点以及国外研究概况、未来市场状况等方面的内容。讨论了有机RFID与无机RFID标签在材料及加工工艺方面的区别,有机电子可以通过采用印刷工艺,完成大规模有机电路的集成,大大降低RFID标签的成本。指出有机RFID技术无论是生产材料还是生产方式都比无机RFID技术极具优势,符合未来商业化的要求及应用。 展开更多

关键词 无线射频识别技术 有机无线射频识别标签 有机集成电路 有机薄膜晶体管

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PVK三线态激基复合物的发光及其受紫外光辐照的影响 被引量：4

10

作者 孙力 邵喜斌 +1 位作者 钱磊 赵谡玲 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期331-336,共6页

用不同溶剂中的前驱物旋涂成PVK层,制备了ITO/PEDOT:PSS/PVK/Ca:Al器件,以及相同结构不同PVK分子量的器件。通过测试分析认为:器件的电致发光谱中590nm波长处的发光峰来自于PVK三线态的激基复合物,并且发现其强度依赖于PVK的分子构型,即... 用不同溶剂中的前驱物旋涂成PVK层,制备了ITO/PEDOT:PSS/PVK/Ca:Al器件,以及相同结构不同PVK分子量的器件。通过测试分析认为:器件的电致发光谱中590nm波长处的发光峰来自于PVK三线态的激基复合物,并且发现其强度依赖于PVK的分子构型,即在PVK分子中相邻咔唑基团重叠程度。通过比较不同紫外辐照剂量后的PVK器件的发光,发现适度的UV辐照后的PVK分子构型中相邻咔唑基团处于全重叠的状态增加,在电致发光时会形成更多的三线态激子,因而提高了PLED器件的发光效率。 展开更多

关键词 聚合物电致发光二极管 电致发光 三线态

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双栅酞菁铜有机薄膜晶体管 被引量：2

11

作者 宋林 徐征 +3 位作者 赵谡玲 张福俊 黄金昭 黄金英 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期393-397,共5页

有机薄膜晶体管以其成本低、柔性好、易加工等优点越来越受到人们的青睐,目前已广泛应用于低端器件。为了获得更实际的应用,OTFTs的性能还需进一步的提高和改善。文章中以酞菁铜(CuPc)为有机半导体材料,制备了双栅结构的有机薄膜晶体管... 有机薄膜晶体管以其成本低、柔性好、易加工等优点越来越受到人们的青睐,目前已广泛应用于低端器件。为了获得更实际的应用,OTFTs的性能还需进一步的提高和改善。文章中以酞菁铜(CuPc)为有机半导体材料,制备了双栅结构的有机薄膜晶体管,其阈值电压为-4.5V,场效应迁移率0.025cm2/V.s,开关电流比Ion/Ioff达到9.8×103,与单栅有机薄膜晶体管相比,双栅器件在更低的操作电压下获得了更大的输出电流,场效应迁移率更高,而且通过对两个栅压的调节,对导电沟道实现了更好的控制,器件性能有了较大的提高。 展开更多

关键词 有机薄膜晶体管 双栅 酞菁铜

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工作气氛对氮化硅薄膜结构的影响 被引量：2

12

作者 徐征 贾晓昀 +4 位作者 赵谡玲 张福俊 唐煜 周春兰 王文静 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第11期1344-1347,共4页

以石英玻璃和抛光硅片做为衬底材料,采用射频磁控反应溅射法,通过改变 Ar/N_2流量比得到了一系列氮化硅薄膜。用分光光度计对薄膜的光学特性进行了表征;X 射线光电子能谱(XPS)表明薄膜中出现了 Si-N 的键合结构;原子力显微镜(AFM)图显... 以石英玻璃和抛光硅片做为衬底材料,采用射频磁控反应溅射法,通过改变 Ar/N_2流量比得到了一系列氮化硅薄膜。用分光光度计对薄膜的光学特性进行了表征;X 射线光电子能谱(XPS)表明薄膜中出现了 Si-N 的键合结构;原子力显微镜(AFM)图显示了在抛光硅片上制备出的薄膜比较平整、致密。实验结果表明:纯 N_2条件下制备的薄膜比使用 Ar 和 N_2混合气体条件下制备的薄膜中的 SiN_x 含量要低;在混合气体参与的条件下,随着氮气流量的增加,薄膜中出现了微孔,缺陷态增加,并对微孔的形成机制进行了解释。 展开更多

关键词 射频磁控反应溅射 氮化硅薄膜 光学特性

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NaCl:Eu^(2+)的电子俘获机制研究 被引量：1

13

作者 孙力 段宁 +2 位作者 赵谡玲 王丽辉 王永生 《北方交通大学学报》 CSCD 北大核心 1999年第6期43-45,共3页

采用固相反应法制备了NaCl:Eu2 + 粉末样品.测量了发光和光激励发光特性.这种材料可记录用紫外光写入的信息,用绿光读出,读出信号为蓝光.

关键词 电子俘获 光存储 光激励发光 氯化钠 铕离子

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水溶性酞菁化合物对有机电致发光器件亮度和效率的影响

14

作者 孔超 徐征 +5 位作者 赵谡玲 张福俊 闫光 张天慧 高利岩 龚伟 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第1期88-92,共5页

以水溶性酞菁铜(CuTcPc)为空穴注入层制备多层有机电致发光器件。ITO表面经过CuTcPc溶液修饰,能够提高空穴的注入能力,增加器件的电流密度和亮度。在有机电致发光器件中,空穴传输材料的空穴迁移率一般大于电子传输材料的电子迁移率,空... 以水溶性酞菁铜(CuTcPc)为空穴注入层制备多层有机电致发光器件。ITO表面经过CuTcPc溶液修饰,能够提高空穴的注入能力,增加器件的电流密度和亮度。在有机电致发光器件中,空穴传输材料的空穴迁移率一般大于电子传输材料的电子迁移率,空穴是多数载流子;但是,CuTcPc修饰处理不仅提高了器件的电流密度和亮度,也提高了器件的电流效率。研究结果表明,CuTcPc层不仅提高了器件的空穴注入能力,也影响了电场的分布,能在一定程度上增加电子的注入。 展开更多

关键词 水溶性酞菁铜 有机电致发光 载流子平衡 电流效率

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一种精确的有机薄膜晶体管模型参数提取方法研究

15

作者 尹飞飞 徐征 +4 位作者 赵谡玲 乔泊 张成文 陈跃宁 徐叙瑢 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2017年第4期281-286,共6页

提出了一种可以精确获得有机薄膜晶体管(OTFT)的直流电流-电压模型中的参数提取方法。该方法通过对实验获得的输出特性曲线和转移特性曲线进行计算和处理,精确获得OTFT器件模型中的7个参数。实验制备了两种采用不同绝缘栅的基于并五苯... 提出了一种可以精确获得有机薄膜晶体管(OTFT)的直流电流-电压模型中的参数提取方法。该方法通过对实验获得的输出特性曲线和转移特性曲线进行计算和处理,精确获得OTFT器件模型中的7个参数。实验制备了两种采用不同绝缘栅的基于并五苯的底栅顶接触的OTFT,并对其进行了参数提取。利用提取的参数及直流电流-电压模型对OTFT进行模拟,将模拟结果与实验测试结果相比较发现,模拟得到的输出特性及转移特性与测试结果拟合得很好,验证了本文中参数提取方法的正确性。应用建立的模型及本文中的参数提取方法可以用于OTFT器件的设计与模拟。 展开更多

关键词 有机薄膜晶体管 直流电流-电压模型 参数提取

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磷浆法制备选择性发射极单晶硅太阳电池的研究 被引量：3

16

作者 韩允 赵谡玲 +4 位作者 徐征 俎云燕 海博 刘金虎 刘志平 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期1015-1020,共6页

改变常规单晶硅太阳电池生产工艺,制备了选择性发射极太阳电池。主要方法是扩散之前,在电极区域印刷一层磷浆作为磷源对电极区域进行重扩散;与此同时,在非电极区域采用POCl3作为磷源轻扩散。以此方法制备了选择性发射极高效太阳电池,且... 改变常规单晶硅太阳电池生产工艺,制备了选择性发射极太阳电池。主要方法是扩散之前,在电极区域印刷一层磷浆作为磷源对电极区域进行重扩散;与此同时,在非电极区域采用POCl3作为磷源轻扩散。以此方法制备了选择性发射极高效太阳电池,且与常规工艺电池片进行对比测试。经过测试,转换效率比常规工艺电池片高0.6%。 展开更多

关键词 太阳电池 选择性发射极 磷浆 丝网印刷

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氟离子浓度对稀土掺杂上转换发光纳米材料形貌及荧光寿命的影响 被引量：2

17

作者 刘珊珊 徐征 +2 位作者 赵谡玲 梁志琴 朱薇 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2016年第8期2108-2112,共5页

利用溶剂热法制备了Yb^(3+)、Er^(3+)共掺的Na YF4上转换发光纳米材料。实验结果表明,不同F-离子对纳米晶的晶型和粒径尺寸起着重要的作用。低F-离子浓度下,NaYF_4纳米材料的粒径尺寸随F-离子浓度的增加逐渐变小且趋于均一;高F-离子浓度... 利用溶剂热法制备了Yb^(3+)、Er^(3+)共掺的Na YF4上转换发光纳米材料。实验结果表明,不同F-离子对纳米晶的晶型和粒径尺寸起着重要的作用。低F-离子浓度下,NaYF_4纳米材料的粒径尺寸随F-离子浓度的增加逐渐变小且趋于均一;高F-离子浓度下,六方晶相的形成受到抑制,上转换纳米晶出现团聚现象。在一定浓度范围内,F-离子的浓度有利于促进荧光发射。同时F-离子浓度对荧光寿命也有显著的影响。 展开更多

关键词 上转换发光 纳米材料 NAYF4 形貌控制 荧光寿命

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有机绝缘层材料聚(4-乙烯基苯酚)喷墨打印工艺研究 被引量：4

18

作者 何慧 王刚 +4 位作者 赵谡玲 刘则 侯文军 代青 徐征 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2012年第5期590-594,共5页

通过压电喷墨打印方式在氧化铟锡(ITO)玻璃上直接图案化打印聚(4-乙烯基苯酚)(PVP),研究了不同浓度PVP的电学特性,从电容、漏电流、击穿场强几个方面进行了分析。结果表明,采用打印方式得到的PVP绝缘层在0～40V的外加电压下,漏电流密度... 通过压电喷墨打印方式在氧化铟锡(ITO)玻璃上直接图案化打印聚(4-乙烯基苯酚)(PVP),研究了不同浓度PVP的电学特性,从电容、漏电流、击穿场强几个方面进行了分析。结果表明,采用打印方式得到的PVP绝缘层在0～40V的外加电压下,漏电流密度在10-11～10-8 A/cm2范围内,为打印方式制备高性能交联PVP(CL-PVP)介电层提供了必要的参考。 展开更多

关键词 聚(4乙烯基苯酚) 喷墨打印 有机薄膜晶体管 绝缘层

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二氢吲哚染料敏化TiO_2太阳电池的特性研究 被引量：2

19

作者 李少彦 徐征 +4 位作者 赵谡玲 张福俊 穆林平 刘炜华 梁嘉 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期774-777,共4页

将一种新型纯有机二氢吲哚染料D102(C_(37)H_(30)N_2O_3S_2)用于敏化纳米晶TiO_2太阳电池,未经任何优化时电池参数为:J_(SC)=8.65mA/cm^2,V_(OC)=0.63V,总光电转换效率可达3.47%;经过紫外照射10min处理,同样测试条件下电池的短路电流达... 将一种新型纯有机二氢吲哚染料D102(C_(37)H_(30)N_2O_3S_2)用于敏化纳米晶TiO_2太阳电池,未经任何优化时电池参数为:J_(SC)=8.65mA/cm^2,V_(OC)=0.63V,总光电转换效率可达3.47%;经过紫外照射10min处理,同样测试条件下电池的短路电流达到11.31mA/cm^2,效率为3.99%。同时,通过紫外照射前后染料的最高占据轨道能级和最低空轨道、电池的光电导等的研究,讨论了电流大幅度提高的原因。 展开更多

关键词 二氢吲哚染料D102 染料敏化太阳电池 紫外照射处理 能级

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多晶硅太阳电池预处理及退火工艺研究 被引量：3

20

作者 张鹏 徐征 +2 位作者 赵谡玲 田玉华 王庆伟 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第1期134-138,共5页

在沉积氮化硅薄膜之前采用氨气电离出氢等离子体，先对硅片进行氢等离子体预处理，通过数值分析和实验方法分别研究预处理时间、功率、温度、压力等各参数对钝化效果以及电学性能的影响。在预处理温度450~C，时间200s，射频功率4000W，... 在沉积氮化硅薄膜之前采用氨气电离出氢等离子体，先对硅片进行氢等离子体预处理，通过数值分析和实验方法分别研究预处理时间、功率、温度、压力等各参数对钝化效果以及电学性能的影响。在预处理温度450~C，时间200s，射频功率4000W，气体压强200Pa，氨气流量4000sccm／min时，短路电流提高约4％。采用等离子体增强型的化学气相沉积（PECVD）法，在电池表面镀上一层氮化硅膜，实验证实氢等离子体会透过氮化硅进入到硅基体内，从而使少子寿命提高约51xs。低温退火实验表明，430～440％为最优温度，随时间的增加，短路电流有明显提升。 展开更多

关键词 PECVD 氮化硅薄膜 等离子体预处理 少子寿命 退火

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